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[发明专利]一种从废Sr-90放射源中分离制备90-CN202310421155.1在审
发明人：贾少青;王念;焦华洁;付轲新;巴伟伟;梁艳;任晓园;高岩 -专利权人：原子高科股份有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G21F9/00 文献下载
摘要：本发明涉及90Y核素分离技术领域，具体涉及一种从废Sr‑90放射源中分离制备90Y核素的方法。该方法包括前处理工序和分离工序，所述前处理工序依次进行下列步骤：1)将废Sr‑90放射源中的90Sr用王水浸出，得浸出液；2)加热浸出液，以去除其中NO2；3)向浸出液中加入铁进行反应；4)调节浸出液的pH至12‑14，通过过滤或离心，得到清液；5)调节清液的pH至4‑7，静置14天以上，得到90Sr/90Y溶液。本发明以废Sr‑90放射源为原料，通过溶解除杂后得到所需的Sr‑90原料，为放射性废物再利用、生产90Y核素提供了新的方法，后续采用简单的沉淀法，即可分离出纯度99.8％以上的90Y核素。
一种 sr 90 放射源分离制备 base sup

[发明专利]一种γ仪表刻度源及其制备方法-CN202310360630.9在审
发明人：刘明阳;任春侠;付轲新;焦华洁;陈伊婷;李翔;高岩;王巍 -专利权人：原子高科股份有限公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G01T7/00 文献下载
摘要：本发明涉及精密器件技术领域，具体为一种γ仪表刻度源及其制备方法。该γ仪表刻度源包括源芯和用于封装所述源芯的封装元件；所述源芯为包含氧化铝和纳米二氧化钛的压片，且吸附有γ放射性核素。本发明通过将氧化铝和纳米二氧化钛混合压制，制得强度和吸附性均满足源芯吸附片要求的压片，无需高温烧结，且厚度能够做到1mm以下，显著降低源芯的散射，而且制备工艺简单，γ放射性核素的吸附均匀性好，因此便于投入实际应用。
一种仪表刻度及其制备方法

[发明专利]一种α仪表刻度源及其制备方法-CN202310360628.1在审
发明人：刘明阳;高岩;任春侠;焦华洁;付轲新;李翔;陈伊婷;王巍 -专利权人：原子高科股份有限公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C25D5/26 文献下载
摘要：本发明涉及精密器件技术领域，具体为一种α仪表刻度源及其制备方法，采用电镀沉积法制备，所述电镀沉积法的电镀液包括异丙醇、饱和KCl溶液、饱和H3BO3溶液和放射性料液。本发明通过在电镀液中添加饱和氯化钾溶液和饱和H3BO3溶液，实现了快速电镀，电镀时间短，电镀液不会发生沸腾，减少了工作人员受到的辐射剂量。而且，所得α仪表刻度源的牢固性和均匀性好，沉积率高，适宜工业化应用。
一种仪表刻度及其制备方法

[实用新型]制备放射源的电沉积装置-CN202223099238.3有效
发明人：刘明阳;任春侠;高岩;付轲新;焦华洁;王平;王巍 -专利权人：原子高科股份有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C25D17/00 文献下载
摘要：本申请公开一种制备放射源的电沉积装置，包括电沉积壳体、阳极定位盖、阴极定位盖、阴极连接件和阴极定位件。电沉积壳体形成有容置腔，且电沉积壳体沿其放置方向的两端分别具有联通容置腔的阳极连接口和阴极连接口。阳极定位盖盖合于电沉积壳体的阳极连接口，阳极定位盖定位阳极丝以外接电源。阴极定位盖盖合于电沉积壳体的阴极连接口。阴极连接件包括阴极垫片部和向阴极垫片部一侧延伸的阴极连接柱，阴极垫片部被夹持于阴极定位盖和电沉积壳体之间，阴极连接柱能够穿设阴极定位盖。阴极定位件能够外接电源，阴极定位件形成有能够供阴极连接柱插入以实现与阴极连接柱导电连接的插接槽。上述装置整体组装方便快捷，可保证阳极和阴极的稳定连接。
制备放射源沉积装置

[发明专利]一种放射源全自动检测装置及检测方法-CN202110357035.0有效
发明人：高岩;刘明阳;王念;任春侠;刘超;付轲新;王安达;李翔 -专利权人：原子高科股份有限公司
申请日： 2021-04-01 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： B07C5/346 文献下载
摘要：本发明公开了一种放射源全自动检测装置及检测方法，其中放射源全自动检测装置包括工作台、抓取系统、探测器、待测源盘和控制系统，抓取系统、探测器和待测源盘设置在工作台上；其中，待测源盘用于放置多个所述放射源；抓取系统用于抓取放置在所述待测源盘上的各所述放射源，实现各所述放射源的移动；探测器用于检测抓取系统抓取到所述探测器上方的各放射源；控制系统用于控制抓取系统和/或探测器。上述技术方案提高了检测效率，避免了人员受到辐射的影响。
一种放射源全自动检测装置方法

[实用新型]放射源元件自动清洗装置-CN202220755451.6有效
发明人：刘明阳;高岩;任春侠;王念;付轲新;陈伊婷;李翔;焦华杰;刘超 -专利权人：原子高科股份有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： B08B3/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及放射源制备技术领域，提供一种放射源元件自动清洗装置，包括壳体、多个储液槽、干燥组件、转运组件和卡篮；壳体形成有容纳腔，壳体的侧壁形成有连通于容纳腔的开口，开口处活动连接有柜门，容纳腔的腔底形成操作平台；多个储液槽设置在操作平台上，储液槽的顶部连通于容纳腔；干燥组件设置在容纳腔内，位于多个储液槽的一侧；转运组件设置在容纳腔内，连接于容纳腔的腔壁；卡篮连接于转运组件，卡篮适于放置放射源元件。放射源元件的整个清洗过程自动化完成，不需要人工参与，可以使放射源元件的清洗效果均一，提高了清洗效率，避免了辐射风险以及化学试剂的侵蚀，安全性高，清洗质量有保障。
放射源元件自动清洗装置

[发明专利]放射源元件自动清洗装置及清洗方法-CN202210344640.9在审
发明人：刘明阳;高岩;任春侠;王念;付轲新;陈伊婷;李翔;焦华杰;刘超 -专利权人：原子高科股份有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： B08B3/12 文献下载
摘要：本发明涉及放射源制备技术领域，提供一种放射源元件自动清洗装置及清洗方法，放射源元件自动清洗装置包括壳体、多个储液槽、干燥组件、转运组件和卡篮；壳体形成有容纳腔，壳体的侧壁形成有连通于容纳腔的开口，开口处活动连接有柜门，容纳腔的腔底形成操作平台；多个储液槽设置在操作平台上，储液槽的顶部连通于容纳腔；干燥组件设置在容纳腔内，且位于多个储液槽的一侧；转运组件设置在容纳腔内，且连接于容纳腔的腔壁；卡篮连接于转运组件，卡篮适于放置放射源元件。放射源元件的整个清洗过程自动化完成，不需要人工参与，可以使放射源元件的清洗效果均一，提高了清洗效率，避免了辐射风险以及化学试剂的侵蚀，安全性高，清洗质量有保障。
放射源元件自动清洗装置方法

[实用新型]一种放射源全自动检测装置-CN202120670530.2有效
发明人：高岩;刘明阳;王念;任春侠;刘超;付轲新;王安达;李翔 -专利权人：原子高科股份有限公司
申请日： 2021-04-01 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： G01T7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种放射源全自动检测装置，该放射源全自动检测装置包括工作台、抓取系统、探测器、待测源盘和控制系统，抓取系统、探测器和待测源盘设置在工作台上；其中，待测源盘用于放置多个所述放射源；抓取系统用于抓取放置在所述待测源盘上的各所述放射源，实现各所述放射源的移动，包括将检测合格的所述放射源送回所述待测源盘上；探测器用于检测抓取系统抓取到所述探测器上方的各放射源；控制系统用于控制抓取系统和/或探测器。上述技术方案提高了检测效率，避免了人员受到辐射的影响。
一种放射源全自动检测装置

[实用新型]一种β平面源-CN202120296157.9有效
发明人：刘明阳;高岩;王念;任春侠;王安达;付轲新;李翔 -专利权人：原子高科股份有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： G21G4/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种β平面源，该β平面源包括：基材托片和封堵层；基材托片的至少部分表面经过氧化，形成有氧化膜区域，氧化膜区域填充有放射性材料；封堵层用于阻止放射性材料渗出，覆盖在基材托片的氧化膜区域表面。本申请的β平面源，在使用基材托片的氧化膜区域吸附填充有放射性材料的基础上，设置封堵层，覆盖在氧化膜区域之上，以此阻止放射性材料渗出，从而提高了β平面源的使用寿命和检测效果。
一种平面

[发明专利]一种β平面源制备方法和一种β平面源-CN202110139626.0在审
发明人：刘明阳;高岩;王念;任春侠;王安达;付轲新;李翔 -专利权人：原子高科股份有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： G21G4/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种β平面源制备方法和一种β平面源。制备方法包括：对金属托片进行氧化处理，形成氧化膜；使用放射性料液填充所述金属托片的氧化膜，令所述放射性料液中的放射性金属离子进入所述氧化膜的孔洞；使用含硅凝胶封闭所述金属托片的氧化膜孔洞，阻止所述放射性金属离子渗出。本申请将金属托片氧化形成氧化膜，利用氧化膜填充放射性料液的方式实现放射性料液的吸附，并且，采用含硅凝胶封闭金属托片的氧化膜孔洞，从而阻止放射性金属离子泄漏，使制得的β平面源放射性粒子吸附牢固，使用效果更佳、寿命更长。
一种平面制备方法

[实用新型]一种用于制备63-CN202021531339.1有效
发明人：高岩;刘明阳;王念;崔洪起;王安达;付轲新 -专利权人：原子高科股份有限公司
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： C25C7/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于制备63Niβ源的四孔电沉积槽装置，其包括电沉积槽槽体、阳极丝、底座、阴极导出垫片、橡胶垫片、沉积源片以及沉积源垫片；本方案的四孔电沉积槽通过将电沉积槽槽体和底座构成相互卡紧连接的结构形式，其在使用和拆卸时都极为方便；同时在电沉积槽槽体内腔底端设置有四个电沉积槽，其能够一次能够得到四枚放射源，大大提高了Ni‑63β源的生产效率；此外通过将沉积源垫片、沉积源片以及橡胶垫片通过螺丝锁紧安装在底座内腔中，能够有效防止沉积液泄露，保证电沉积作业的顺利进行。
一种用于制备 base sup 63

[发明专利]一种63-CN202010781388.9在审
发明人：高岩;刘明阳;王念;崔洪起;任春侠;谭小明;王安达;付轲新 -专利权人：原子高科股份有限公司
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： C25D3/12 文献下载
摘要：本发明属于放射源制备技术领域，涉及一种63Ni放射源及其制备方法。所述63Ni放射源的制备方法包括将衬底表面清洗干净之后置于电镀液中进行电镀，以在衬底上形成63Ni放射源层，所述电镀液中含有63NiCl2、三氯化铈、pH值缓冲剂和导电盐且余量为水。采用本发明提供的方法制备63Ni放射源，不仅能够提高衬底与放射源层的结合度，改善放射源层的稳定性，而且还具有很好的重复性，能够降低工业生产过程中的操作难度，易于批量生产，满足社会对63Ni纯β放射源的需求。
一种 base sup 63

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