“山口由岐夫”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果4个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]碳纳米管的制造方法及碳纳米管的制造装置-CN200980108102.2有效
发明人：野田优;杉目恒志;山口由岐夫;大泽利男;笕和宪;长谷川馨;金东荣 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2009-03-06 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明提供一种碳纳米管的制造方法，其特征在于，使用含碳且在加热状态下分解的碳源和成为用于由该碳源生成碳纳米管的催化剂的催化剂，在配置于反应器中的加热状态的支撑体上合成所述碳纳米管，其中，具有：通过使成为所述催化剂的原料的催化剂原料在所述支撑体上流通，使所述支撑体上担载所述催化剂的催化剂担载工序；通过使所述碳源在所述支撑体上流通，在所述支撑体上合成所述碳纳米管的合成工序；通过使分离气体流在所述支撑体上流通，从所述支撑体分离所述碳纳米管的分离工序，在将所述支撑体保持在所述加热状态下，边切换所述催化剂原料、所述碳源、及所述分离气体流边进行所述催化剂担载工序、所述合成工序、及所述分离工序。
纳米制造方法装置

[发明专利]各向异性扩散介质及其制备方法-CN200580015620.1无效
发明人：东健策;村田亮;山口由岐夫;植松隆史 -专利权人：株式会社巴川制纸所
申请日： 2005-03-15 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： G02B5/02 文献下载
摘要：在具有包含含有光固化性化合物的组合物的固化物的的树脂层的各向异性扩散介质中，在树脂层的内部形成多个棒状固化区域的集合体，该多个棒状固化区域全部相对于所规定的方向P平行延伸存在，将各向异性扩散介质一侧的任意点上所有方向的入射光的与各入射方向相对应的各直线透光量表示为以各向异性扩散介质另一侧空间的与上述任意点所对应的射出点为起点的沿射出方向的向量时，将这些向量的顶端连结得到的曲面是在规定的方向P上具有对称轴的钟形曲面。
各向异性扩散介质及其制备方法

[发明专利]球形半导体颗粒的批量生产方法和设备-CN200510072998.7无效
发明人：浜川圭弘;室园干男;高仓秀行;山口由岐夫;山形顺;安田英典 -专利权人：珂琳21风险投资株式会社
申请日： 2001-11-26 - 公布日： 2005-12-14 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种球形半导体颗粒的批量生产方法和设备，该方法包括在坩埚中存储半导体；通过加热装置加热并熔化坩埚中的半导体；在气相中使来自坩埚的熔融半导体从喷嘴滴落；和通过振动装置振动坩埚中的所述熔融半导体或在气相中滴落的熔融半导体。本发明的方法和设备通过从喷嘴滴落已经在坩埚中熔化的半导体并且使该熔融半导体振动的简单操作，可以大量制作具有均匀颗粒直径的球形半导体颗粒。如此制作的颗粒可以容易地在气相中转变成单晶或多晶颗粒。
球形半导体颗粒批量生产方法设备

[发明专利]光电设备和用于大量制作球形半导体颗粒的批量生产设备-CN01140130.3有效
发明人：浜川圭弘;室园干男;高仓秀行;山口由岐夫;山形顺;安田英典 -专利权人：珂琳21风险投资株式会社
申请日： 2001-11-26 - 公布日： 2002-07-10 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：一种光电转换元件设置在支座的多个凹槽的每个凹槽中。由凹槽内表面反射的光束照射在光电转换元件上。光电转换元件具有近似的球形形状并且具有下述结构。中央部分n－型非晶硅(a－Si)层的外表面被具有比a－Si更宽光学带隙的p－型非晶体SiC(a－SiC)层覆盖,从而形成pn结。支座的第一导体在凹槽的底部或其附近连接至光电转换元件的p－型a－SiC层。支座的第二导体由一个绝缘体与第一导体绝缘,并且连接至光电转换元件的n－型a－Si层。
光电设备用于大量制作球形半导体颗粒批量生产