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[发明专利]用于替换栅极流程的内部L间隔件-CN201910718825.X有效
发明人： 切特·弗农·伦诺克斯;森秋·宋;布赖恩·K·柯克帕特里克 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本申请案涉及用于替换栅极流程的内部L间隔件。通过移除牺牲栅极电介质层(110)及牺牲栅极(112)以形成栅极腔(128)而形成集成电路(100)。在所述栅极腔(128)中形成保形电介质第一衬里(132)且在所述第一衬里(132)上形成保形第二衬里(134)。第一蚀刻从所述栅极腔(128)的底部移除所述第二衬里(134)，而留下在所述栅极腔(128)的侧壁(114)上的所述第二衬里(134)的材料。第二蚀刻从所述栅极腔(128)的所述底部移除由所述第二衬里(134)暴露的所述第一衬里(132)，而留下在所述栅极腔(128)的所述底部上在所述栅极腔(128)的所述侧壁(114)上的所述第二衬里(134)下方的所述第一衬里(132)的材料。第三蚀刻从所述栅极腔(128)移除所述第二衬里(134)，而留下在所述栅极腔(128)中的所述第一衬里(132)的L形间隔件(148)。在所述栅极腔(128)中形成永久栅极电介质层(156)及替换栅极(160)。
用于替换栅极流程内部间隔

[发明专利]用于替换栅极流程的内部L间隔件-CN201410458219.6有效
发明人： 切特·弗农·伦诺克斯;森秋·宋;布赖恩·K·柯克帕特里克 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本申请案涉及用于替换栅极流程的内部L间隔件。通过移除牺牲栅极电介质层(110)及牺牲栅极(112)以形成栅极腔(128)而形成集成电路(100)。在所述栅极腔(128)中形成保形电介质第一衬里(132)且在所述第一衬里(132)上形成保形第二衬里(134)。第一蚀刻从所述栅极腔(128)的底部移除所述第二衬里(134)，而留下在所述栅极腔(128)的侧壁(114)上的所述第二衬里(134)的材料。第二蚀刻从所述栅极腔(128)的所述底部移除由所述第二衬里(134)暴露的所述第一衬里(132)，而留下在所述栅极腔(128)的所述底部上在所述栅极腔(128)的所述侧壁(114)上的所述第二衬里(134)下方的所述第一衬里(132)的材料。第三蚀刻从所述栅极腔(128)移除所述第二衬里(134)，而留下在所述栅极腔(128)中的所述第一衬里(132)的L形间隔件(148)。在所述栅极腔(128)中形成永久栅极电介质层(156)及替换栅极(160)。
用于替换栅极流程内部间隔