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[发明专利]采用复合模式生长半导体薄膜的方法及装置-CN201110262400.6无效
发明人： 单崇新;鞠振刚;倪佩楠;李炳辉;王双鹏;申德振 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2011-09-06 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：复合模式生长半导体薄膜的方法及装置，涉及半导体材料生长技术及设备制造领域。解决现有技术制备方法制备的薄膜结晶质量差、生产速率慢的问题。通入ALD反应前驱体A在衬底表面形成单原子层；再通入ALD反应前驱体B与ALD反应前驱体A反应，形成单层A-B薄膜；重复以上步骤形成多层的-A-B-A-B-A-B-薄膜；然后同时通入MOCVD反应前驱体A和MOCVD反应前驱体B在衬底上方发生化学反应，再与多层的-A-B-A-B-A-B-薄膜结合，获得复合模式生长的半导体薄膜。本方法有效结合两种生长方式的优点，实现两种生长模式的复合生长模式，易于大规模的工业化生产。本发明还提供了复合模式生长半导体薄膜的装置。
采用复合模式生长半导体薄膜方法装置

[发明专利]一种采用均匀进气系统的原子层沉积装置-CN201110262384.0无效
发明人： 单崇新;申赫;于吉;刘兴宇;王双鹏;李炳辉;申德振 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2011-09-06 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种采用均匀进气系统的原子层沉积装置，涉及一种原子层沉积装置。它解决现有技术中前驱体与衬底或上一原子层接触的均匀性差、反应物利用率低和材料生长周期长导致的沉积效率低问题。该装置包括反应腔室、第一前驱体容器、第二前驱体容器、辅助吹扫气体容器、第一气体供应管路、第二气体供应管路、辅助吹扫气体供应管路、均匀进气系统和腔体盖等，所述第一气体供应管路、第二气体供应管路、辅助吹扫气体供应管路分别与第一前驱体容器、第二前驱体容器、辅助吹扫气体容器相连接；所述第一气体供应管路、第二气体供应管路分别通过反应腔室的腔体盖与反应腔室内的均匀进气系统连通；所述均匀进气系统固定在腔体盖下部。该装置适合于科研和生产需要。
一种采用均匀系统原子沉积装置

[发明专利]立方相氧锌镁单晶薄膜的生长制备方法-CN201010172836.1无效
发明人：王立昆;张吉英;郑剑;单崇新;申德振;姚斌;赵东旭;李炳辉;张振中 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2010-05-17 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：立方相氧锌镁单晶薄膜的生长制备方法属于半导体光电材料制备技术领域，该方法利用LP-MOCVD方法在低温富氧条件下生长立方相MgZnO薄膜，生长条件是：选用蓝宝石和氧化镁衬底，生长室压力为2×104Pa，生长温度280-450℃；载气为99.999％氮气，MCp2Mg作为镁源，源温控制在40-50℃，其摩尔流量为18-40μmol/min；DEZn作为锌源，源温为-5℃，摩尔流量为0.45-3μmol/min；以高纯氧气作氧源，摩尔流量为0.07mol/min，使得II/VI族比例远远小于1。本发明生长制备的立方相氧锌镁单晶薄膜，结晶质量高，具有很好的重复性；薄膜的吸收边覆盖范围为200-280nm。
立方相氧锌镁单晶薄膜生长制备方法

[发明专利]一种实现高光谱选择性光电探测器的方法-CN200910205930.X无效
发明人： 单崇新;朱海;李炳辉;张吉英;申德振;范希武 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2009-10-30 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于半导体光电技术领域，涉及一种实现高光谱选择性光电探测器的方法，得到可对某一很窄范围内的光谱有响应的光电探测器。本发明采用两种或多种禁带宽度不同的半导体材料，利用禁带宽度较大的材料作为探测器的窗口层，该窗口层相当于一个滤波器，从而实现只对某一较窄光谱范围内的光有响应的探测器件。该方法适用的材料体系包括但不限于ZnO/GaN，GaN/p-ZnO/n-ZnO，GaN/ZnMgO，AlGaN/ZnO，AlGaN/ZnMgO，AlGaN/GaN，AlGaAs/GaAs，GaN/InGaN，ZnO/InGaN，ZnMgO/p-ZnO/n-ZnO，ZnMgO/p-AlGaN/n-AlGaN等等。本发明的有益效果是：该方法非常简单、便宜，并且几乎不额外增加探测器的体积。
一种实现光谱选择性光电探测器方法

[发明专利]一种实现高效电致发光和低阈值激光的新方法-CN200910207830.0无效
发明人：朱海;单崇新;张振中;李炳辉;张吉英;申德振;范希武 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2009-10-30 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体光电子材料与器件工艺技术领域，涉及一种实现高效电致发光和低阈值激光的新方法。该方法为：利用具有相同晶体结构和相似晶格常数的p型材料与n型材料，把p型材料作为n型材料的空穴源；通过能带的设计，采用介电层来调节p型材料与n型材料之间的能带结构，对载流子的输运特性进行控制，使电子在n型材料层中积累而空穴从p型材料向n型材料层注入，从而实现在n型材料中高效电致发光和低阈值的激光发射。本发明适于宽带隙II-VI族、III-V族及其它半导体材料异质结生长和器件制备，是实现半导体发光和激光器件的一种简单易行的方法；极大地扩展了制备高效率发光器件的范围，为发光器件的研究和制备开辟了新道路。
一种实现高效电致发光阈值激光新方法

[发明专利]制备太阳盲紫外探测器的方法-CN200810051098.8无效
发明人：鞠振刚;张吉英;单崇新;申德振;姚斌;赵东旭;张振中;李炳辉 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2008-08-21 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及紫外探测器的制备方法，特别是一种制备太阳盲紫外探测器的方法，采用金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制备氧锌镁膜层，在该氧锌镁膜层上再蒸镀Au膜层，用湿法刻蚀Au膜层制备出叉指形电极，所述的氧锌镁膜层是在以下工艺条件下获得的具有单一立方相的、其吸收边从220nm到260nm的MgZnO薄膜：生长温度为300℃～500℃，生长室真空度为2×10⁴Pa，载气为99.9999％高纯氮气，以二茂镁作为镁源，二乙基锌作为锌源，通过流量控制使生长室中的Zn、Mg摩尔浓度比为Zn/Mg＝0.4～1，氧气压力为2.5×10⁵Pa、流量为550ml/min。本发明方法所获得的立方相MgZnO合金薄膜，不出现分相，具有很好的重复性；其紫外/可见抑制比大于3个量级，光响应截止边在230－280nm连续可调。
制备太阳紫外探测器方法

[发明专利]硅衬底上生长II－VI族材料薄膜的方法-CN02144730.6无效
发明人： 单崇新;范希武;张吉英;张振中;王晓华;吕有明;刘益春;申德振 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2002-12-07 - 公布日： 2004-06-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明属于本发明属于半导体材料领域，涉及在半导体材料Si衬底上生长II－VI族薄膜的方法，是对II－VI族半导体薄膜生长方法的改进，本发明先在Si衬底上蒸镀一层ZnO薄膜，然后在氧气气氛下退火以得到取向较好的ZnO缓冲层，最后用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)的方法在处理过的ZnO/Si上生长II－VI族半导体材料。在Si上蒸镀ZnO，避免清除其表面的氧化层，蒸镀的ZnO层与Si表面的SiO_x有较好的浸润性，得到二维层状生长。另外，经过退火处理的ZnO既可缓解由于Si与外延层之间由于晶格常数和热膨胀系数差异导致的晶格应力和热应力，还为得到取向较好的外延层提供了条件，将减少由于热应力导致的缺陷。
衬底生长 ii vi 材料薄膜方法

[发明专利]一种适于宽带半导体硫(硒)化锌－锰薄膜的生长方法-CN01116433.6无效
发明人：张吉英;单崇新;张振中;申德振;吕有明 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2001-04-12 - 公布日： 2002-11-13 - 主分类号： H01L21/365 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料技术领域,涉及一种对薄膜电致发光器件中发光薄膜制备方法的改进。用金属有机化学气相沉积(MOCVD)和低压下由高频感应产生等离子体使气体有机源分解,从而实现低温硫(硒)化锌－锰Zn(Se)SMn薄膜生长。本发明的薄膜生长可在不同衬底上进行,且均可实现高亮度桔黄色光致发光和电致发光,发光波长位于580－600nm。本发明的制备方法适于宽带II－VI族半导体光电材料的生长制备。
一种适于宽带半导体化锌薄膜生长方法

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