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[发明专利]MOS晶体管偏移消除差分电流锁存感测放大器-CN201780058407.1有效
发明人：那太辉;宋炳圭;郑成煜;金俊培;康相赫 -专利权人：高通科技公司;延世大学大学工业基金会
申请日： 2017-09-18 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：提供了用于感测差分电压的金属氧化物半导体(MOS)晶体管偏移消除(OC)零感测(ZS)死区电流锁存感测放大器(SA)(CLSA)(OCZS‑SA)。OCZS‑SA被配置为利用较小的感测放大器偏移电压来放大所接收的差分数据和参考输入电压，以在存储器位单元的不同存储状态之间提供较大的感测裕度。OCZS‑SA被配置为消除输入和补充输入晶体管的偏移电压，并且在感测阶段保持输入和补充输入晶体管处于其激活状态，使得当它们的栅极到源极电压(Vgs)低于它们各自的阈值电压时，不会在它们的“死区”中执行感测。在其他方面，感测放大器电容器被配置为在电压捕获阶段期间直接存储输入和补充输入晶体管的栅极处的数据和参考输入电压，以避免否则将利用附加感测电容器电路消耗的附加布局面积。
mos 晶体管偏移消除电流锁存感测放大器

[发明专利]可光降解的聚烯烃组合物-CN93121069.0无效
发明人： 宋炳圭;郑镐甲;姜泰圭;尹相俊 -专利权人：大林产业株式会社
申请日： 1993-11-11 - 公布日： 1994-06-22 - 主分类号： C08L23/02 文献下载
摘要：本发明涉及可光降解聚烯烃组合物，它包括(A)80—99.9％(重量)的聚烯烃树脂；(B)0.01—20％(重量)的至少一种选自改性离子型聚乙烯、用烃属不饱和环酐接枝的聚烯烃和氧化聚乙烯的其它聚合物；以及可选择性加入的(C)0.10重量份或更少些的光敏剂，基于100份组分(A)和(B)的总和。
光降解烯烃组合