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[发明专利]半导体装置-CN202110878854.X在审
发明人：矶部康裕;洪洪;吉冈启;杉山亨;小林仁;大野哲也;岩井正明;细川直范;小野村正明 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置具备：第一氮化物半导体层，具有第一面和第二面；第一源极电极，设置于第一面；第一漏极电极，设置于第一面；第一栅极电极，设置于第一源极电极与第一漏极电极之间的第一面；第二氮化物半导体层，设置于第二面，具有第三面和第四面，与第一氮化物半导体层相比带隙小，该第三面与第二面对置；以及第一半导体器件，设置于第四面，具有为第四面以下的大小且与第四面对置的第五面，包含与第二氮化物半导体层相比带隙的第一半导体材料。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202110029580.7在审
发明人：杉山亨;吉冈启;洪洪;矶部康裕;小林仁;大野哲也;细川直范;小野村正明;岩井正明 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H02H7/20 文献下载
摘要：一种能应用于多种使用方案的半导体装置。半导体装置具备：半导体封装，半导体封装具有具备第一电极、第二电极和第一控制电极的n型沟道常断晶体管、具有电连接于第二电极的第三电极、第四电极和第二控制电极的常通晶体管、具有电连接于第二控制电极的第一阳极和电连接于第三电极的第一阴极的第一二极管及具有电连接于第一电极的第二阳极和电连接于第二电极的第二阴极的齐纳二极管；第一端子，设于半导体封装，电连接于第一电极；多个第二端子，电连接于第一电极，排列于第一方向上；第三端子，电连接于第四电极；多个第四端子，电连接于第一控制电极，排列于第一方向上；以及多个第五端子，电连接于第二控制电极，排列于第一方向上。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202010057939.7在审
发明人：吉冈启;杉山亨;岩井正明;细川直范;小野村正明;洪洪;矶部康裕 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：实施方式提供具有简易构造的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：常关断晶体管，具有第1电极、第2电极、以及第1控制电极；常开启晶体管，具有电连接于第2电极的第3电极、第4电极、以及第2控制电极；第1元件，具有电连接于第1控制电极的第1端部和电连接于第1电极的第2端部，包含第1电容成分；以及第2元件，具有电连接于第1控制电极以及第1端部的第3端部和第4端部，包含第2电容成分，在将常关断晶体管的阈值电压设为Vth，将常关断晶体管的最大栅极额定电压设为Vg＿max，将第4端部的电压设为Vg＿on，将第1电容成分设为Ca、第2电容成分设为Cb时，Vth＜(Cb/(Ca+Cb))Vg＿on＜Vg＿max。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202010074582.3在审
发明人：吉冈启;杉山亨;岩井正明;细川直范;小野村正明;洪洪;矶部康裕 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-01-22 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：实施方式提供噪声被降低的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1常关断晶体管，具有第1电极、第2电极和第1控制电极；常导通晶体管，具有经由第1布线而与第2电极电连接的第3电极、第4电极和第2控制电极；第2常关断晶体管，具有第5电极、经由第2布线而与第3电极电连接的第6电极和第3控制电极；第1二极管，具有与第2控制电极电连接的第1阳极和与第3电极电连接的第1阴极；以及电容器，具有与第1阳极及第2控制电极连接的第1端部和第2端部。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201910609701.8在审
发明人：洪洪;矶部康裕;吉冈启;杉山亨;岩井正明;细川直范;小野村正明 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：实施方式提供一种开关特性优异的半导体装置。实施方式的半导体装置(100)具备第一氮化物半导体层(3)即沟道层，位于第一氮化物半导体层(3)之上且带隙比第一氮化物半导体层(3)大的第二氮化物半导体层(4)即阻挡层；位于第二氮化物半导体层(4)之上且与第一氮化物半导体层(3)电连接的第一电极(5)即源极电极；位于第一氮化物半导体层(3)之上且与第一氮化物半导体层(3)电连接的第二电极(7)即漏极电极；位于第一电极(5)与第二电极(7)之间的栅极电极(6)；位于第二氮化物半导体层上且高度与栅极电极(6)相同的第一场板电极(8)；以及位于第一场板电极(8)与第二电极(7)之间的第二场板电极(9)。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201811451853.1在审
发明人：洪洪;吉冈启;杉山亨;岩井正明;细川直范 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：实施方式提供一种开关特性优异的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1氮化物半导体层；位于第1氮化物半导体层上、且与第1氮化物半导体层相比带隙更大的第2氮化物半导体层；位于第1氮化物半导体层上、且与第1氮化物半导体层电连接的第1电极；位于第1氮化物半导体层上、且与第1氮化物半导体层电连接的第2电极；位于第1电极与第2电极之间的栅极电极；与第1电极连接的第1场板电极；与第1电极电连接、且位于栅极电极与第2电极之间的第2场板电极；位于栅极电极上的第1导电层；和位于第1导电层上的第2导电层。栅极电极与第2场板电极之间的第1距离小于第1导电层与第2场板电极之间的第2距离，且小于等于第2导电层与第2场板电极之间的第3距离。
半导体装置

[发明专利]保护设备-CN201580020893.9有效
发明人： 岩井正明;横田贵之 -专利权人：力特电子(日本)有限责任公司
申请日： 2015-03-04 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01H37/76 文献下载
摘要：本发明提供额定电压以及额定电流大、能够充分地抑制在动作时产生电弧、进而针对主电路的短路等所导致的过电流也能够适当地保护的保护设备。本发明的保护设备包括以下组件而构成：(i)保护元件，包括第1温度熔断器和电阻体而构成，在异常时通过对电阻体通电而电阻体发热，通过该热而第1温度熔断器进行动作，切断电流；(ii)PTC元件及第2温度熔断器，相互串联地电连接，并且并联地电连接于所述第1温度熔断器；以及(iii)电流熔断器，串联地电连接于所述第1温度熔断器。
保护设备

[发明专利]保护元件-CN201580048446.4有效
发明人：田中新;岩井正明;池野俊也;龙泽刚 -专利权人：力特保险丝日本合同会社
申请日： 2015-09-08 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01C7/02 文献下载
摘要：本发明提供一种保护元件，该保护元件包括：(i)PTC要素，所述PTC要素具有沿厚度方向贯通的开口部；以及(ii)第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极位于PTC要素的两个主表面上，所述保护元件的特征在于，第一电极从PTC要素的主表面越过其边缘并朝向所述开口部内延伸。本发明的保护元件即使在利用螺钉或铆接进行固定的情况下，也不会妨碍PTC要素膨胀。
保护元件

[发明专利]保护器件-CN201480043778.9有效
发明人：横田贵之;岩井正明;竹川博绍;井川直孝 -专利权人：泰科电子日本合同会社
申请日： 2014-07-01 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01H37/76 文献下载
摘要：提供一种保护器件，其额定电压以及额定电流大，能充分抑制动作时的电弧的产生，且能使电路完全断开。保护器件的特征在于，包含如下要素而成(i)保护元件，其包含第1温度熔断器和电阻体而成，异常时对电阻体通电从而电阻体发热，第1温度熔断器因该热而进行动作，将电流阻断；(ii)PTC元件；和(iii)第2温度熔断器，第2温度熔断器与PTC元件串联地电连接，保护元件的第1温度熔断器与PTC元件以及第2温度熔断器并联地电连接，异常时，使保护元件进行动作，从而PTC元件跳变并发热，第2温度熔断器因该热而熔断。
保护器件

[发明专利]保护元件-CN201680019038.0在审
发明人： 岩井正明;泷泽刚 -专利权人：力特电子(日本)有限责任公司
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01C7/02 文献下载
摘要：本发明涉及保护元件，包括具有第一主表面和第二主表面的分层的PTC元件、位于PTC元件的第一主表面上的第一电极、和位于PTC元件的第二主表面的第二电极，并且保护元件其特征在于，所述第一电极的至少一部分和所述第二电极的至少一部分定位为彼此相对并且所述PTC元件插入其间，并且所述第一主表面的一部分暴露。
保护元件

[发明专利]保护器件-CN201480051068.0在审
发明人：田中新;岩井正明;泷泽刚 -专利权人：泰科电子日本合同会社
申请日： 2014-09-24 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H02H9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种在冲击电流值大、有偏差的情况下也能确实地保护电子、电气设备且具有恢复性的保护器件。本发明的保护器件包含PTC元件、电阻元件、和第1端子以及第2端子而成，特征在于，按照第1端子、PTC元件、电阻元件以及第2端子的顺序将它们串联电连接。
保护器件

[发明专利]保护元件-CN201410359813.X在审
发明人：横田贵之;泷泽刚;岩井正明;田中新 -专利权人：泰科电子日本合同会社
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01H37/76 文献下载
摘要：本发明提供一种能够更加可靠地感知异常温度来执行动作，并且耐冲击性以及耐环境性良好的保护元件。该保护元件具有：(i)层状要素，其包含绝缘性树脂；(ii)至少1个低熔点金属部件，其贯通层状要素；以及(iii)一对层状的金属电极，其位于层状要素的两个主表面，并通过低熔点金属部件来电连接。
保护元件

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