“黄新壮”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果5个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种低开销抗辐射存储单元版图结构-CN202310175378.4在审
发明人：郑涛;任荣康;李建成;陆时进;刘琳;赵佳;黄新壮;刘晨静;刘劭璠;刘佳林 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：一种低开销抗辐射存储单元版图结构，由两块半边基本单元版图模块拼接组成；每个半边基本单元版图模块中：第一P阱位于第一传输管和下拉管版图结构的一侧；第一传输管和下拉管版图结构的另一侧与第一上拉管版图结构紧贴；N阱位于第一上拉管版图结构和第二上拉管版图结构中间；第二P阱位于第二传输管和下拉管版图结构的一侧；第二传输管和下拉管版图结构的另一侧与第二上拉管版图结构紧贴；两个第一上拉管版图结构连接，两个第一传输管和下拉管版图结构连接；两个第二上拉管版图结构连接；两个第二传输管和下拉管版图结构连接；两块半边基本单元版图模块位置紧贴。本发明减少了版图面积消耗，增强抗辐射性能的效果。
一种开销辐射存储单元版图结构

[发明专利]一种SRAM用快速热启动PLL结构及快速热启动方法-CN202210316283.5在审
发明人：陆时进;刘劭璠;陈雷;刘琳;胡春艳;刘晨静;任荣康;赵佳;郑涛;黄新壮 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H03L7/08 文献下载
摘要：高速SRAM在高频工作模式下时钟输入频率异常(输入信号频率低于基础频率或直接变为固定信号)后重启PLL需要较长时间，本发明提供了一种SRAM用快速热启动PLL结构，包括：鉴相器、电荷泵、热启动控制电路、压控振荡器、分频器。热启动控制电路是一个产生基础频率的控制电压产生模块。SRAM输入频率异常(输入信号频率低于基础频率或直接变为固定信号)时，热启动控制电路会产生一个基础频率的控制电压给压控振荡器，保持PLL在一个设定的基础频率上进行自激振荡，当外部输入频率正常后，PLL将在这个频率基础上开始调频调相，快速进入再次锁定状态，该结构可以让SRAM更快速的进入正常工作状态。
一种 sram 快速启动 pll 结构方法

[发明专利]一种大驱动均衡式LDO电路-CN202210472058.0在审
发明人：郑涛;陈雷;黄新壮;陆时进;李建成;任荣康;赵佳;刘晨静;刘劭璠;刘琳;胡春艳 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种大驱动均衡式LDO电路，包括：初始电压快速建立模块、电压调节反馈回路以及功率组合模块；其中，功率组合模块由功率NMOS管、开关PMOS管和驱动NMOS管串联组成，开关PMOS管的源端连接功率NMOS管的源端，开关PMOS管的源端和漏端分别提供大驱动均衡式LDO的输出电压；初始电压快速建立模块，用于驱动功率NMOS管，通过连接电压调节反馈回路输出稳定电压；电压调节反馈回路，用于比较大驱动均衡式LDO的输出电压与基准电压，调节功率NMOS管的栅端电压。本发明LDO电路可以为不同电路模块提供均衡式稳定电压，实现驱动大电流，负载均衡，同时减少芯片子模块之间电源相互影响。
一种驱动均衡 ldo 电路

[发明专利]一种金刚石粉体表面镀钨的方法-CN201610931098.1在审
发明人：马捷;王元元;魏建忠;黄新壮 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： C23C16/14 文献下载
摘要：一种金刚石粉体表面镀钨的方法，属于镀膜技术领域。采用化学气相沉积镀钨法，属于镀膜技术领域。对金刚石粉体表面进行“除有机物→除油→粗化→烘干”处理；将烘干后的金刚石粉体均匀的平铺于加热平台上，然后将平台放于加热炉中，在氢气气氛下将温度加热到550℃～700℃后保温10～60min；在沉积550℃～700℃温度范围，利用六氟化钨和氢气之间的还原反应在金刚石粉体表面形成钨镀层；缓慢降至室温。经化学气相沉积镀覆后金刚石粉体表面能形成均匀致密的镀覆层，且镀层杂质含量少，物相为α‑W；镀覆钨的金刚石粉末经热压烧结后比加入不镀钨的金刚石试样抗弯强度提高38.6％，且压块热膨胀系数要比加入普通金刚石有所降低。
一种金刚石体表面镀钨方法

[发明专利]一种提高CVD法在长管内壁制备钨涂层均匀性的方法-CN201610829162.5在审
发明人：马捷;黄新壮;魏建忠;王元元 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2016-09-18 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： C23C16/14 文献下载
摘要：一种提高CVD法在长管内壁制备钨涂层均匀性的方法，属于涂层的制备方法领域。方法包括：将长管基体加热到实验温度并通入氢气，保温30～60分钟，沉积过程中保持长管基体以1～20转/分钟旋转，然后按比例通入六氟化钨气体；沉积进行到一半时间时通过改变阀门的开关从而改变混合气体在长管基体内的通入方向，将长管基体内的出气端变为气体的进气端，进气端变为出气端，反应完成后即可得到厚度均匀的钨涂层。通过本方法制备出的钨涂层厚度均匀性提高，较相同条件下自然沉积出的钨涂层厚度差降低34.1％，相同厚度钨涂层的覆盖长度增加，故本操作方法有操作简单、便捷、投资较省、价廉易得等特点。
一种提高 cvd 内壁制备涂层均匀方法