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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]构造物、滑动构件、连接器、以及构造物的制造方法-CN202180067070.7在审
发明人： 佐藤一臣;徳永和大;让原靖弘;小坂眞由美;弓削亮太 -专利权人：日本航空电子工业株式会社
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： F16C33/24 文献下载
摘要：本发明的目的为：提供一种具有优异耐摩损性并且可以将接触电阻长时间维持为低位的表面(滑动面)的构造物、滑动构件及连接器、以及所述构造物的制造方法。上述课题是通过在金属的至少一部分的表面上具有配置纳米碳材料的构造的构造物、具有所述构造的滑动构件及连接器、以及所述构造物的制造方法而解决。在所述构造物中，优选为：在金属的至少一部分的表面上配置包含所述纳米碳材料以及有机化合物的被膜，所述有机化合物至少具有对所述金属具有亲和性的第1官能基以及对所述纳米碳材料具有亲和性的第2官能基。
构造滑动构件连接器以及制造方法

[发明专利]多晶硅-CN201610890923.8有效
发明人：船崎和则;佐藤一臣;宫尾秀一 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2013-06-13 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅。具体地，本发明提供通过使用含碳杂质的浓度低的原料气体来实现多晶硅的进一步高纯度化的技术。首先，准备三氯硅烷作为样品(S101)，利用GC/MS‑SIM法分析其含碳杂质量(S102)。基于分析结果判定合格与否(S103)，判定为合格品的情况下(S103：是)，将其作为基于CVD法的高纯度多晶硅的制造用原料(104)。另一方面，判定为不合格品的情况下(S103：否)，则不作为多晶硅的制造用原料。基于GC/MS‑SIM法的杂质分析如果使用串联连接非极性柱和中等极性柱而得到的柱作为分离柱，则能够同时进行氯硅烷类与烃类的分离以及氯硅烷类与甲基硅烷类的分离。
多晶

[发明专利]压接端子及连接器-CN201611119166.0有效
发明人：田中大介;大川乔;小出清人;秋元比吕志;寺本隆一;佐藤一臣;横滨宏树;藤堂展久 -专利权人：日本航空电子工业株式会社
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01R4/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种压接端子，其具有压接在电缆芯线上的压接筒。压接筒具有内表面，内表面形成有多个相互彼此独立的腔。在压接筒被压接到芯线上之前，每个腔在与深度方向正交的平面内具有设定形状。设定形状具有至少两个直线部和连接直线部的凹状曲线部。凹状曲线部向设定形状内缩进。彼此靠近并包含在彼此不同的设定形状中的多个凹状曲线部被设置在相同的虚拟圆或圆角矩形上。
端子连接器

[发明专利]连接器-CN201510301083.2有效
发明人：津川小依;佐藤一臣 -专利权人：日本航空电子工业株式会社
申请日： 2015-06-04 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01R13/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有低接触电阻的触头的连接器，可与匹配连接器配合，该匹配连接器包括具有匹配接触点的匹配触头。该连接器包括触头和支撑该触头的支撑构件。该触头具有接触部。当该连接器与该匹配连接器彼此配合时，该匹配接触点在该接触部上滑动并与该接触部接触。该接触部具有作为其最外层的第一镀层和位于该第一镀层下面的第二镀层。该第一镀层由银或银合金制成，并具有不大于90Hv的维氏硬度。该第二镀层由银或银合金制成，并具有不小于100Hv的维氏硬度。
连接器

[发明专利]连接器对-CN201510043558.2有效
发明人： 佐藤一臣;津川小依 -专利权人：日本航空电子工业株式会社
申请日： 2015-01-28 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： H01R13/03 文献下载
摘要：本发明公开一种连接器对，该连接器对包括能够彼此配合的第一连接器和第二连接器。第一连接器包括具有第一接触部分的第一接触件，所述第一接触部分具有由银或银合金制成的第一镀层。第二连接器包括具有第二接触部分的第二接触件，所述第二接触部分具有由银或银合金制成的第二镀层。第二接触部分具有接触起点和接触终点。第二镀层具有不小于120Hv但不大于180Hv的维氏硬度。第二镀层的维氏硬度大于第一镀层的维氏硬度。当第一连接器和第二连接器彼此配合时，第一接触部分在第二接触部分上从接触起点滑动到接触终点。
连接器

[发明专利]高纯度多晶硅的制造方法-CN201380031327.9有效
发明人：船崎和则;佐藤一臣;宫尾秀一 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2013-06-13 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明提供通过使用含碳杂质的浓度低的原料气体来实现多晶硅的进一步高纯度化的技术。首先，准备三氯硅烷作为样品(S101)，利用GC/MS‑SIM法分析其含碳杂质量(S102)。基于分析结果判定合格与否(S103)，判定为合格品的情况下(S103：是)，将其作为基于CVD法的高纯度多晶硅的制造用原料(104)。另一方面，判定为不合格品的情况下(S103：否)，则不作为多晶硅的制造用原料。基于GC/MS‑SIM法的杂质分析如果使用串联连接非极性柱和中等极性柱而得到的柱作为分离柱，则能够同时进行氯硅烷类与烃类的分离以及氯硅烷类与甲基硅烷类的分离。
纯度多晶制造方法

[发明专利]压接端子和连接器-CN201410708827.8有效
发明人：藤堂展久;寺本隆一;横滨宏树;佐藤一臣;秋元比吕志;小出清人;大川乔;大野晃 -专利权人：日本航空电子工业株式会社
申请日： 2014-11-28 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01R13/02 文献下载
摘要：本发明公开一种压接端子，所述压接端子包括待要绕着线缆的导电线芯压接的压接管。压接管包括形成有彼此独立的多个腔的内表面。每个腔在垂直于腔的深度方向的平面中具有预定形状。预定形状包括多条直线段。预定形状的每一条直线段不平行于预定形状的剩余各条直线段。预定形状的直线段包括在预定形状的直线段之中彼此最靠近并且被布置成形成小于90度的内角或如果不彼此相交则分别被布置在形成小于90度的内角的两条直线上的至少一对直线段。
端子连接器

[发明专利]带有具有引导配套连接器插入和移除功能的壳体的连接器-CN200610139809.8有效
发明人：户田健太郎;田中幸贵;町原大介;木下裕章;佐藤一臣;铃木敬一郎 -专利权人：日本航空电子工业株式会社
申请日： 2006-09-21 - 公布日： 2007-06-20 - 主分类号： H01R13/46 文献下载
摘要：在一种包括接触件和保持所述接触件的罩体的连接器中，壳体与所述罩体连结。所述罩体具有跟配套连接器在第一方向上连结的连结部分。所述接触件具有设置在所述连结部分内的接触部分。所述壳体包括：开口边缘，所述开口边缘限定了面向所述连结部分的开口；以及引导部分，所述引导部分被设置在所述连结部分内，以引导所述配套连接器在第一方向上的运动。
带有具有引导配套连接器插入功能壳体

[发明专利]能够减小翘曲的连接器-CN200510074081.0有效
发明人：宫本邦一;佐藤一臣;茨木和昭;樋口真佐央;内藤丈晴 -专利权人：日本航空电子工业株式会社
申请日： 2005-05-31 - 公布日： 2005-12-07 - 主分类号： H01R13/629 文献下载
摘要：在用于连接互相相对的第一和第二连接物体的连接器(1)中，导电接触件(11)包括：保持部分(13)，该保持部分由绝缘体(21)保持；第一弹簧部分(15)；和与第一弹簧部分连接的第二弹簧部分(17)。第一弹簧部分从保持部分沿着一个方向延伸，并具有将要连接到第一连接物体的第一接触部分。第二弹簧沿着与所述一个方向相反的方向延伸，并具有自由端，在该自由端设置有将被连接到第二连接物体的第二接触部分。
能够减小连接器

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