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[发明专利]半导体装置-CN202210597860.2在审
发明人： 小川裕贵 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置。确保控制芯片的背面的绝缘。半导体装置具备：功率半导体芯片；树脂壳体，其具有配置功率半导体芯片的空间；引线端子，其配置于树脂壳体；控制芯片，其配置于树脂壳体中自与引线端子的上表面垂直的方向俯视时与引线端子不重叠的第1部分，该控制芯片对功率半导体芯片进行控制；以及引线，其具有与引线端子连接的第1端和与控制芯片连接的第2端。
半导体装置

[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法-CN202011178384.8在审
发明人： 小川裕贵 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置和半导体装置的制造方法，削减制造成本而进行特性改善。半导体装置(10)具有绝缘电路基板(22)，该基板具有：散热板(25)，具备正面；树脂基板(23)，具备正面和固接于该正面的背面，且含有树脂；电路图案(24a、24b)，具备正面和固接于该正面的背面。半导体装置(10)具有接合于正面的第一半导体芯片(21a)、第二半导体芯片(21b)和外部连接端子(41a)中的至少任一方，电路图案(24b)的至少对置的一对侧部各自由树脂基板(23)支撑。在这样的半导体装置(10)中，在通过超声波接合将外部连接端子(41a)接合于电路图案(24b)时，电路图案(24b)由于由树脂基板(23)支撑，所以不会从树脂基板(23)剥离。
半导体装置制造方法

[发明专利]非水电解质电池-CN201610282461.1有效
发明人：鸟水悠美子;渡边春夫;山本文将;町田昌纪;小川裕贵 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2011-02-23 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01M10/052 文献下载
摘要：本发明提供了非水电解质电池。该非水电解质电池包括：正极、负极、以及电解质，其中电解质包含非水溶剂、电解质盐、基体聚合物以及陶瓷粉末，并且进一步包含多酸和/或多酸化合物。
水电电池

[发明专利]半导体封装-CN201811106737.6在审
发明人： 小川裕贵;西岛贵弘;香月尚;佐藤忠彦 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：在半导体封装中，如果弯曲成L字状的引线端子和直的引线端子混合存在于各个侧面，则安装于基板时等的操作性降低。本发明提供一种半导体封装，具备：封装主体；以及多个引线端子，分别从封装主体的至少3个侧面露出，多个引线端子中的从第一侧面露出的多个引线端子的一半以上引线端子的前端朝向沿着第一侧面的方向，多个引线端子中的从第二侧面露出的多个引线端子的任一引线端子的前端都朝向沿着与第二侧面正交的方向的方向，多个引线端子中的从第三侧面露出的多个引线端子的一半以上引线端子的前端朝向沿着第三侧面的方向，或者任一引线端子的前端都朝向沿着与第三侧面正交的方向的方向。
引线端子侧面半导体封装封装主体正交的基板

[发明专利]非水电解质组合物以及非水电解质电池-CN201110044048.9有效
发明人：鸟水悠美子;渡边春夫;山本文将;町田昌纪;小川裕贵 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-02-23 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01M10/0567 文献下载
摘要：本发明提供了一种非水电解质组合物以及非水电解质电池。该非水电解质电池包括：正极、负极、以及电解质，其中电解质包含非水溶剂、电解质盐、基体聚合物以及陶瓷粉末，并且进一步包含多酸和/或多酸化合物。
水电组合以及电池

[发明专利]非水性电解质电池-CN201110042828.X无效
发明人： 小川裕贵;渡边春夫;山本文将;町田昌纪;鸟水悠美子 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-02-22 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01M10/05 文献下载
摘要：非水性电解质电池包括：具有包含正极活性材料、粘合剂和具有吡咯烷酮骨架的化合物的正极活性材料层的正极；具有负极活性材料层的负极；包含溶剂和电解质盐的非水性电解质；以及包含在电池内部的多酸和/或多酸化合物。
水性电解质电池