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[发明专利]一种毫米波单刀单掷开关-CN202310820107.X在审
发明人： 齐步坤;刘家兵 -专利权人：合肥芯谷微电子股份有限公司
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H03K17/56 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路领域，尤其涉及一种毫米波单刀单掷开关，包括第一开关模块，第一开关模块的控制端与第一控制端连接，第一端与第一射频端连接，第二端与第二射频端连接；至少两个并联支路结构，至少一个并联支路结构与第一射频端连接，剩余并联支路结构与第二射频端连接；并联支路结构包括第二开关模块和自偏置负载模块，第二开关模块的控制端与第二控制端连接，第二开关模块的第一端与第一射频端或第二射频端连接，第二开关模块的第二端与自偏置负载模块的第一端连接，自偏置负载模块的第二端接入电源电压，用于自适应调节毫米波单刀单掷开关的负载阻抗。本方案能够同时改善毫米波开关的开态插入损耗、关态隔离度和输入1dB压缩功率等参数。
一种毫米波单刀开关

[发明专利]一种毫米波单刀单掷开关-CN202210401214.4有效
发明人： 齐步坤;刘家兵 -专利权人：合肥芯谷微电子有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01P1/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种毫米波单刀单掷开关。该单刀单掷开关包括：第一射频输入输出端、第二射频输入输出端、并联反射式结构、串联谐振结构和串并联吸收式结构；其中，并联反射式结构连接于第一射频输入输出端与串联谐振结构之间，串并联吸收式结构连接于串联谐振结构与第二射频输入输出端之间；并联反射式结构、串联谐振结构与串并联吸收式结构依次连接，构成非对称式开关结构。本发明实施例的技术方案可同时实现毫米波开关在导通状态时具有低插入损耗，在关断状态时具有高隔离度，并且可提高毫米波开关的稳定性。
一种毫米波单刀开关

[实用新型]一种1位低功耗负电平互补输出反相器-CN202021255779.9有效
发明人： 齐步坤;刘家兵 -专利权人：合肥芯谷微电子有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H03K19/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及微波控制电路技术领域，尤其为一种1位低功耗负电平互补输出反相器，包括5种电路结构，一个TTL电平输入端口，两个互补输出端口，七个二极管和两个D型FET管串联构成电平转换电路，两个D型FET管与一个E型FET管相串联构成输入级电路，三个E型FET管与一个D型FET管构成缓冲级电路，一个D型FET管和一个E型FET管构成输出级电路。总体电路按照电平转换电路、输入级电路、缓冲级电路、输出级电路、输入级电路、缓冲级电路、输出级电路的顺序连接，从而形成了1位低功耗负电平互补输出反相器，能够实现TTL信号输入，负电平互补输出的功能，具有互补输出、低功耗的特点，非常适合GaAs类控制电路的驱动。
一种功耗电平互补输出反相器

[实用新型]DC-40GHz反射式单刀双掷开关-CN201920833420.6有效
发明人： 齐步坤;刘家兵 -专利权人：合肥芯谷微电子有限公司
申请日： 2019-06-04 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H03K17/62 文献下载
摘要：本实用新型涉及微波开关技术领域，尤其为一种DC‑40GHz反射式单刀双掷开关，有10级开关晶体管结构；射频公共端口通过电感与第1级、第6级晶体管的源极相连；第1～5级晶体管构成开关的第一个支路，第6～10级晶体管构成第二个支路，两个支路以射频公共端口的轴线形成镜面对称，连接方式和参数均相同；第5级晶体管漏极通过电感与射频输出口1相连；第10级晶体管漏极通过电感与射频输出口2相连。本实用新型电路结构简单，具有超带宽、输入输出反射系数小、插损小、隔离度高、尺寸小等优点，解决了传统电路指标的不足和缺陷，能够满足雷达、通讯等微波工程的指标需求。
电感支路晶体管本实用新型晶体管漏极射频输出口公共端口射频单刀双掷开关输出反射系数开关晶体管传统电路电路结构隔离度高镜面对称连接方式微波工程微波开关指标需求反射式插损源极带宽雷达通讯

[实用新型]DC-40GHz反射式单刀单掷开关-CN201820606270.0有效
发明人： 齐步坤;黄军恒 -专利权人：合肥芯谷微电子有限公司
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01P1/15 文献下载
摘要：本实用新型涉及微波开关技术领域，尤其为DC‑40GHz反射式单刀单掷开关，有7级开关晶体管结构，两个射频端口，两个直流控制端口，各级晶体管通过电感相连，组成多级串并联开关结构；各级晶体管栅极通过高阻值电阻与直流控制端口相连，实现状态控制；整体电路以第4级晶体管为轴线镜面对称；两个射频端口可互易分别作为输入、输出端口。本实用新型电路结构简单，具有超带宽、开态输入输出反射系数小、插损小、隔离度高、尺寸小等优点，解决了传统电路指标的不足和缺陷，能够满足雷达、通讯等微波工程的指标需求。
单刀单掷开关直流控制端口本实用新型射频端口反射式晶体管输出反射系数电感串并联开关高阻值电阻晶体管栅极开关晶体管传统电路电路结构隔离度高镜面对称输出端口微波工程微波开关整体电路指标需求状态控制插损开态带宽雷达通讯

[实用新型]DC-20GHz 6位衰减器-CN201820606268.3有效
发明人： 齐步坤;黄军恒 -专利权人：合肥芯谷微电子有限公司
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H03H11/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及衰减器技术领域，尤其为DC‑20GHz 6位衰减器，包含6个衰减单元；6个衰减单元依次连接而成，衰减值分别为8dB、0.5dB、16dB、1dB、2dB、4dB，每个衰减单元端口阻抗均为50Ω，共使用了3种电路结构，0.5dB、1dB、2dB采用简化T型衰减结构，4dB、8dB采用π型衰减结构，16dB采用选通式开关衰减结构。通过控制每个单元的开关状态，每个单元在基本态和衰减态之间切换，从而实现不同衰减量的组合。本实用新型具有尺寸小、端口驻波小、衰减精度高、寄生调相小等特点。
衰减单元衰减结构衰减器衰减本实用新型电路结构端口阻抗开关状态通式开关依次连接衰减量寄生驻波

[实用新型]一种DC‑20GHz吸收式单刀双掷开关-CN201720859947.7有效
发明人： 齐步坤;黄军恒;刘家兵 -专利权人：合肥芯谷微电子有限公司
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本实用新型涉及微波开关技术领域，尤其为本实用新型公开了一种DC‑20GHz吸收式单刀双掷开关，有12级开关晶体管结构；射频公共端口通过电感与第1级、第7级晶体管的源极相连；第1～6级晶体管构成开关的第一个支路，第7～12级晶体管构成第二个支路，两个支路以射频公共端口的轴线形成镜面对称，连接方式和参数均相同；第6级晶体管漏极通过电感与射频输出口RF1相连；第12级晶体管漏极通过电感与射频输出口RF2相连。本实用新型电路结构简单，具有超带宽、输入输出反射系数小、插损小、隔离度高、尺寸小等优点，解决了传统电路指标的不足和缺陷，能够满足雷达、通讯等微波工程的指标需求。
一种 dc 20 ghz 吸收单刀开关

[实用新型]一种DC‑20GHz吸收式单刀单掷开关-CN201720859921.2有效
发明人： 齐步坤;黄军恒;刘家兵 -专利权人：合肥芯谷微电子有限公司
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本实用新型涉及微波开关技术领域，尤其为DC‑20GHz吸收式单刀单掷开关，有7级开关晶体管结构，两个射频输入输出端口，两个直流控制端口，各级晶体管通过电感相连，组成多级串并联开关结构；各级晶体管栅极通过高阻值电阻与直流控制端口相连，实现状态控制；整体电路以第4级晶体管为轴线镜面对称；两个射频输入、输出端口可互易作为输出、输入端口。本实用新型电路结构简单，具有超带宽、输入输出反射系数小、插损小、隔离度高、尺寸小等优点，解决了传统电路指标的不足和缺陷，能够满足雷达、通讯等微波工程的指标需求。
一种 dc 20 ghz 吸收单刀开关

[实用新型]具有双反射镜的微型原子气体腔器件-CN201420171024.9有效
发明人：许磊;郑林华;刘建勇;王光池;王晓东;齐步坤 -专利权人：中国电子科技集团公司第三十八研究所
申请日： 2014-04-10 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： G04F5/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有双反射镜的微型原子气体腔器件及其制造方法。所述的原子气体腔具有典型的三明治结构，由一层具有通孔的硅片和两层内部分别带有反射镜的玻璃片键合围成的腔体结构构成。所述的通孔由硅的干法刻蚀或湿法腐蚀工艺进行双面加工完成。两层玻璃片与带通孔的硅片通过硅-玻璃阳极键合后形成原子气体腔器件。本实用新型所述的原子气体腔器件可用于原子钟和磁强计等系统中，激光在双反射镜间进行多次反射，从而增加激光与原子气体间的相互作用空间长度，使相干布局囚禁效应信号的信噪比增强，有利于提高系统的稳定度。
具有反射微型原子体腔器件

[实用新型]基于MEMS技术的原子气体腔器件-CN201420171385.3有效
发明人：许磊;刘建勇;王光池;郑林华;齐步坤;王晓东 -专利权人：中国电子科技集团公司第三十八研究所
申请日： 2014-04-10 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： G04F5/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于MEMS技术的原子气体腔器件及其制造方法。所述原子气体腔器件具有典型的三明治结构，由一层具有通孔的硅片和两层玻璃片键合围成的腔体结构构成。所述的通孔的横截面为平行四边形，由（100）型的单晶硅片通过硅各向异性湿法腐蚀形成，通孔的侧壁为硅片的{111}晶面。两层玻璃片与带通孔的硅片通过硅-玻璃阳极键合后形成原子气体腔。本实用新型所述的原子气体腔器件可用于原子钟和磁强计等系统中，通过改变原子腔体尺寸设计易于增加腔内两反射镜之间的距离，从而增加激光与原子气体间的相互作用空间长度，使相干布局囚禁效应信号的信噪比增强，有利于提高系统的稳定度。
基于 mems 技术原子体腔器件

[发明专利]具有双反射镜的微型原子气体腔器件及其制造方法-CN201410141659.9无效
发明人：许磊;郑林华;刘建勇;王光池;王晓东;齐步坤 -专利权人：中国电子科技集团公司第三十八研究所
申请日： 2014-04-10 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： G04F5/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有双反射镜的微型原子气体腔器件及其制造方法。所述的原子气体腔具有典型的三明治结构，由一层具有通孔的硅片和两层内部分别带有反射镜的玻璃片键合围成的腔体结构构成。所述的通孔由硅的干法刻蚀或湿法腐蚀工艺进行双面加工完成。两层玻璃片与带通孔的硅片通过硅-玻璃阳极键合后形成原子气体腔器件。本发明所述的原子气体腔器件可用于原子钟和磁强计等系统中，激光在双反射镜间进行多次反射，从而增加激光与原子气体间的相互作用空间长度，使相干布局囚禁效应信号的信噪比增强，有利于提高系统的稳定度。
具有反射微型原子体腔器件及其制造方法

[发明专利]基于MEMS技术的原子气体腔器件及其制造方法-CN201410141880.4无效
发明人：许磊;刘建勇;王光池;郑林华;齐步坤;王晓东 -专利权人：中国电子科技集团公司第三十八研究所
申请日： 2014-04-10 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： G04F5/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于MEMS技术的原子气体腔器件及其制造方法。所述原子气体腔器件具有典型的三明治结构，由一层具有通孔的硅片和两层玻璃片键合围成的腔体结构构成。所述的通孔的横截面为平行四边形，由（100）型的单晶硅片通过硅各向异性湿法腐蚀形成，通孔的侧壁为硅片的{111}晶面。两层玻璃片与带通孔的硅片通过硅-玻璃阳极键合后形成原子气体腔。本发明所述的原子气体腔器件可用于原子钟和磁强计等系统中，通过改变原子腔体尺寸设计易于增加腔内两反射镜之间的距离，从而增加激光与原子气体间的相互作用空间长度，使相干布局囚禁效应信号的信噪比增强，有利于提高系统的稳定度。
基于 mems 技术原子体腔器件及其制造方法

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