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[发明专利]硅晶片清洁方法和硅晶片清洁装置-CN201180055008.2有效
发明人：中马高明;川胜孝博;北见胜信;森田博志 -专利权人：栗田工业株式会社
申请日： 2011-11-11 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：将通过清洗液清洗过的硅晶片用碳酸水进行漂洗。根据该硅晶片清洁方法，不存在通过漂洗处理发生静电而发生静电破坏的情形、或者在清洗后的硅晶片表面上通过静电附着垃圾的情形，能够防止硅晶片附着漂洗处理时的金属杂质，并且，能够进行使用在考虑到成本的同时进而没有产生残渣的顾虑的干净的漂洗液的漂洗处理。
晶片清洁方法装置

[发明专利]离子交换装置及其塔体以及水处理装置-CN201080042085.X在审
发明人：岩崎守;石塚谕;竹山一;宫崎洋一;福井长雄;北见胜信 -专利权人：栗田工业株式会社
申请日： 2010-09-17 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C02F1/42 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种离子交换装置与供其所用的塔体，其能够确实防止在塔内部的阴离子交换树脂与阳离子交换树脂的逆再生，在再生之后立即进行也可以生产高品质的脱离子水。本发明的解决方案是，在再生时，关闭阀(12)，打开阀(7、10)，由上部给排配管(3)供给HCl等酸溶液，并且，由第三连通配管(8)供给NaOH等碱溶液。酸溶液，按顺序流过集配水构件(4)、非活性树脂(22)、阳离子交换树脂(21)、集配水构件(6)、连通配管(5)、阀(7)，使阳离子交换树脂(21)再生。碱溶液，按顺序流过集配水构件(9)、非活性树脂(32)、阴离子交换树脂(31)、集配水构件(14)、下部给排配管(13)，使阴离子交换树脂(31)再生。
离子交换装置及其以及水处理