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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]输入缓冲电路-CN201880078196.2有效
发明人：松野广之;塚田修一 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本文公开一种设备，所述设备包含：第一和第二电压端子；第一、第二和第三电路节点，所述第一电路节点的电位基于输入信号而改变；触发器电路，其包括彼此交叉耦合的第一和第二反相器，所述第一反相器耦合在所述第一电压端子和所述第二电路节点之间；第一晶体管，其耦合在所述第二和第三电路节点之间，所述第一晶体管具有耦合到所述第一电路节点的控制电极；以及第一电流控制电路，其耦合在所述第三电路节点和所述第二电压端子之间，流过所述第一电流控制电路的电流量基于第一代码信号来控制。
输入缓冲电路

[发明专利]输入缓冲器电路-CN201880011832.X有效
发明人： 塚田修一 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明描述一种用于接收半导体装置中的输入信号的设备。实例设备包含：第一放大器，其响应于第一及第二输入电压而提供第一及第二中间电压；第一及第二电压端子；电路节点；第一晶体管，其经耦合于所述第一电压端子与所述电路节点之间，且响应于所述第一及第二中间电压中的至少一者而接通；第二放大器，其包含第一及第二反相器，所述第一及第二反相器中的至少一者经耦合于所述电路节点与所述第二电压端子之间；及第一及第二输出节点，所述第一输出节点经耦合到所述第一反相器的输入节点及所述第二反相器的输出节点，且所述第二输出节点经耦合到所述第一反相器的输出节点及所述第二反相器的输入节点。
输入缓冲器电路

[发明专利]使用电流源的ZQ校准-CN202010639328.3有效
发明人：佐藤康夫;高桥弘树;塚田修一;何源 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： G11C29/02 文献下载
摘要：本申请涉及使用电流源的ZQ校准。一种存储器装置包含终端校准电路，所述终端校准电路具有用于校准数据总线终端的阻抗的下拉电路或上拉电路中的至少一个。所述存储器装置还包含被配置成生成校准电流的参考校准电路。所述终端校准电路可以被配置成基于所述校准电流来编程下拉电路或上拉电路中的所述至少一个的阻抗。
使用电流 zq 校准

[发明专利]包括输入缓冲器的装置和操作输入缓冲器的方法-CN202080006814.X在审
发明人：松野裕之;塚田修一 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-01-22 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：描述了包括输入缓冲器的装置和用于操作所述输入缓冲器的方法。示例性输入缓冲器包括多个输入缓冲电路，每个输入缓冲电路接收输入数据并由相应时钟信号激活。输入缓冲电路包括判决反馈均衡器(DTE)，所述判决反馈均衡器具有可调电容和参考电容以设置所述输入缓冲电路的参考电平。所述可调电容的电容可以由代码来设置。所述DTE向第一感测节点提供所述可调电容的所述电容，并且进一步向第二感测节点提供所述参考电容的电容以设置所述输入缓冲电路的所述参考电平。所述输入缓冲电路基于所述输入数据和由所述DEE设置的所述参考电平来提供输出数据。
包括输入缓冲器装置操作方法

[发明专利]具有差分放大器的输入缓冲电路-CN202010177636.9在审
发明人： 塚田修一 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本申请涉及一种具有差分放大器的输入缓冲电路。本文公开了一种设备，其包含：第一信号线和第二信号线；第一差分放大器，具有接收输入信号的反相输入节点、接收参考电位的非反相输入节点以及连接到所述第一信号线的输出节点；第二差分放大器，具有接收所述参考电位的反相输入节点、接收所述输入信号的非反输入节点以及连接到所述第二信号线的输出节点；电平移位电路，交叉耦合到所述第一信号线和所述第二信号线；第一复制电路，连接到所述第一信号线；第二复制电路，连接到所述第二信号线；以及第一开关电路，被配置为激活所述电平移位电路、所述第一复制电路和所述第二复制电路中的一个。
具有差分放大器输入缓冲电路

[发明专利]用于在半导体器件中提供偏置信号的装置和方法-CN201880085022.9在审
发明人： *木謙治;塚田修一;江戸幸子 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：描述了用于在半导体器件中提供偏置信号的装置和方法。实例装置包含经配置以提供电源电压的电源，并且进一步包含耦合到所述电源以产生偏置电流的偏置电路。所述偏置电路经配置以使所述偏置电流随着所述电源电压从第一值增加到第二值而减小。在第一操作模式中，所述偏置电路使得所述偏置电流随着所述电源电压从所述第二值进一步增加而继续减小。在第二操作模式中，所述偏置电路还防止所述偏置电流随着所述电源电压从所述第二值的进一步增加而减小。
用于半导体器件提供偏置信号装置方法

[发明专利]使用内部电压为时钟树电路供电-CN201911261661.9在审
发明人： *木謙治;塚田修一 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：本申请案涉及使用内部电压为时钟树电路供电。在一些实施例中，时钟输入缓冲器电路及分频器电路使用外部供应电压及内部生成电压的组合来提供由半导体装置使用的各种时钟信号。例如，时钟输入缓冲器经配置以使用耦合到供应电压的交叉耦合缓冲器电路响应于经接收的第一互补时钟信号而提供第二互补时钟信号，且使用耦合到内部电压的驱动器电路驱动所述第一互补时钟信号。在另一实例中，分频器电路可经由耦合到所述内部电压的分频器基于所述第二互补时钟信号而提供分频时钟信号且使用耦合到所述供应电压的驱动器电路驱动所述分频时钟信号。所述供应电压的量值可小于所述内部电压的量值。
使用内部电压时钟电路供电

[发明专利]包含缓冲器电路的半导体装置-CN201780032747.7在审
发明人：新井鉄也;塚田修一;谷口淳纪 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明揭示一种装置，其包含：电力供应线；输出端子；电路，其经配置以对第一信号及第二信号执行逻辑运算来产生第三信号；第一晶体管；第二晶体管及第三晶体管。所述第一晶体管耦合在所述电力供应线与所述输出端子之间且包含供应有所述第三信号的控制栅极。所述第二晶体管及所述第三晶体管串联耦合在所述电力供应线与所述输出端子之间。所述第二晶体管包含供应有所述第一信号的控制栅极且所述第三晶体管包含供应有不同于所述第一信号、所述第二信号及所述第三信号中的每一者的第四信号的控制栅极。
晶体管电力供应线控制栅极输出端子第二信号半导体装置缓冲器电路晶体管串联晶体管耦合逻辑运算耦合电路配置

[发明专利]半导体存储装置-CN200610142438.9无效
发明人： 塚田修一 -专利权人：尔必达存储器股份有限公司
申请日： 2006-10-26 - 公布日： 2007-05-02 - 主分类号： G11C11/4091 文献下载
摘要：一种半导体存储装置，具备：MOS晶体管(TP1)，在过度驱动开始时被导通，对并联连接的多个读出放大器供给电源(VDD1)；电容器(C1)，蓄积与经由MOS晶体管(TP1)流动到多个读出放大器的电荷对应而被参照的电荷MOS晶体管(TP2)，在过度驱动开始时被导通，对电容器(C1)供给电源(VDD1)；和控制电路，在电容器的电位达到电压(VREF1)的情况下，控制为使MOS晶体管(TP1、TP2)截止。还具备在MOS晶体管(TP1、TP2)变为截止之后被导通，对多个读出放大器供给与电压(VREF1)相等的电压的电源的MOS晶体管。由此，无需设置正确的延迟时间而设定DRAM中的过度驱动期间。
半导体存储装置

[发明专利]电流限制电路及半导体存储装置-CN200610101909.1有效
发明人： 塚田修一 -专利权人：尔必达存储器株式会社
申请日： 2006-07-11 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： G11C11/34 文献下载
摘要：本发明的电流限制电路，具备：包含源极被施加给定的电源电压，经由漏极而供给输出电流的第1PMOS晶体管，把该输出电流的大小限制在给定的限制电流的范围内的电流限制元件；以及通过进行反馈控制，使得在动作特性大体上与第1PMOS晶体管相同的第2PMOS晶体管中流过了给定的电流的状态下，给定的电源电压和向第1PMOS晶体管供给的栅极电压的差与第2PMOS晶体管的阈值电压一致，从而产生所述栅极电压的栅极电压产生电路。
电流限制电路半导体存储装置

[发明专利]动态型半导体存储装置-CN200510052452.5无效
发明人： 塚田修一 -专利权人：尔必达存储器股份有限公司
申请日： 2005-02-28 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： G11C11/409 文献下载
摘要：本发明提供一种一边可以应付位线与字线的短路缺陷而引起的备用电流不良，一边可以以小的布局面积达到高的冗余救济率，且能可靠地冗余救济的动态型半导体存储装置。相对共享读出放大器中的一侧的位线对用均衡电路和另一侧的位线对用均衡电路，共同设置一个电流限制元件，通过电流限制元件，向两侧的均衡电路供给位线预充电电位。
动态半导体存储装置

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