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[发明专利]一种CSTBT的制造方法-CN201310745619.0无效
发明人：李泽宏;宋文龙;邹有彪;宋洵奕;吴明进;张金平;任敏 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种CSTBT的制造方法。本发明的CSTBT的制造方法的基本工艺先是在P+单晶硅片衬底上依次外延生长N型场截止区2、N-漂移区3；形成正面槽栅MOS工艺后，进行背面减薄；然后主要技术方案是通过硅片背面H+的选择性注入、低温退火，激活与氢相关的施主，形成位于Pbody基区底部的N型CS层。最后加以背面金属化等工艺，形成CSTBT的完整结构。本发明的有益效果为，降低了制造工艺难度，减少了制造成本。本发明尤其适用于CSTBT的制造方法。
一种 cstbt 制造方法

[实用新型]一种连续式染带机设备同步系统-CN201320539656.1有效
发明人：任敏;楼显祖 -专利权人：任敏
申请日： 2013-08-30 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H02P5/74 文献下载
摘要：实用新型公开了一种连续式染带机设备同步系统，包括与电机一一对应设置的变频器，变频器用于控制对应电机的运行状态，变频器均通过通信接口连接到上位机，上位机用于计算电机运行参数目标值所对应的目标电参数，并输出到变频器，上位机还用于比较基准电机对应变频器和从动电机对应变频器的电参数采样值，修正输出到与从动电机连接的变频器的电参数值，调节从动电机的运行参数使其与基准电机的转速一致，该实用新型通过变频器来调节电机的运行参数，机构简单，可以显著减少故障频率，可靠保障连续式染带机的各个设备同步运行。
一种连续式染带机设备同步系统

[实用新型]一种染带机传动机构-CN201320504850.6有效
发明人：任敏;楼显祖 -专利权人：任敏
申请日： 2013-08-19 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： D06B3/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种染带机传动机构，包括至少两个端面齿轮和与所述端面齿轮相啮合的传动齿轮，所述端面齿轮设置在辊筒的同一侧端面上，驱动电机与所述传动齿轮同轴连接或与所述端面齿轮通过链条、链轮配合连接，该实用新型通过传动齿轮与端面齿轮配合，将驱动电机的动能传递至各个辊筒，驱动辊筒组同步转动，杜绝了链轮和链条的大量使用，显著提高了传动的稳定性和精确度，同时也减少了传动机构的保养工作量。
一种染带机传动机构

[实用新型]用于连续式染带机的高压静电等离子油烟净化器-CN201320357420.6有效
发明人：任敏;楼显祖 -专利权人：任敏
申请日： 2013-06-20 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： B01D50/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于连续式染带机的高压静电等离子油烟净化器，包括进烟口、出烟口、前置均流板、粗滤网、等离子电场、后置均流板，所述前置均流板、粗滤网、等离子电场、后置均流板依次设置在油烟净化器的进烟口、出烟口之间，前置均流板均匀分布有通孔，粗滤网由若干金属过滤网组成，等离子电场为抽屉形，均匀分布有若干电场极板，等离子电场内安装有高频高压静电发生器，内壁设有集油板。本实用新型公开的一种用于连续式染带机的高压静电等离子油烟净化器，对含油烟气具有吸附净化作用，对油烟气中的非甲烷总烃等有毒有害废气具有很强的降解净化功能，同时净化的热量继续用于循环使用，减少热能排放，且起到节能降耗的作用。
用于连续式染带机高压静电等离子油烟净化器

[发明专利]一种超结功率器件及其制造方法-CN201310420420.0有效
发明人：任敏;李果;宋询奕;顾鸿鸣;吴明进;张鹏;曾智;李泽宏;张金平;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-09-16 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体器件技术，具体的说是涉及一种超结结构的横向功率器件及其制造方法。本发明的一种超结功率器件，其特征在于，在第二导电类型半导体漂移区4和第一导电类型半导体体区9上设置有凹槽，所述厚氧化层12覆盖设置在第二导电类型半导体漂移区4的上表面，所述薄栅氧化层13覆盖设置在第一导电类型半导体体区9的上表面，所述栅电极2覆盖设置在厚氧化层12和薄栅氧化层13的上表面。本发明的有益效果为，增大了漂移区4表面的积累层通道面积，可以达到更低的正向导通电阻。本发明尤其适用于超结结构的横向功率器件。
一种功率器件及其制造方法

[发明专利]具有空穴复合层的IGBT终端结构及其制备方法-CN201310422648.3有效
发明人：李泽宏;宋文龙;邹有彪;顾鸿鸣;吴明进;张金平;任敏 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-09-17 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：具有空穴复合层的IGBT终端结构及其制备方法，属于功率半导体器件技术领域。所述IGBT终端结构是在常规IGBT终端结构的P型等位环中引入空穴复合层（由注入到P型等位环内的碳离子和氧离子经400～550℃温度条件下的退火处理所形成）。空穴复合层的引入可有效降低等位环处的空穴电流密度，减弱器件关断时的电流集中现象，抑制动态雪崩击穿和热击穿，提高IGBT器件的可靠性。由于空穴复合层的引入仅在器件终端的等位环内部，器件正向导通时漂移区的电导调制效应不受影响，因此正向导通压降不会改变。所述制备方法只要增加一张掩膜版进行碳、氧的离子注入，不会增加过多的附加成本。
具有空穴复合 igbt 终端结构及其制备方法

[发明专利]一种低电容JFET器件及其制造方法-CN201310421627.X有效
发明人：李泽宏;邹有彪;宋文龙;顾鸿鸣;吴明进;张金平;任敏 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-09-16 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种低电容JFET器件及其制造方法。本发明所述的低电容JFET器件，包括p型半导体材料衬底、覆盖于衬底表面的n型外延层、外延层中的第一p区及第二p区、外延层中的第一n型半导体区、第二n型半导体区与第二p区之间的氧化层介质槽以及器件表面的金属栅电极、源电极、漏电极。本发明的有益效果为，可以明显降低JFET器件的输入电容从而提升探测器的灵敏度，同时还可以降低JFET器件的泄漏电流。本发明尤其适用于低电容JFET器件。
一种电容 jfet 器件及其制造方法

[发明专利]一种功率半导体器件及其制造方法-CN201310422706.2有效
发明人：张金平;顾鸿鸣;单亚东;邹有彪;刘竞秀;李泽宏;任敏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-09-17 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及电子技术，具体的说是涉及一种电导调制型功率半导体器件及其制造方法。本发明的功率半导体器件，在器件终端n型缓冲层与p型集电区之间引入了一层氧化层，所述氧化层将终端区域n型缓冲层与p型集电区完全隔离，可以显著降低终端区域的空穴注入效率，抑制关断过程中终端等位环处的电流集中效应，降低等位环附近的温度，抑制器件终端的热击穿和动态雪崩击穿，改善器件的关断特性，提高可靠性。本发明尤其适用于功率半导体器件。
一种功率半导体器件及其制造方法

[实用新型]一种算法实现的地形实时监测系统-CN201320427017.6有效
发明人：陈达明;任敏;方潇;沈洋 -专利权人：湖南百博电子科技有限公司
申请日： 2013-07-18 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： G01C7/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种算法实现的地形实时监测系统，包括上位机、USB接口、USB插座、USB接口电路、单片机、扩展地址接口电路、随机存取存储器、地形数据采集器，所述上位机上有USB接口，所述USB接口与USB插座连接，所述USB插座连接在USB接口电路上，所述USB接口电路与单片机双向导通，所述单片机上连接有扩展地址接口电路和地形数据采集器，所述扩展地址接口电路连接随机存取存储器，所述地形数据采集器也与USB插座连接。该地形实时监测系统检测准确，实效性和时效性强，运算速度快，模块化可直接从实验平台作为产品插入其他系统，适用范围广。
一种算法实现地形实时监测系统

[发明专利]信道质量信息的测量、测量资源配置方法及装置-CN201210169125.8在审
发明人：郭森宝;孙云锋;任敏;张晨晨 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2012-05-28 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H04W24/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种信道质量信息的测量、测量资源配置方法及装置，其中，配置方法包括：基站按照至少如下方式之一确定用于排除测量资源中部分资源的资源信息，其中，测量资源用于终端进行CQI的测量；基站对于不同的CSI-RS分别配置公共参考信号CRS在一个资源块中的资源信息；基站配置多套CRS在一个资源块中的资源信息；按照检测获取的CRS配置所对应的一个资源块中的资源信息；基站设置一套CRS资源信息；基站确定CRS资源占用资源的资源信息；基站确定CRS占用的OFDM符号的资源信息；基站配置的多套MBSFN子帧配置的资源信息等资源信息；基站将资源信息通知给终端。通过本发明，提高了信道质量信息的测量准确率。
信道质量信息测量资源配置方法装置

[发明专利]一种连续式染带机设备同步系统-CN201310389182.1无效
发明人：任敏;楼显祖 -专利权人：任敏
申请日： 2013-08-30 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H02P5/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种连续式染带机设备同步系统，包括与电机一一对应设置的变频器，变频器用于控制对应电机的运行状态，变频器均通过通信接口连接到上位机，上位机用于计算电机运行参数目标值所对应的目标电参数，并输出到变频器，上位机还用于比较基准电机对应变频器和从动电机对应变频器的电参数采样值，修正输出到与从动电机连接的变频器的电参数值，调节从动电机的运行参数使其与基准电机的转速一致，该发明通过变频器来调节电机的运行参数，机构简单，可以显著减少故障频率，可靠保障连续式染带机的各个设备同步运行。
一种连续式染带机设备同步系统

[发明专利]一种集成肖特基二极管的槽栅VDMOS器件-CN201310350487.1有效
发明人：任敏;宋洵奕;吴明进;杨文韬;单亚东;顾鸿鸣;宋文龙;李泽宏;张金平;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-08-13 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种集成肖特基二极管的槽栅VDMOS器件，属于半导体器件技术领域。本发明在常规槽栅VDMOS器件槽栅结构两侧的漂移区中分别增加一个有肖特基结金属和体电极导电材料构成的附加结构；其中肖特基结金属上与源极金属接触，下与体电极导电材料接触，其余下表面和侧面部分与漂移区相接触形成肖特基结；体电极导电材料的侧面和底面与漂移区之间隔着一层介质层。本发明与具有相同尺寸的传统槽栅VDMOS器件相比可以在相同的击穿电压下，采用更高的漂移区掺杂浓度，因而导通电阻有明显的降低，同时二极管反向恢复特性有明显的改善。
一种集成肖特基二极管 vdmos 器件

[发明专利]一种染带机传动机构-CN201310365994.2有效
发明人：任敏;楼显祖 -专利权人：任敏
申请日： 2013-08-19 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： D06B3/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种染带机传动机构，包括至少两个端面齿轮和与所述端面齿轮相啮合的传动齿轮，所述端面齿轮设置在辊筒的同一侧端面上，驱动电机与所述传动齿轮同轴连接或与所述端面齿轮通过链条、链轮配合连接，该发明通过传动齿轮与端面齿轮配合，将驱动电机的动能传递至各个辊筒，驱动辊筒组同步转动，杜绝了链轮和链条的大量使用，显著提高了传动的稳定性和精确度，同时也减少了传动机构的保养工作量。
一种染带机传动机构

[发明专利]一种基于双向晶闸管的浪涌保护电路及其制造方法-CN201310284264.X有效
发明人：李泽宏;邹有彪;刘建;顾鸿鸣;宋文龙;任敏;张金平 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-07-08 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及电子电路及半导体技术，具体的说是涉及一种基于双向晶闸管的浪涌保护电路。本发明所述的一种基于双向晶闸管的浪涌保护电路，其特征在于，包括双向晶闸管、NPN型三极管和PNP型三极管，所述NPN型三极管的发射极和双向晶闸管的P型门连接、基极引出第一电极，所述PNP型三极管的发射极和双向晶闸管的N型门连接、基极引出第二电极，所述双向晶闸管的一端引出第三电极、另一端与NPN型三极管的集电极和PNP型三极管的集电极均接地。本发明的有益效果为，可以实现对单线路的双向可编程浪涌保护，同时可极大的减小芯片面积，从而降低生产成本。本发明尤其适用于浪涌保护电路。
一种基于双向晶闸管浪涌保护电路及其制造方法

[发明专利]具有变组分混合晶体发射区的抗闩锁IGBT-CN201310289169.9有效
发明人：任敏;宋询奕;李果;杨珏林;张鹏;吴明进;顾鸿鸣;李泽宏;张金平;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-07-10 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：具有变组分混合晶体发射区的抗闩锁IGBT，属于功率半导体器件技术领域。本发明基于常规IGBT结构，通过将发射区的纯硅材料变为组分渐变的混合晶体，形成禁带宽度缓变的发射区能带结构。该能带结构在不降低发射区与基区所形成PN结的内建电势的前提下，在发射区内形成发射区少子的加速电场，从而使发射区的少子扩散电流密度增加，基区向发射区的注入增强；而另一方面，发射区向基区的注入保持不变。因此，发射区、基区和漂移区构成的寄生晶体管的发射结注入效率降低，电流放大系数降低，使IGBT中的寄生晶闸管更难达到闩锁条件，这就提高了IGBT的临界闩锁电流，增加了IGBT的安全工作区，提高了IGBT的可靠性。
有变组分混合晶体发射抗闩锁 igbt