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[发明专利]一种极化诱导EBL的Micro LED芯片外延结构-CN202310669158.7在审
发明人：李静;黄昱祺;尹君 -专利权人：厦门大学
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种极化诱导电子阻挡层(Electron‑Blocking Layer，EBL)的Micro LED芯片外延结构，其包括由下至上的衬底、n型半导体层、多量子阱层、极化诱导的电子阻挡层和p型半导体层，所述极化诱导的半导体层由p型AlxGa1‑xN层和p型Aly1Iny2Ga1‑y1‑y2N层组成，其中p型AlxGa1‑xN层设于多量子阱层上，p型Aly1Iny2Ga1‑y1‑y2N层设于p型AlxGa1‑xN层上。本发明采用极化诱导EBL结构作为Micro LED的电子阻挡层能够有效调控载流子的注入与溢出，使得能带更加匹配，从而提高电子与空穴在阱内复合效率；能够提高电致发光(EL)强度，内部量子效率，最终提高Micro LED芯片在高电流密度注入下整体的效率与发光水平。
一种极化诱导 ebl micro led 芯片外延结构

[发明专利]一种渐变LQB组分的Micro LED外延结构及制作方法-CN202211472713.9在审
发明人：李静;黄昱祺;尹君 -专利权人：厦门大学
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种渐变LQB组分的Micro LED外延结构，包括InGaN/GaN多量子阱结构，所述多量子阱结构p型侧的最后一个量子阱势垒层由渐变组分的n型InxGa1‑xN层和p型GaN层组成，由n型侧向p型侧方向所述n型InxGa1‑xN层的In组分x由15％～5％渐变至0％，p型GaN层上设有电子阻挡层。采用渐变n型InxGa1‑xN和p型GaN结构作为Micro LED的LQB层能够有效限制载流子，使得载流子更加匹配，在阱内复合效率更高；能够提高Micro LED芯片在高电流密度注入下整体的效率与发光水平，缓解蓝光Micro LED效率下降的问题。
一种渐变 lqb 组分 micro led 外延结构制作方法