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[实用新型]衬底处理系统、用于衬底处理系统的喷头和喷头组件-CN202220965345.0有效
发明人： 伊莱·乔恩;丹尼尔·博特赖特;菲利普·陈;德博托什·波德达尔;凯尔·瓦特·哈特;道格拉斯·沃尔特·阿格纽;卡什亚普·苏布拉马尼亚 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：公开了一种衬底处理系统和用于衬底处理系统的喷头和喷头组件，该喷头组件包括喷头，该喷头具有上部，该上部包括沿第一方向延伸并在第二方向上具有第一宽度的气体通道。下部连接到上部并且包括面板和挡板，该面板包括沿第一方向竖直延伸穿过面板的多个气体通孔，该挡板布置在面板上方和气体通道的出口下方的多个支柱上。气体增压室被限定在上部和下部之间，沿第二方向延伸，并与气体通道流体连通。喷头组件包括背侧气体系统，以将气体供应到由布置在喷头的上部周围的波纹管限定的波纹管容积。在喷头的外表面上供应第一和第二环形气流。
衬底处理系统用于喷头组件

[发明专利]承载环结构及包含该承载环结构的室系统-CN201510929329.0有效
发明人： 伊莱·乔恩;尼克·拉伊·小林百格;西丽斯·雷迪;爱丽丝·霍利斯特;隆格蒂瓦·梅塔帕浓 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2015-12-14 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明涉及承载环结构及包含该承载环结构的室系统，提供了用在被实施用于沉积膜的室中的承载环以及使用该承载环的室。承载环具有环形盘形状，具有外边缘侧和晶片边缘侧。承载环具有在外边缘侧和晶片边缘侧之间延伸的承载环上表面。晶片边缘侧包括低于承载环上表面的较低的承载环表面。晶片边缘侧还包括多个接触支撑结构。每个接触支撑结构位于较低的承载环表面的边缘且具有介于较低的承载环表面和承载环上表面之间的高度，且接触支撑结构具有渐变的边缘和拐角。台阶被限定在承载环上表面和较低的承载环表面之间。顶面边缘和较低的内边缘中的每一个具有圆的不锐利的边缘且接触支撑结构中的每一个的顶部被配置用于与晶片的下边缘表面接触。
承载结构包含系统

[发明专利]承载环-CN201810305471.1在审
发明人： 伊莱·乔恩;尼克·拉伊·小林百格;西丽斯·雷迪;爱丽丝·霍利斯特;隆格蒂瓦·梅塔帕浓 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2015-12-14 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明涉及承载环，提供了用在被实施用于沉积膜的室中的承载环。承载环具有环形盘形状，具有外边缘侧和晶片边缘侧。承载环具有在外边缘侧和晶片边缘侧之间延伸的顶侧。晶片边缘侧包括低于承载环上表面的较低的承载环表面。晶片边缘侧还包括多个接触支撑结构。每个接触支撑结构位于较低的承载环表面的边缘且具有在较低的承载环表面上方延伸并且低于所述承载环上表面之间的高度，且接触支撑结构具有渐变的边缘和拐角。台阶被限定在承载环上表面和较低的承载环表面之间。所述接触支撑结构中的每一个的顶部被配置用于与晶片的下边缘表面接触以抬升和降低以及移动所述晶片。
承载环晶片边缘支撑结构上表面外边缘晶片环形盘形状下边缘表面拐角沉积膜渐变延伸顶侧抬升配置移动