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[发明专利]显示器件及其制造方法-CN200410078766.8有效
发明人：山崎舜平;坂仓真之;永井雅晴;松田丰;秋元健吾;藤井严;山口哲司 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2004-09-18 - 公布日： 2005-03-23 - 主分类号： H05B33/12 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种可靠性高的显示器件以及实现了在制作该显示器件时简化工序且提高成品率的制作方法。本发明的显示器件的一个结构是：一种包括多个显示元件的显示器件，所述显示元件包括第一电极；含有有机化合物的层；以及第二电极，所述显示器件包括在具有绝缘表面的衬底上的：耐热性平整膜；形成在所述耐热性平整膜上的第一电极；覆盖所述第一电极边缘的布线；覆盖所述第一电极边缘和布线的分割墙；形成在所述第一电极上的含有有机化合物的层；以及形成在所述含有有机化合物的层上的第二电极。
显示器件及其制造方法

[发明专利]发光器件及其制造方法-CN200410078765.3有效
发明人：山崎舜平;坂仓真之;永井雅晴;松田丰;斋藤惠子;池田寿雄 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2004-09-18 - 公布日： 2005-03-23 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种发光效率(取出光的效率)高、亮度高、功耗低、并且稳定性高的发光器件以及这种发光器件的制造方法。在本发明中，分割墙和耐热性平整膜使用相同的材料，这样可以提高密接性，同时，可以减少制造成本。在耐热性平整膜上连接形成阳极或阴极。此外，密接分割墙和耐热性平整膜而不在其间夹具有不同折射率的膜，以形成不在界面产生光反射的结构。
发光器件及其制造方法

[发明专利]显示器件及其制作方法-CN200410069424.X有效
发明人： 坂仓真之;乡户宏充;土屋薰 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2004-06-26 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： H05B33/04 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种可靠性高的显示器件及其制作方法，该显示器件的结构能够阻断从密封区域侵入的导致显示器件特性产生退化的水分或氧。本发明的显示器件及其制作方法的特征是：显示器件包括的显示部分是将在一对衬底之间使用有机发光材料的EL元件排列而形成的；其中，所述显示部分形成在绝缘层上，该绝缘层形成在其中一方的衬底上；所述一对衬底借助包围所述显示部分外围且形成于所述绝缘层上的密封材料被键合(bonding)；所述绝缘层中的至少一层由有机树脂材料形成；所述显示部分的外围包括第一区域和第二区域；所述第一区域的所述绝缘层具有被保护膜覆盖的开口部分，并且所述密封材料和所述开口部分及保护膜连接而形成；所述第二区域的所述绝缘层的外边缘部分被保护膜或密封材料覆盖。
显示器件及其制作方法

[发明专利]显示器件-CN200410045160.4有效
发明人： 坂仓真之;长尾里筑子;纳光明;安西彩;山崎优;棚田好文 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2004-04-23 - 公布日： 2005-01-26 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：一种具有高清晰度的显示器件，其中由于布线中的电压降引起的显示不均匀和TFT特性差异引起的显示不均匀被抑制。本发明的显示器件包括用于传输视频信号的第一布线和用于向发光元件提供电流的第二布线。第一和第二布线彼此平行延伸，并形成为至少部分重叠绝缘层插在其间。
显示器件

[发明专利]发光器件的制造方法-CN03132892.X有效
发明人：村上智史;长尾里筑子;坂仓真之;仲泽美佐子;宫城德子;池田寿雄;土屋薰;石垣步;高桥正弘;松田宪之;大原宏树 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2003-07-25 - 公布日： 2004-02-18 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明的一个目的是减小或消除具有有机化合物的发光元件中出现的各种缺陷模式(收缩、黑斑等)。本发明通过使阻挡层111的上部或下部形成有曲率半径的曲面抑制在发光元件刚制造完成后就产生的不发光区，用多孔海绵清洗阳极110的表面以去除散布在阳极表面上的微粒，并在就要形成含有机化合物的层112前，通过进行真空加热以去除其上配有TFT和阻挡层的整个衬底表面上的吸收水，来抑制收缩出现。
发光器件制造方法

[发明专利]发光设备及其制造方法-CN02157581.9有效
发明人：山崎舜平;村上智史;坂仓真之;高山彻 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2002-11-08 - 公布日： 2003-05-21 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提高包含TFT和有机发光元件的发光设备的可靠性。该发光设备具有薄膜晶体管和发光元件，包括半导体下表面上的第一无机绝缘层，栅电极上表面上的第二无机绝缘层，第二无机绝缘层上的第一有机绝缘层，第一有机绝缘层上的第三无机绝缘层，第三无机绝缘层上遍布的布线层，第二有机绝缘层和布线层的末端重叠且具有35－45度的倾斜角，形成在第二有机绝缘层的上表面和侧表面上且在布线层上有开口的第四无机绝缘层，与布线层接触形成且具有与第四无机绝缘层相重叠的侧端，与阴极层和第四无机绝缘层接触形成且包含发光材料的有机化合物层，和包含发光材料的有机化合物层接触形成的阳极层，第三和第四无机绝缘层用氮化硅或氮化铝形成。
发光设备及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN01142745.0有效
发明人：村上智史;塚本洋介;热海知昭;坂仓真之 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2001-12-06 - 公布日： 2002-07-17 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：半导体器件制造中,用干腐蚀法在层间绝缘膜中形成接触孔时产生静电。为了防止因所产生的静电移动损坏象素区或驱动电路区。在结晶半导体膜上的栅信号线相互隔开。在层间绝缘膜中开接触孔时不电连接第1保护电路。开接触孔进行的干腐蚀过程中产生的静电到达栅信号线之前,静电沿栅信号线移动,损坏栅绝缘膜,穿过结晶半导体膜,再损坏栅绝缘膜。随着干腐蚀中产生的静电损坏第1保护电路,静电能量减小,直到失去损坏驱动电路TFT的能力为止,由此防止静电放电损坏驱动电路TFT。
半导体器件及其制造方法