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[实用新型]有害气体处理装置-CN201120420173.0有效
发明人：叶宗桂;柏才利;业海俊 -专利权人：深圳深爱半导体股份有限公司
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： B01D53/78 文献下载
摘要：本实用新型提供的一种有害气体处理装置，包括吸收塔，与所述吸收塔连通的中和液箱，所述吸收塔环壁设有喷头，用于喷洒中和液，所述中和液箱设有中和液排出口。由于在吸收塔中设置喷头喷洒中和液，中和液经喷头喷出后中和液成雾状，并充满吸收塔中的大部分空间，有害气体与中和液充分接触；加上中和液流入下一环节的中和液箱后，有害气体与中和液再次接触，再次发生中和反应，因此，净化效果理想。
有害气体处理装置

[实用新型]炉管清洗台-CN201120384709.8有效
发明人：叶宗桂;柏才利;业海俊 -专利权人：深圳深爱半导体股份有限公司
申请日： 2011-10-11 - 公布日： 2012-06-06 - 主分类号： B08B13/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种炉管清洗台，包括：清洗平台、安装在所述清洗平台上的转动轴以及用于驱动所述转动轴的电机；所述转动轴可以在所述电机的驱动下转动。这种炉管清洗台在清洗扩散炉时，通过电机驱动转动轴转动，从而带动扩散炉炉管转动，不需要人工操作转动炉管。
炉管清洗

[发明专利]静电释放保护结构及制造方法-CN201010172923.7无效
发明人：刘宗贺;李杰;盛曦;康剑;刘玮;柏才利;孙伟;业海俊 -专利权人：深圳深爱半导体有限公司
申请日： 2010-05-07 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明涉及一种静电释放保护结构，静电释放保护结构串联在金属氧化物半导体场效应管的栅极和源极之间，静电释放保护结构是NPN三极结构或PNP三极结构。本发明还涉及一种具有静电释放保护结构的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管的制造方法。上述静电释放结构，通过在MOSFET的栅极和源极之间串联NPN或PNP三极结构的静电释放保护结构，使栅极和源极之间的电势差在超过三极结构的击穿电压之前，呈现出绝缘特性；当静电电压超过击穿电压时，三极结构导通使静电得到释放，避免静电击穿栅氧化层对器件造成损伤。且该静电释放保护结构呈现的是双向绝缘特性，即无论栅极电位相对于源极无论正负均为绝缘状态，避免对器件的正常工作状态造成影响。
静电释放保护结构制造方法