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[发明专利]有机发光显示装置-CN201910874697.8在审
发明人：金起范;孙正河;俞炳汉;崔千基;金相羽;安泰琼;李基准;林载翊 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明提供一种有机发光显示装置。根据本发明的一实施例的一种有机发光显示装置由布置在基板上的多个有机发光二极管实现并且包括发出彼此不同颜色的光的第一像素和第二像素，所述有机发光显示装置包括：像素限定膜，包括限定所述第一像素的发光区域的第一开口部和限定所述第二像素的发光区域的第二开口部；全反射层，具有在所述像素限定膜的上部配备为与所述第一像素对应的第一全反射开口和配备为与所述第二像素对应的第二全反射开口；以及平坦化层，覆盖所述全反射层，具有大于所述全反射层的折射率的折射率，所述第一全反射开口的面积与所述第二全反射开口的面积不同。
有机发光显示装置

[发明专利]指纹感测单元和包括该指纹感测单元的显示装置-CN201910104537.5在审
发明人：孙正河;柳志勳;朴源祥;安泰琼;俞炳汉;丁汉荣;崔千基 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本公开提供一种指纹感测单元和一种包括该指纹感测单元的显示装置。所述指纹感测单元包括：基底；缓冲层，设置在基底上；薄膜晶体管，设置在缓冲层上；绝缘层，设置在缓冲层上并且具有暴露缓冲层的至少一部分的开口；以及感测电极，设置在缓冲层的被开口暴露的所述至少一部分上，其中，感测电极连接到薄膜晶体管。包括指纹感测单元的显示装置可以减少外部光的内部反射。
感测单元指纹缓冲层显示装置薄膜晶体管感测电极基底绝缘层开口内部反射外部光暴露

[发明专利]显示设备-CN201810304844.3在审
发明人：崔千基;柳志勳;安泰琼 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2018-04-08 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本申请提供了一种显示设备。显示设备包括基底、驱动电路、像素电极、公共电极、显示层和热电元件，其中，基底包括至少两个层，驱动电路在基底上，像素电极连接到驱动电路，公共电极在像素电极上，显示层在像素电极与公共电极之间，热电元件位于基底的至少两个层之间。
像素电极基底公共电极驱动电路显示设备热电元件显示层申请

[发明专利]显示基板-CN201310412190.3有效
发明人：金钟允;安泰琼;金永大 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2013-09-11 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：一种显示基板包括：基底基板；半导体有源层，布置在所述基底基板上；第一导电图案组，与所述半导体有源层绝缘，并至少包括栅电极；第二导电图案组，与所述第一导电图案组绝缘，并至少包括源电极、漏电极和数据焊盘；以及有机发光装置，布置在所述第二导电图案组上，所述第二导电图案组包括第一导电层和第二导电层，所述第二导电层布置在所述第一导电层上，以防止所述第一导电层被腐蚀和氧化。
显示

[发明专利]用于平板显示设备的背板、平板显示设备及背板制造方法-CN201210162875.2有效
发明人：朴商一;崔千基;安泰琼 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2012-05-23 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种用于平板显示设备的背板包括像素电极，设在衬底上；薄膜晶体管（TFT）的第一栅电极层，设在衬底上；第二栅电极层，设在第一栅电极层上并包括半导体材料；第三栅电极层，设在第二栅电极层上并包括金属材料；第一绝缘层，设在第三栅电极层上；有源层，设在第一绝缘层上并包括透明传导氧化物半导体；第二绝缘层，设在有源层上；源电极和漏电极，设置为穿过第二绝缘层连接到有源层；以及第三绝缘层，覆盖源电极和漏电极。第一栅电极层和像素电极均包括透明传导氧化物。
用于平板显示设备背板制造方法

[发明专利]有机电致发光显示器及其制造方法-CN201210157449.X有效
发明人：朴商一;安泰琼 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2012-05-18 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：有机电致发光显示器，包括栅极线，布置在衬底上；数据线，与栅极线交叉；TFT，与栅极线和数据线连接；电容器，与TFT连接；以及OLED，与TFT连接。TFT的栅电极和电容器的下部电极是由第一层构图的。布置在栅电极上的栅绝缘层和布置栅极线上的绝缘岛是由第二层构图的。布置在绝缘岛上的半导体岛和布置在栅绝缘层上的有源层是由第三层构图的。绝缘层布置在TFT上、电容器上以及半导体岛与数据线之间。电容器的上部电极、TFT的源电极/漏电极以及数据线是由第四层构图的。
有机电致发光显示器及其制造方法

[发明专利]有机发光显示装置和制备该有机发光显示装置的方法-CN201210030495.3有效
发明人：朴商一;崔千基;安泰琼 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2012-02-10 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本公开涉及有机发光显示装置和制造所述有机发光显示装置的方法。所述有机发光显示装置包括有机发光装置；电连接至所述有机发光装置的薄膜晶体管(TFT)；和电连接至所述有机发光装置的电容器，所述电容器包括彼此相对的第一电极层和第二电极层，以及作为单层插入在所述第一电极层和所述第二电极层之间的第一绝缘层。
有机发光显示装置制备方法

[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法-CN201010002358.X有效
发明人：朴镇成;牟然坤;郑现中;郑在景;金民圭;安泰琼 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2010-01-11 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开一种有机发光显示装置及其制造方法。所述有机发光显示装置包括具有以第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层被堆叠的结构形成的有源层的驱动单元的薄膜晶体管、具有由所述第二氧化物半导体层形成的有源层的像素单元的薄膜晶体管、以及被连接至所述像素单元的薄膜晶体管的有机发光二极管。所述驱动单元的薄膜晶体管具有在所述第一氧化物半导体层上形成的沟道，以具有高电荷迁移率，其中所述第一氧化物半导体层具有比所述第二氧化物半导体层高的载流子浓度，并且所述像素单元的薄膜晶体管具有在所述第二氧化物半导体层上形成的沟道，以具有稳定和均匀的功能特性。
有机发光显示装置及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法和平板显示装置-CN200910137879.3有效
发明人：郑在景;郑棕翰;金民圭;安泰琼;牟然坤;梁熙元 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2009-05-05 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供了一种使用氧化物半导体作为有源层的薄膜晶体管(TFT)、一种制造所述TFT的方法和一种具有所述TFT的平板显示装置，所述TFT包括：栅电极，形成在基底上；有源层，由氧化物半导体形成，并通过栅极绝缘层与栅电极绝缘；源极和漏极，结合到有源层；界面稳定层，形成在有源层的一个表面或两个表面上。在所述TFT中，界面稳定层由带隙为3.0eV至8.0eV的氧化物形成。因为界面稳定层的特性与栅极绝缘层和钝化层的特性相同，所以保持了在化学上高的界面稳定性。因为界面稳定层的带隙等于或大于有源层的带隙，所以在物理上防止了电荷俘获。
薄膜晶体管及其制造方法平板显示装置

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法和平板显示装置-CN200910138568.9有效
发明人：金民圭;郑棕翰;安泰琼;郑在景;牟然坤;朴镇成;郑现中;金光淑;梁熙元 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2009-05-08 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供了薄膜晶体管及其制造方法和平板显示装置。一种将氧化物半导体用作有源层的薄膜晶体管(TFT)、一种制造所述TFT的方法和一种具有所述TFT的平板显示装置包括：源电极和漏电极，形成在基底上；有源层，由设置在源电极和漏电极上的氧化物半导体形成；栅电极；界面稳定层，形成在有源层的顶表面和底表面中的至少一个上。在所述TFT中，界面稳定层由带隙为3.0eV至8.0eV的氧化物形成。因为界面稳定层的特性与栅极绝缘层和钝化层的特性相同，所以在化学上保持了高的界面稳定性。因为界面稳定层的带隙大于等于有源层的带隙，所以在物理上防止了电荷俘获。
薄膜晶体管及其制造方法平板显示装置

[发明专利]制备半导体活性层、薄膜晶体管的方法及该薄膜晶体管-CN200810133317.7有效
发明人：郑棕翰;郑在景;朴镇成;牟然坤;梁熙元;金民圭;安泰琼;申铉秀;李宪贞 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2008-07-15 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： H01L21/363 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备IGZO活性层的方法，其包括由第一靶沉积包括In、Ga和Zn的离子，和由第二靶沉积包括In的离子，所述第二靶具有不同于所述第一靶的原子组成。由第二靶沉积的离子可被控制以将IGZO活性层中In的原子％调节为约45原子％～约80原子％。
制备半导体活性薄膜晶体管方法

[发明专利]制备用于发光器件的量子点硅酸类薄膜的方法-CN200810002850.X有效
发明人：林珍亨;张银珠;安泰琼 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-06-28 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： C09K11/00 文献下载
摘要：一种制备用于发光器件的量子点硅酸类薄膜的方法。量子点硅酸类薄膜的制备是通过将含有能与量子点相互作用的官能团和至少一种用于溶胶－凝胶操作的反应基团的化合物，引入到量子点或用于分散量子点的基质材料的表面而实现的，从而表现出优异的机械性能和热稳定性能。
制备用于发光器件量子硅酸薄膜方法

[发明专利]合金型半导体纳米晶体及其制备方法-CN200410063781.5无效
发明人：张银珠;安泰琼 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-07-09 - 公布日： 2005-04-27 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种化学湿法制备12－16族化合物半导体纳米晶体的方法。该方法包括将一种或多种12族金属或12族前体与分散剂和溶剂混合，然后通过加热得到12族金属前体溶液；将一种或多种16族元素或16族前体溶解于配位溶剂，得到16族元素前体溶液；及将12族金属前体溶液与16族元素前体溶液混合成混合物，然后使该混合物反应，以生长半导体纳米晶体。12－16族化合物半导体纳米晶体稳定，并且具有高量子效率以及均匀的尺寸和形状。
合金半导体纳米晶体及其制备方法

[发明专利]制备用于发光器件的量子点硅酸类薄膜的方法-CN200410062068.9有效
发明人：林珍亨;张银珠;安泰琼 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-06-28 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种制备用于发光器件的量子点硅酸类薄膜的方法。量子点硅酸类薄膜的制备是通过将含有能与量子点相互作用的官能团和至少一种用于溶胶－凝胶操作的反应基团的化合物，引入到量子点或用于分散量子点的基质材料的表面而实现的，从而表现出优异的机械性能和热稳定性能。
制备用于发光器件量子硅酸薄膜方法

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