“司清宇”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果4个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种靶系统及其制备方法-CN202310860822.6在审
发明人：王洁;杨一帆;王盛;胡泽鸣;吴涛;孙秋宇;司清宇 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G21K5/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种靶系统及其制备方法，包括铜基板，所述铜基板的上表面为蜂窝状结构，所述蜂窝状结构中相邻通孔之间的交界处设置有若干导流孔，各通孔内由下到上依次设置有氢扩散层、锂层及氧化缓解层，该靶的使用寿命较长，且制备方法简单。
一种系统及其制备方法

[发明专利]一种用于束窗加工的方法-CN202210929024.X在审
发明人：王洁;王盛;孙秋宇;惠行健;司清宇;刘国明;许章炼 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于束窗加工的方法，包括：1)建立约束条件，以二次电子发射系数S、表面粗糙度R、冷却性能C、热致形变D及排气口面积Pa作为优化变量X＝{S,R,C,D,P}；以束窗二次电子性能、束窗力学特性及束窗真空性能为优化目标，构建总的目标函数，以形成优化问题；2)求解所述优化问题，得最优二次电子发射系数S、表面粗糙度R、冷却性能C、热致形变D及排气口面积Pa；3)根据最优二次电子发射系数S、表面粗糙度R、冷却性能C、热致形变D及排气口面积Pa采用增材制造与激光重熔相结合制备束窗，该方法具有制造周期短、成本低、缓解材料氧化、二次电子性能及传热性能优异和工艺简单的特点。
一种用于加工方法

[发明专利]一种半导体与金属涂层的复合结构及其制备方法-CN202111131702.X有效
发明人：王洁;王盛;胡耀程;谢宇鹏;高勇;杜鑫;司清宇;孙秋宇 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C23C4/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体与金属涂层的复合结构及其制备方法，包括如下过程：在惰性氛围中，在半导体衬底表面利用激光进行刻痕处理，增加所述半导体衬底表面的粗糙度；对激光进行刻痕处理后的半导体衬底进行清洁；在经过清洁后的半导体衬底表面制备金属涂层，得到所述半导体与金属涂层的复合结构。本发明通过在半导体衬底表面利用激光进行刻痕处理，加工出刻痕，使得半导体衬底表面具有凹凸不平的结构，增加了半导体衬底表面的粗糙度，有利于金属涂层与半导体衬底表面之间形成机械咬合，提高了半导体衬底表面与金属涂层之间的结合力，从而能够使得半导体与金属涂层的复合结构在进行切割时，避免出现金属涂层脱落、焊接效果不佳的问题。
一种半导体金属涂层复合结构及其制备方法

[发明专利]一种中子源锂靶及其制备方法和车载加速器-CN202111076709.6在审
发明人：王洁;王盛;胡耀程;谢宇鹏;高勇;杜鑫;司清宇;孙秋宇 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： G21G4/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种中子源锂靶及其制备方法和车载加速器，中子源锂靶包括衬底和设置于衬底上的锂靶，锂靶包括锂样品和包覆于锂样品表面的金属膜，金属膜采用金膜、铂膜、银膜或者钯膜。本发明中金属将锂样品包覆后，这将极大防止锂样品被反应性气体腐蚀而变质，稳定性好，能够延长锂靶的使用寿命。这样在将锂靶设置于衬底上时不用担心锂样品的腐蚀问题，极大地降低了锂样品与衬底的装配难度，并且能够有效的避免如现有技术中锂样品与衬底装配时锂样品极易氧化的问题。金、铂、银或者钯薄膜在质子轰击锂靶下对中子产额和能谱分布的影响很低，保证了本发明中子源锂靶的使用性能。
一种中子源及其制备方法车载加速器