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[发明专利]单晶生长装置、单晶生长炉及单晶生长方法-CN202310786508.8在审
发明人：周振翔;倪代秦;訾蓬;黄存新;陈建荣;吴宁 -专利权人：中材人工晶体研究院有限公司;北京中材人工晶体研究院有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本申请提供一种单晶生长装置、单晶生长炉及单晶生长方法，包括：坩埚盖和坩埚，坩埚盖盖合于坩埚的顶部开口，坩埚的侧壁和底壁受热；坩埚内设有至少一个导热件，其底端与坩埚底壁接触，顶端与坩埚盖之间具有预设距离；坩埚内设有位于导热件远离坩埚底壁的一侧的隔板及位于隔板靠近坩埚底壁的一侧的原料；隔板包括遮挡部和流通部，遮挡部为圆环形结构，遮挡部的外缘与坩埚侧周壁抵接，流通部用于升华气体通过；坩埚盖的内侧设有籽晶，坩埚内还设有导流罩，导流罩设于隔板远离坩埚底壁的一侧，用于将升华气体导向籽晶表面；导热件的制作材料为耐高温且不与AlN反应的金属材料。该装置能提高原料的温度分布的均匀性。
生长装置方法

[实用新型]一种稳压器用中性线短路报警器-CN202222897330.8有效
发明人： 黄存新 -专利权人：福清市新创机械电子有限公司
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G01R31/52 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种稳压器用中性线短路报警器，涉及稳压器领域，包括稳压器、稳压器外壳和调节底脚，该一种稳压器用中性线短路报警器，稳压器外壁通过螺栓固定连接有稳压器外壳，稳压器底部固定连接有调节底脚，调节底脚设有四组且均匀设置在底部四周，稳压器包括稳压器主体、线缆插孔、电压表和蜂鸣器，稳压器主体外壁开设有凹槽，凹槽内固定连接有线缆插孔，稳压器主体外壁固定连接有电压表和蜂鸣器，电压表和蜂鸣器之间通过线缆进行连接，在使用时，稳压器内置的电压表可对插入线缆插孔内的电缆电压进行检测，若电压不在额定范围内，内部电缆带动蜂鸣器启动，对使用者进行提醒。
一种稳压器用中性线短路报警器

[发明专利]一种导模法镁铝尖晶石单晶的生长方法-CN202310192185.X在审
发明人： 黄存新;雷牧云;王海丽;王晓亮 -专利权人：中材人工晶体研究院有限公司;北京中材人工晶体研究院有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本申请提供了一种导模法镁铝尖晶石单晶的生长方法，通过将籽晶和晶体生长原料放入晶体生长炉中，再将晶体生长炉抽真空，然后充入惰性气体，再将晶体生长炉升温至2130～2200℃，使得晶体生长原料熔化，接着使籽晶接触模具的料缝顶端，然后提拉籽晶，使晶体生长原料在籽晶上凝结生长，其中模具上方设置有上隔热屏和下隔热屏，上隔热屏和下隔热屏之间狭缝的截面为曲面，然后提拉籽晶使籽晶表面结晶的晶体收缩，再使晶体在向上提拉过程中变厚变宽，使晶体在向上提拉过程中以模具的宽度进行生长，晶体生长结束后，开始退火降温。本申请通过控制上隔热屏和下隔热屏之间狭缝的截面为曲面，实现了镁铝尖晶石单晶在向上提拉过程中受热均匀的效果。
一种导模法镁铝尖晶石生长方法

[发明专利]一种导模法晶体生长装置及方法-CN202310085654.8在审
发明人：王晓亮;黄存新;赵鹏 -专利权人：中材人工晶体研究院有限公司;北京中材人工晶体研究院有限公司
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C30B15/34 文献下载
摘要：本申请涉及晶体制备技术领域，尤其涉及一种导模法晶体生长装置及方法。该装置包括第一炉体、第二炉体、用于升降籽晶的第一升降装置和用于升降预制原料棒的第二升降装置，第一升降装置设于第一炉体顶部，第二升降装置设于第二炉体顶部，第一炉体内设置有第一坩埚，第一坩埚内设置有导模模具，第一坩埚内熔体通过导模模具与籽晶接触实现晶体生长，第二炉体内设有用于原料化料的第二坩埚。第一炉体和第二炉体相对的两个侧壁分别设有第一开口和第二开口；连通部，连通部的第一端穿过第一开口与第一坩埚连通，连通部的第二端穿过第二开口与第二坩埚连通，以使第二坩埚内的熔体通过连通部进入第一坩埚内，向第一坩埚持续供料，生长大尺寸的晶体。
一种导模法晶体生长装置方法

[发明专利]一种导模法晶体生长装置及方法-CN202310086073.6在审
发明人：王晓亮;黄存新;赵鹏 -专利权人：中材人工晶体研究院有限公司;北京中材人工晶体研究院有限公司
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C30B15/34 文献下载
摘要：本申请提供一种导模法晶体生长装置及方法，包括壳体、第一炉体、第二炉体、至少两个第一提升装置、第一过渡仓，第一炉体内设有用于生长晶体的第一坩埚；第二炉体内设有用于熔料的第二坩埚。第一坩埚与第二坩埚通过连通部连通。第一炉体顶部设有第一开口。第一提升装置沿导模法晶体生长装置的厚度方向并列设置于壳体顶部，并与壳体可移动连接。第一过渡仓的一端与第一炉体顶部相对设置，另一端与第一提升装置连接，第一提升装置均设有与第一过渡仓连通的第二开口，第一开口延伸至第一过渡仓内，第一提升装置沿导模法晶体生长装置的厚度方向相对于壳体移动，使其中一个第一提升装置的第二开口与第一开口相对，并通过第一过渡仓与第一开口连通。
一种导模法晶体生长装置方法

[发明专利]一种导模法晶体生长装置及方法-CN202310097868.7在审
发明人：王晓亮;黄存新;赵鹏 -专利权人：中材人工晶体研究院有限公司;北京中材人工晶体研究院有限公司
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C30B15/34 文献下载
摘要：本申请提供一种导模法晶体生长装置及方法，包括壳体、第一炉体、第二炉体及沿远离壳体顶部的方向依次设置的降温组件、夹紧传输机构、裁切机构和第一升降组件；第一炉体内设有用于生长晶体的第一坩埚；第二炉体内设有用于熔料的第二坩埚。第一坩埚与第二坩埚通过连通部连通。第一炉体的顶部设有延伸至降温组件内部的第一开口；第一升降组件用于升降籽晶；第一升降组件将籽晶升至与夹紧传输机构齐平时，夹紧传输机构用于夹紧并驱动籽晶和晶体沿导模法晶体生长装置的高度方向运动，籽晶和晶体沿夹紧传输机构传输的长度达到预设长度时，裁切机构用于将晶体切断。
一种导模法晶体生长装置方法

[发明专利]一种多气氛导模法蓝宝石晶体生长方法及装置-CN202310163412.6在审
发明人：王晓亮;黄存新;赵鹏 -专利权人：中材人工晶体研究院有限公司;北京中材人工晶体研究院有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种多气氛导模法蓝宝石晶体生长方法及装置，通过将籽晶和晶体生长原料放入晶体生长炉中，然后将晶体生长炉抽真空，再将还原性气体与氩气充入晶体生长炉中，再将晶体生长炉升温至2060℃～2500℃，使得晶体生长原料熔化，然后使籽晶与熔化的晶体生长原料接触，生长晶体。本申请通过在晶体生长炉中增加了还原性气体，为晶体生长炉中易氧化的热场材料提供了还原性气氛，有效抑制了晶体生长炉中热场材料的氧化挥发，提高了晶体生长炉中热场材料的使用寿命，也降低了热场材料的氧化挥发对晶体生长原料的污染，进而降低了蓝宝石晶体中的杂质含量，提高了蓝宝石晶体的质量。
一种气氛导模法蓝宝石晶体生长方法装置

[发明专利]一种泡生法制备超低吸收蓝宝石的方法及蓝宝石-CN202211647122.0在审
发明人：承刚;周南浩;赵鹏;高崇;陈建荣;黄存新;王颖;张怡 -专利权人：北京中材人工晶体研究院有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C30B17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种泡生法制备超低吸收蓝宝石的方法，包括以下步骤：⑴取Al2O3和降低蓝宝石吸收系数的物质，将降低蓝宝石吸收系数的物质掺杂入Al2O3形成混合料；⑵将⑴的混合料装入坩埚中；⑶抽真空，升温化料；⑷缩颈及引晶；⑸放肩；⑹等径生长阶段；⑺降温退火取蓝宝石晶体。本发明通过对泡生法工艺地改进，降低了蓝宝石的吸收系数。
一种法制备超低吸收蓝宝石方法

[发明专利]一种温度控制系统、方法、装置以及晶体制备装置-CN202211543153.1在审
发明人：王晓亮;黄存新;赵鹏 -专利权人：中材人工晶体研究院有限公司;北京中材人工晶体研究院有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种温度控制系统、方法、装置以及晶体制备装置，涉及晶体制备技术领域，上述系统包括图像采集设备、数据处理器以及温度控制器，图像采集设备，用于实时采集第一图像；数据处理器，用于识别第一图像中晶体所在区域，依据识别出的区域获得第一晶体尺寸；数据处理器，还用于根据第一晶体尺寸和第二晶体尺寸，计算晶体的尺寸生长速度，将晶体尺寸的生长速度与预设的第一生长速度进行对比，得到尺寸对比结果，根据尺寸对比结果，向温度控制器发送温度控制指令；温度控制器，用于响应于温度控制指令，控制晶体制备温度。应用本发明实施例提供的温度控制系统，能够提高晶体质量、一致性及降低制备晶体的人力成本。
一种温度控制系统方法装置以及晶体制备

[实用新型]一种旋转屏检测机台-CN202222936295.6有效
发明人： 黄存新 -专利权人：福清市新创机械电子有限公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： B25B11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种旋转屏检测机台，涉及显示屏检测领域，包括检测机，夹持板包括夹持板主体、弹簧和软胶块，弹簧一端与夹持板主体内壁固定连接，该一种旋转屏检测机台，检测机包括固定台、检测台和夹持板，固定台底端开设有滑槽，滑槽内滑动连接有检测台，固定台一侧通过螺栓固定连接有夹持板，夹持板设有两组且对称设置在固定台两侧，在使用时，将显示屏利用两组夹持板进行夹持固定，将检测台在固定台底部的滑槽内进行滑动，直至检测台的通用连接件与显示屏背后的旋转板进行对齐固定，检测台的通用连接件在步进电机的驱动下进行转动，通用连接件带动显示屏的旋转板进行转动，以检测显示屏的旋转功能是否正常。
一种旋转检测机台

[实用新型]一种单晶生长装置-CN202221088694.5有效
发明人：周振翔;倪代秦;魏华阳;李丹;李康;赵小玻;李勇;赵鹏;何敬晖;高崇;袁雷;陈建荣;黄存新 -专利权人：中材人工晶体研究院（山东）有限公司;中材人工晶体研究院有限公司;北京中材人工晶体研究院有限公司
申请日： 2022-05-07 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本申请实施例提供单晶生长装置，包括：炉体和位于炉体内部的保温结构；保温结构内部具有密闭的腔体，腔体用于盛放坩埚，沿炉体的高度方向，保温结构包括位于坩埚上方的第一保温层、位于坩埚下方的第二保温层以及环绕坩埚外周的第三保温层；第一保温层包括中心部和围绕中心部外侧的外围部，中心部能够相对于外围部上下运动，以使保温结构密封或者具有一定的开口，外围部靠近坩埚的一端设有第一控温件，第一控温件和中心部之间设有第一加热件，第一加热件与第一控温件和中心部之间均具有预设距离。该单晶生长装置，能够优化单晶生长装置中坩埚内的温度分布，提高晶体生长质量。
一种生长装置

[发明专利]一种物理气相传输法晶体生长炉、制备晶锭的方法及晶锭-CN202210600670.1在审
发明人：倪代秦;周振翔;魏华阳;李丹;李康;赵小玻;李勇;赵鹏;何敬晖;高崇;袁雷;陈建荣;黄存新 -专利权人：中材人工晶体研究院（山东）有限公司;中材人工晶体研究院有限公司;北京中材人工晶体研究院有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种物理气相传输法晶体生长炉、制备晶锭的方法及晶锭。其中，晶体生长炉包括：炉体，包括圆筒形侧壁、炉盖和炉底；位于炉体内部的保温层结构，位于保温层结构内部的加热器结构；位于加热器结构内部的坩埚，包括坩埚本体和坩埚盖；芯冷吹气系统，包括芯冷吹气埚盖、多个芯冷出气通孔、芯冷吹气管和芯冷进气嘴；多个测温点，用于监测所述晶体生长炉中的温度。本申请通过物理气相传输法生长晶体，然后经退火处理得到晶锭。退火处理过程中通过芯冷吹气系统向晶锭的芯部吹气，始终让晶锭芯部的温度小于等于晶锭外表面的温度，实现了径向温度分布反转，改善晶锭退火处理过程中由于应力累积导致的晶锭开裂问题，从而提高了晶锭的成品率。
一种物理相传晶体生长制备方法

[发明专利]单晶炉及其加热保温系统、生长氧化镓晶体的方法-CN202210457950.1在审
发明人：高崇;赵鹏;何敬晖;倪代秦;周振翔;陈建荣;黄存新;刘世权 -专利权人：中材人工晶体研究院有限公司;北京中材人工晶体研究院有限公司
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： C30B15/34 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种单晶炉及其加热保温系统、生长氧化镓晶体的方法，包括发热件、感应线圈和保温组件，发热件用于加热原料；发热件被配置为与感应线圈电磁耦合，以产生热量；保温组件包括间隔设置的第一保温套筒、第二保温套筒以及保温颗粒，保温颗粒填充于发热件与第一保温套筒之间，以及第一保温套筒和第二保温套筒之间，并与发热件、第一保温套筒和第二保温套筒接触。保温组件能够降低单晶炉的加热保温系统在收颈和放肩阶段的热延时，提高温场的稳定性，从而提高生长晶体的质量。
单晶炉及其加热保温系统生长氧化晶体方法

[发明专利]AOI光学膜片在线或离线检测系统以及设备-CN202210281191.8在审
发明人： 黄存新 -专利权人：福清市新创机械电子有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： B07C5/34 文献下载
摘要：本发明公开了AOI光学膜片在线或离线检测设备，包括机架、输送线、一对门型架以及一对分拣机构，所述输送线安装于机架上，一对所述门型架安装于机架上且横跨于输送线上，一对所述门型架一侧分别设置有一对分拣机构；本发明的有益效果是，该AOI光学膜片在线或离线检测系统以及设备，可以对输送线上通过的物料进行快速的照相以及数据对比，筛选其中的不合格品，进行分类筛选，光学相机可以通过调节组件进行调节，通过收容组件与分拣机构匹配可以完成分类筛选，操作方便的同时，结构简单，控制方便。
aoi 光学膜片在线离线检测系统以及设备

[发明专利]一种晶体生长用坩埚及晶体生长方法-CN202210441154.9在审
发明人：周振翔;倪代秦;魏华阳;赵小玻;李丹;李康;李勇;赵鹏;何敬晖;高崇;袁雷;陈建荣;黄存新 -专利权人：中材人工晶体研究院（山东）有限公司;中材人工晶体研究院有限公司;北京中材人工晶体研究院有限公司
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种晶体生长用坩埚及晶体生长方法，晶体生长用坩埚包括坩埚本体，在坩埚本体的内部形成有主腔体室，在坩埚本体的底部设置有籽晶平台，坩埚本体的底部还设置有环绕所述籽晶平台布置且与主腔体室连通的低温引导室，低温引导室的高度低于籽晶平台，在低温引导室与籽晶平台之间形成低温引导室的入口，坩埚本体的侧壁由上至下包括第一部段和第二部段，第一部段呈圆筒状，在第一部段的内壁上设置有盛料装置，第二部段的内径由上至下逐渐减小，第二部段的下端延伸至低温引导室的入口，低温引导室的入口处为高温热区。低温引导室用于沉积杂质、多余组份和多晶，高温热区用于降低籽晶边缘处生长气体的饱和度，避免籽晶周围多晶的产生。
一种晶体生长坩埚方法

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