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[发明专利]非水电解质二次电池-CN201880081176.0有效
发明人： 宫成光则;枣田俊介;小林径;见泽笃 -专利权人：松下新能源株式会社
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01M10/0587 文献下载
摘要：本发明的目的在于，在负极活性物质中使用了硅化合物的非水电解质二次电池中，抑制负极的变形。作为实施方式的一例的非水电解质二次电池具备将正极(11)与负极(12)夹隔着间隔件卷绕而成的卷绕型的电极体。在负极合剂层(41)中，作为负极活性物质包含硅化合物。负极合剂层(41)的卷绕开始侧端(42)超过正极合剂层(31)的卷绕开始侧端(32)地向电极体的卷绕开始端侧延伸出来。负极合剂层(41)中的从正极合剂层(31)的卷绕开始侧端(32)延伸出来的部分的长度Y(mm)与硅化合物相对于负极活性物质的总质量的比例X(质量％)满足Y≥3X‑15(6≤X≤15)的关系。
水电二次电池

[发明专利]非水电解质二次电池-CN201980007559.8有效
发明人：桥谷早奈恵;宫成光则;泷川雅史 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供保存特性及快速充电特性优异的高容量的非水电解质二次电池。本发明的一方式所述的非水电解质二次电池具有：在正极集电体上形成有包含正极活性物质的正极合剂层的正极板、在负极集电体上形成有包含负极活性物质的负极合剂层的负极板、间隔件、非水电解质、封口体和外装体。负极活性物质包含石墨及硅材料，硅材料包含：由SiOx(0.5≤x＜1.6)所示的氧化硅、以及由Li2zSiO(2+z)(0＜z＜2)所示的在硅酸锂相中分散有硅相的硅‑硅酸锂复合体。硅‑硅酸锂复合体的含量相对于硅材料为33质量％以上且93质量％以下。
水电二次电池