“大槻史朗”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果15个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]铁氧体烧结磁铁以及铁氧体烧结磁铁的制造方法-CN202210222888.8有效
发明人： 大槻史朗 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C04B35/26 文献下载
摘要：铁氧体磁铁具备磁铅石型铁氧体晶粒和介于铁氧体晶粒间的晶界相。铁氧体晶粒和晶界相分别含有金属元素A、La、Co和Fe，金属元素A为选自Sr、Ba和Ca中的至少1种元素，在将铁氧体晶粒中的Co相对于La的原子比设为RFG、将晶界相中的Co相对于La的原子比设为RGB时，满足下式。0.5≤RGB/RFG≤0.9。
铁氧体烧结磁铁以及制造方法

[发明专利]铁氧体烧结磁铁-CN202211604854.1在审
发明人： 大槻史朗;神谷圭祐 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01F1/03 文献下载
摘要：一种铁氧体烧结磁铁，具备磁铅石型铁氧体晶粒(4)和介于铁氧体晶粒(4)间的二颗粒晶界(6a)，其中，二颗粒晶界含有Ca及La，二颗粒晶界中的Ca/La原子比为0.3～3.0。
铁氧体烧结磁铁

[发明专利]电介质组合物及电子部件-CN201980022603.2有效
发明人：铃木翔太;奥泽信之;广瀬大亮;大槻史朗;佐藤和希子 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明提供一种电介质组合物，其特征在于，所述电介质组合物具有包含铋、锌和铌的复合氧化物，电介质组合物具有由复合氧化物构成且具有烧绿石型晶体结构的晶相和非晶相，在将复合氧化物以组成式BixZnyNbzO1.75+δ表示的情况下，x、y以及z满足x+y+z＝1.00、0.20≤y≤0.50、2/3≤x/z≤3/2的关系。
电介质组合电子部件

[发明专利]电介质膜、电介质薄膜、电子部件、薄膜电容器及电子电路基板-CN202010194812.X在审
发明人： 大槻史朗;高桥和子;原田祥典;铃木翔太;加贺谷康永;加藤友彦;石田未来 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种电介质膜。所述电介质膜包含：(1)Bi及Ti；(2)选自Na及K中的至少一种元素E1；和(3)选自Ba、Sr及Ca中的至少一种元素E2。电介质膜具备：主相，其包含氧化物，该氧化物包含Bi、Ti、元素E1及元素E2且具有钙钛矿结构；和副相，其包含Bi且具有比主相低的氧浓度。在电介质膜的截面上，副相的面积相对于主相的面积及副相的面积的合计的比RS为0.03以上0.3以下。
电介质薄膜电子部件电容器路基

[发明专利]电介质膜、电子部件、薄膜电容器和电子电路基板-CN202010088062.8在审
发明人： 大槻史朗;高桥和子;佐藤和希子 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-02-12 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本发明的电介质膜是包含具有钙钛矿结构的氧化物的电介质膜。上述氧化物包含：(1)Bi、Na和Ti；(2)Ba和Ca中的至少一种；以及(3)选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Yb和Y中的至少一种元素Ln。上述氧化物中，在将Bi、Ba和Ca的原子数相对于Bi、Na、Ba与Ca的原子数的合计之比分别表示为XBi、XBa和XCa的情况下，满足0.2≤XBi/(XBa+XCa)≤5。
电介质电子部件薄膜电容器路基

[发明专利]电容器单元-CN201911314956.8在审
发明人：高桥和子;石井大基;大槻史朗 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01G4/005 文献下载
摘要：一种电容器单元，该电容器单元具备一对或多对电容器，该电容器具有：介电体；形成于介电体的第一电极；以及形成于介电体的第二电极，在该电容器单元中，分别将反方向的电压施加于互相成对的两个电容器中的各自的第一电极和第二电极之间。
电容器单元

[发明专利]压电薄膜、压电薄膜元件、压电致动器、压电传感器、硬盘驱动器以及喷墨打印头-CN201610852628.3有效
发明人：广瀬维子;大槻史朗 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2016-09-26 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L41/09 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种能够抑制加工过程中的损害的压电薄膜、以及具备所述压电薄膜的具有高可靠性的压电薄膜元件。在将(K,Na)NbO₃作为主成分的压电薄膜中，在规定范围的观察视野内观察所述压电薄膜的表面，在此情况下在所述压电薄膜表面上排列有沿着该表面朝向第1方向具有细长形状的多个第1结晶、沿着所述表面朝向与所述第1方向相交叉的第2方向具有细长形状的多个第2结晶。
压电薄膜元件致动器传感器硬盘驱动器以及喷墨打印头

[发明专利]介电组合物和电子部件-CN201510111765.7有效
发明人：政冈雷太郎;兼子俊彦;山下由贵;内山弘基;武田早织;瀬在勇司;大槻史朗 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2015-03-13 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明提供一种介电组合物和使用了该介电组合物的电子部件，即使在将介电膜进一步薄膜化的情况下，所述介电组合物也具有高耐受电压和高相对介电常数。所述介电组合物其特征在于，所述介电组合物以A组和B组作为主成分，A组以从Ba、Ca、Sr的至少两种以上中选择的元素作为主成分，B组以从Zr和Ti中选择的元素作为主成分并且至少包含Zr，所述介电组合物包含：含有所述A组和所述B组的非晶体、和含有所述A组和所述B组的晶体，所述介电组合物中的所述A组与所述B组的摩尔比α为0.5≤α≤1.5。
介电组合物电子部件高相对介电常数薄膜化非晶体高耐受介电膜摩尔比

[发明专利]电介质陶瓷组合物和陶瓷电子部件-CN201110254346.0有效
发明人：村川喜堂;中野幸惠;大槻史朗 -专利权人：ＴＤＫ株式会社
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：电介质陶瓷组合物，其含有以ABO3（A是Ba单独，或者是Ba与选自Ca和Sr的至少1种，B是Ti单独，或者是Ti与Zr）表示、并具有钙钛矿型结晶结构的化合物、和含有Sc和Y的稀土类元素的氧化物。该电介质陶瓷组合物含有具有核壳结构的电介质粒子，所述核壳结构包含核和至少含有R元素的壳，在壳中，R元素的含有比例最大的区域是核与壳的边界区域。
电介质陶瓷组合电子部件

[发明专利]外部电极形成方法-CN200710001340.6有效
发明人：小野寺晃;栗本哲;户泽洋司;大槻史朗 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2007-01-10 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： H01G13/00 文献下载
摘要：电子部件的外部电极形成方法，包括膏准备工序、除去工序、元件准备工序、接触工序和形成工序。首先，准备具有可以插入构成电子部件的元件的沟部的夹具。夹具的沟部至少含有在从内侧向开口侧的方向上向外侧倾斜的第1壁面。在膏准备工序中，向沟部内填充导电膏。在除去工序中，将填充的导电膏沿第1壁面残留，除去残余部分。在元件准备工序中，将元件配置在沟部的正上方。在接触工序中，将元件插入到沟部内，使元件向第1壁面移动，使元件的一个棱线接触于第1壁面。在形成工序中，在元件的一个棱线接触于第1壁面的状态下，将元件沿第1壁面向开口侧移动的同时，以从第1壁面分离一个棱线的方式从第1壁面分离元件。
外部电极形成方法

[发明专利]外部电极形成方法-CN200610169462.1有效
发明人：小野寺晃;栗本哲;户泽洋司;大槻史朗 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2006-12-15 - 公布日： 2007-06-20 - 主分类号： H01G13/00 文献下载
摘要：构成电子部件的元件具有相向的第1面和第2面，以及与第1面和第2面各自相邻的第3面。电子部件的外部电极形成方法具有：预形成工序，在第3面上涂布导电膏，并使该涂布的导电膏中所含有的液体成分的至少一部分蒸发，形成成为第3电极部分的一部分的预涂布部分；第1形成工序，在第1面上，从与该第1面相向的方向涂布导电膏，形成第1电极部分；第2形成工序，在第2面上，从与该第2面相向的方向涂布导电膏，形成第2电极部分；第3形成工序，在第3面上，以覆盖预涂布部分的方式涂布导电膏，形成第3电极部分；电极形成工序，对该元件进行干燥，形成由第1电极部分、第2电极部分和第3电极部分构成的外部电极。第1电极部分、第2电极部分和第3电极部分相互连接地形成。
外部电极形成方法

[发明专利]陶瓷电子部件和层叠电容器-CN200610007749.4无效
发明人：吉井彰敏;安彦泰介;武田笃史;大槻史朗;小野寺伸也;木村美纪;菊地博美 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2006-02-20 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明提供层叠电容器，其备有陶瓷烧结体、在陶瓷烧结体内形成的内部电极、和在陶瓷烧结体的外表面上形成的外部电极。外部电极包括在陶瓷烧结体的外表面上形成的第一电极层、在第一电极层上形成的第二电极层、以及在第二电极层上形成的导电性树脂层。内部电极和第一电极层含有贱金属作为主要成分。第二电极层含有贵金属或贵金属合金作为主要成分。导电性树脂电极层含有贵金属或贵金属合金作为导电性的材料。
陶瓷电子部件层叠电容器

[发明专利]芯片型电子部件-CN200510134337.2无效
发明人：吉井彰敏;安彦泰介;大槻史朗;青木崇;五岛亮;宝池弘喜 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2005-12-14 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： H01G4/00 文献下载
摘要：本发明提供一种芯片型电子部件，备有包括内部电路要素的芯片主体，和与内部电路要素电连接的一对端子电极。一对端子电极分别位于芯片主体的两端部分。芯片主体，其一个侧面用作与电路基板相对的安装面。一对端子电极包括在安装面上形成的电极部分。这里，以垂直于安装面的方向为第一方向，以在安装面上与一对端子电极相对的方向为第二方向，以垂直于第一方向与第二方向的方向为第三方向。从电极部分的第三方向上的中央区域的安装面的边缘部沿着第二方向的第一长度，被设定成大于从电极部分的第三方向的两端区域的安装面的边缘部沿着所述第二方向的第二长度。
芯片电子部件

[发明专利]光记录媒体和光记录方法-CN02108753.9无效
发明人：有冈博之;塚本修司;洞井高志;大槻史朗 -专利权人： TDK股份有限公司
申请日： 2002-03-29 - 公布日： 2002-11-13 - 主分类号： G11B7/00 文献下载
摘要：获得一种通过降低差错率,即便在光记录媒体的记录层状态中存在偏差也可实现多级记录的光记录方法。在激光束的照射位置处的角速度恒定地旋转的盘状光记录媒体上,改变时间进行照射,从而在记录层上进行5级以上的多级记录。盘状的光记录媒体的记录层上,在槽中螺旋状或同心圆状地连续规定多个虚拟记录单元,对应应记录信息,对每个虚拟记录单元将激光束的照射时间调制为5级以上,形成5级以上的不同大小的记录标记,多级调制虚拟记录单元的光反射率,使再现时读出激光束的反射级按5级以上变化。虚拟记录单元的盘旋转方向的长度设定成相对盘中心中心角相等的圆弧长。
记录媒体方法

[发明专利]光记录媒体和光记录方法-CN02108755.5无效
发明人：有冈博之;塚本修司;洞井高志;大槻史朗 -专利权人： TDK股份有限公司
申请日： 2002-03-29 - 公布日： 2002-11-13 - 主分类号： G11B7/00 文献下载
摘要：获得一种除降低差错率外还可实现5级以上的多级记录的光记录媒体。一种在覆盖透光性基板14的槽16的记录层12上形成记录标记来记录信息的光记录媒体10,在上述记录层12中沿着光行进方向S连续规定虚拟记录单元40,该虚拟记录单元由沿着槽16的照射行进方向S的任意单位长度和与其垂直的方向的任意单位宽度构成,并且照射的激光束的波长为λ、激光束的照射光学系统中物镜的数值孔径为NA时,槽的宽度W设定为0.20×(λ/NA)
记录媒体方法

1
共 15 条