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[发明专利]针对包括顶部冷却功率半导体开关器件的功率级的热管理方案-CN202310262431.4在审
发明人： 侯若宇;卢俊诚 -专利权人： GAN系统公司
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：一种用于改善顶部冷却半导体功率开关器件(例如，嵌入式管芯封装中的高电压、高电流横向GaN功率晶体管)的散热和EMC的功率级组件。功率开关器件安装在PCB基板上，其中，每个器件封装的底侧和PCB之间存在电连接件。每个器件封装具有在顶侧上的导热垫。散热器被固定为与每个器件的导热垫热接触，并且散热片与散热器热接触。散热器是多层结构，该多层结构包括：与散热片接触的导热金属基板层；提供EMC层的传导层，该EMC层连接到电源地；限定大面积导热垫的传导层，该大面积导热垫与每个管芯的导热垫热接触；以及使散热器的传导层电隔离的介电材料。
针对包括顶部冷却功率半导体开关器件管理方案

[发明专利]用于包括底部冷却式半导体功率开关器件的功率级组件的基板-CN202310012400.3在审
发明人：卢俊诚;侯若宇;迪克森·安德鲁 -专利权人： GAN系统公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：一种用于功率级组件的多区基板，该功率级组件包括至少一个底部冷却式半导体功率开关器件、和驱动器元件，该多区基板用于集成在公共基板上。第一区提供用于安装至少一个底部冷却式半导体开关器件的电气连接部和热焊盘，该第一区包括电介质层和传导层，用于提供针对热性能进行优化的功率基板。第二区提供用于安装驱动器元件的电气连接部，该第二区包括电介质层和传导层，该电介质层和传导层提供针对电气性能进行优化的驱动器基板。例如，该第一区包括具有第一热阻的单层金属互连结构，该第二区包括具有第二热阻的多层金属互连结构，该第一热阻小于该第二热阻。该功率级组件可包括多区基板，该多区基板被配置用于单开关、半桥或全桥开关拓扑结构。
用于包括底部冷却半导体功率开关器件组件