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[发明专利]等离子体处理装置-CN201811043173.6有效
发明人：池田太郎;小松智仁;中入淳 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种利用通过微波生成的气体等离子体在处理容器的内部对被处理体进行处理的等离子体处理装置，其包括：从微波导入部导入微波的所述处理容器的微波导入面；和多个气体排出孔，其以包围所述微波导入部的方式以规定间隔配置在从所述微波导入面和与该微波导入面邻接的上述处理容器的面的边界线起表皮深度的范围内。本发明的目的在于防止由微波的表面波导致的异常放电。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN201810468527.5有效
发明人：池田太郎;小松智仁;中入淳;永吉径 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-05-16 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种微波等离子体处理装置，其包括：配置在处理容器的顶部，将用于从气体生成等离子体的微波导入到该处理容器的内部的微波导入组件；和形成在上述处理容器的顶部，将气体导入到等离子体处理空间的多个供气孔，上述多个供气孔分别具有空腔部，上述空腔部从上述供气孔的细孔扩展而成，且在上述等离子体处理空间开口，上述空腔部的等离子体处理空间侧的直径为3mm以上，且为等离子体中的微波的表面波波长的1/8以下。由此，能够优化供气孔的形状，防止在供气孔中因微波的表面波而发生异常放电。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置和气体导入机构-CN201710275334.3有效
发明人：藤野丰;小松智仁;池田太郎;中入淳;和久津岳生 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-04-25 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供能够使处理气体在与气体的特性对应的适当的解离状态下解离的、且能够兼顾处理气体的导入均匀性和所需的等离子体均匀性的等离子体处理装置。等离子体处理装置包括：腔室(1)、载置晶片的载置台(11)、经由顶壁(10)向腔室内导入微波的等离子体源(2)、从顶壁(10)将第一气体导入腔室内的第一气体导入部(21)、从顶壁与载置台(11)之间将第二气体导入腔室内的第二气体导入部(22)。第二气体导入部包括：环状部件(110)，形成有多个气体排出孔(116)，设置成位于顶壁与载置台(11)之间的规定高度位置；和连接顶壁与环状部件的脚部(111a)，第二气体向环状部件的供给经由脚部(11a)进行。
等离子体处理装置气体导入机构