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[发明专利]一种三维集成电路堆栈集成方法及三维集成电路-CN201610364979.X有效
发明人：田野;任宁;吴海宏;尚拴军 -专利权人：河南工业大学
申请日： 2016-05-26 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种三维集成电路堆栈集成方法及三维集成电路，属于集成电路制造技术领域。本发明的三维集成电路堆栈集成方法包括：在硅晶圆基体两面上制备形成纳米化镍焊盘层，在镍焊盘层表面进行自纳米化处理形成纳米化镍结构层，在硅晶圆一面的纳米化镍结构层上制备形成锡钎料层，将硅晶圆的两面分别光刻形成纳米化镍/锡微凸点及纳米化镍焊盘，切割得到芯片单元；通过固液互扩散键合在芯片单元与芯片基板或者芯片单元与芯片单元之间形成Ni3Sn4互连点，实现三维芯片垂直堆栈集成，即得。本发明的三维集成电路堆栈集成方法极大的提高了芯片的堆叠效率和互连可靠性。
一种三维集成电路堆栈集成方法

[发明专利]一种利用第二相强化SiC颗粒增强复合材料的制备方法-CN201711018979.5在审
发明人： 尚拴军;邓鹏辉;蔡刚毅;邓坤坤 -专利权人：河南工业大学
申请日： 2017-10-26 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： B21C23/21 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用第二相强化SiC颗粒增强复合材料的制备方法，是针对SiC颗粒增强复合材料力学性能低、生产效率低的弊端，采用热挤压法破碎铸态SiC颗粒增强复合材料中片状及线形第二相Mg17Al12，制备的SiC颗粒增强复合材料基体中均匀分布SiC颗粒和第二相Mg17Al12颗粒，使SiC颗粒增强复合材料的综合力学性能大幅提高。本发明的SiC颗粒增强复合材料在热挤压工艺实施前，简化了目前普遍采用的固溶处理，大大提高了生产效率，节约了经济成本。
一种利用第二强化 sic 颗粒增强复合材料制备方法

[发明专利]纯铝包覆SiC颗粒增强镁基复合材料、制备及其应用-CN201410108402.3有效
发明人：邓坤坤;尚拴军;李建超;周珊珊;石巨岩;梁伟 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2014-03-24 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： B32B15/01 文献下载
摘要：本发明公开了纯铝包覆SiC颗粒增强镁基复合材料、制备及其应用，纯铝包覆SiC颗粒增强镁基复合材料由芯层和包覆层组成，芯层为SiC颗粒增强镁基复合材料，包覆层为纯铝，纯铝包覆层的单边厚度为2-6mm，芯层SiC颗粒均匀分散在镁基复合材料中，SiC颗粒的体积为SiC颗粒增强镁基复合材料总体积的5％-20％，SiC颗粒直径尺寸≤10μm，制备步骤包括：(1)制备SiC颗粒增强镁基复合材料，(2)制备纯铝包覆SiC颗粒增强镁基复合材料，本发明还提供了纯铝包覆SiC颗粒增强镁基复合材料在制备型材中的应用。本发明提供的材料具有良好的可加工性、成形性、装饰性和耐蚀性。
纯铝包覆 sic 颗粒增强复合材料制备及其应用