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[发明专利]一种适用于N型硅片的磷扩散吸杂及清洗方法-CN202210640407.5在审
发明人：易辉;周塘华;江庆;何兴泉;谌业斌;周而立 -专利权人：湖南红太阳新能源科技有限公司
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于N型硅片的磷扩散吸杂及清洗方法，包括对N型硅片进行前清洗、双面磷扩散吸杂、链式去单面PSG、后清洗(槽式单侧绒面优化)、槽式去单面PSG、双绒面尺寸调控和塔尖圆滑处理。本发明方法，不仅能够较好地改善N型硅片质量，又能有效控制在处理过程中硅片的减薄量，有利于HJT电池硅片薄片化控制和推广，同时还能提升和调控单面表面活性磷浓度，通过形成的高低结作用，改善载流子传输，有利于提高电池效率，而且还能实现硅片两面绒面金字塔尺寸差异，满足特殊需求。本发明适用于N型硅片的磷扩散吸杂及清洗方法具有操作简单、能耗低、硅片减薄量小、吸杂效果好等优点，使用价值高，应用前景好。
一种适用于硅片扩散清洗方法

[发明专利]一种绕镀多晶硅的清洗工艺-CN202111407633.0在审
发明人：周塘华;刘贤金;易辉;江庆;周祥;刘照;何兴泉;周而立;谌业斌 -专利权人：湖南红太阳新能源科技有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种绕镀多晶硅的清洗工艺，包括以下步骤：获取存在绕镀多晶硅的硅片，采用氢氟酸溶液对硅片正面和边缘进行清洗，控制水膜流量为5mL/片～40mL/片，使得正面BSG层的减薄量为20nm～60nm，BSG层的保留厚度在40nm以上；在硅片正背面BSG层和PSG层的保护下去除硅片正面和边缘绕镀多晶硅，去除硅片正面BSG层和背面PSG层。本发明清洗工艺，既能够有效解决因多晶硅绕镀而导致的电池转换效率和良品率低的问题，又能释放LPCVD机台产能，使用价值高，应用前景好，对于降低TOPCon电池的生产成本，提升TOPCon电池的产能，提高TOPCon电池的转换效率和良品率均具有重要意义。
一种多晶清洗工艺

[实用新型]一种集成防断栅线设计的晶硅太阳能电池主栅网版图形-CN202120904547.X有效
发明人：周塘华;易辉;马刚;刘照;周而立 -专利权人：湖南红太阳新能源科技有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种集成防断栅线设计的晶硅太阳能电池主栅网版图形，所述晶硅太阳能电池主栅网版图形上具有主栅线、与主栅线平行的防断栅线。本实用新型集成防断栅线设计的晶硅太阳能电池主栅网版图形中，将防断栅线优化设计在主栅网版图形中，具有结构简单、能够减小重掺杂区面积和载流子复合、有利于激光SE产能释放等优点，是一种性价比高的晶硅太阳能电池主栅网版图形技术。在此基础上，将集成防断栅线的主栅网版图形与未设置防断栅线的副栅网版图形匹配使用，获得一个完整电极图形，同样具有常规主栅网版和副栅网版分步印刷电极图形的优点，可广泛用于晶硅PERC太阳电池的制造，使用价值高，有较好的应用前景。
一种集成防断栅线设计太阳能电池主栅网版图

[实用新型]一种PERC电池背膜激光开槽结构-CN202023166160.3有效
发明人：易辉;周塘华;刘照;左冬强;周而立 -专利权人：湖南红太阳新能源科技有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种PERC电池背膜激光开槽结构，包括硅片表面，所述硅片表面设有激光开槽区和激光非开槽区，所述激光开槽区开设有多个圆形开槽结构，所述圆形开槽结构由开槽的实线段和未开槽的虚线段间隔设置构成，所述多个圆形开槽结构按多行多列阵列分布。本实用新型具有能降低开槽面积、降低对铝浆的要求、传输效率高等优点。
一种 perc 电池激光开槽结构