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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种电源驱动装置、方法及设备-CN202111054336.2有效
发明人：方雨;代小伍;陈银茂 -专利权人：武汉市聚芯微电子有限责任公司
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种电源驱动装置、方法及设备；所述装置包括：线性变换器和第一电压处理电路；线性变换器，用于将输入信号进行线性放大，得到第一电压信号；第一电压处理电路，用于在所述第一电压信号小于第二电压信号的情况下，输出的第一目标输出信号为所述第二电压信号；所述第一电压处理电路，还用于在所述第一电压信号大于或等于所述第二电压信号，且小于第三电压信号的情况下，输出的第一目标输出信号为所述第一电压信号，所述第三电压信号大于所述第二电压信号；所述第一电压处理电路，还用于在所述第一电压信号大于或等于所述第三电压信号的情况下，输出的第一目标输出信号为所述第三电压信号，在避免功耗浪费的情况下，保证输出的稳定性。
一种电源驱动装置方法设备

[发明专利]具有精确电流导引发生器的模拟信号软开关控制电路-CN201610965176.X有效
发明人：陈敏;刘文;李红霞;代小伍 -专利权人：意法半导体研发(深圳)有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H03K17/785 文献下载
摘要：本发明涉及具有精确电流导引发生器的模拟信号软开关控制电路。公开了一种开关电路，包括具有用于接收第一输入信号的输入端、输出端、和用于接收增加的模拟电流的电源端子的第一输入级，具有用于接收第二输入信号的输入端、输出端、和用于接收减小的模拟电流的电源端子的第二输入级，以及耦合到第一输入级和第二输入级的输出端以便提供开关输出信号的输出节点。输出级耦合在第一和第二输入级与输出节点之间。第一和第二输入级是运算放大器。
具有精确电流导引发生器模拟信号开关控制电路

[发明专利]具有精确电流导引发生器的模拟信号软开关控制电路-CN201110461895.5有效
发明人：陈敏;刘文;李红霞;代小伍 -专利权人：意法半导体研发(深圳)有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H03K17/785 文献下载
摘要：本发明涉及具有精确电流导引发生器的模拟信号软开关控制电路。公开了一种开关电路，包括具有用于接收第一输入信号的输入端、输出端、和用于接收增加的模拟电流的电源端子的第一输入级，具有用于接收第二输入信号的输入端、输出端、和用于接收减小的模拟电流的电源端子的第二输入级，以及耦合到第一输入级和第二输入级的输出端以便提供开关输出信号的输出节点。输出级耦合在第一和第二输入级与输出节点之间。第一和第二输入级是运算放大器。
具有精确电流导引发生器模拟信号开关控制电路

[实用新型]开关电路-CN201120578260.9有效
发明人：陈敏;刘文;李红霞;代小伍 -专利权人：意法半导体研发(深圳)有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H03K17/13 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种开关电路，包括具有用于接收第一输入信号的输入端、输出端、和用于接收增加的模拟电流的电源端子的第一输入级，具有用于接收第二输入信号的输入端、输出端、和用于接收减小的模拟电流的电源端子的第二输入级，以及耦合到第一输入级和第二输入级的输出端以便提供开关输出信号的输出节点。输出级耦合在第一和第二输入级与输出节点之间。第一和第二输入级是运算放大器。
开关电路

[发明专利]一种制备悬挂可变电容的工艺方法-CN200710168685.0无效
发明人：雷鑑铭;代小伍;张涛;邹雪城;邹志革 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2007-12-07 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备悬挂可变电容的工艺方法，步骤包括：(1)利用标准CMOS工艺制备金属－电介质－金属结构；(2)在上极板上的钝化层中刻蚀窗口，其中，窗口边缘线相对上极板的电容部分的边缘外扩1um～2um；(3)对上极板进行悬挂处理，将已开窗口范围内的两极板间两层电介质，和下极板与衬底间电介质腐蚀掉；(4)进行干燥防粘处理。本发明具有低寄生电容电阻和宽调节范围高品质因数，所采用的悬挂结构能减小衬底涡漩电流及串联电阻来提高品质因数，减小寄生电容增加调制范围和线性度。基于体硅互补金属氧化物半导体工艺，无需额外掩模板，后期处理引入微机电系统悬挂工艺，制作成本低，成品率高。
一种制备悬挂可变电容工艺方法

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