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[发明专利]一种制造轻质、高比表面积、花球型纳米氢氧化镁的方法-CN201310698274.8在审
发明人：林璋;陈伦泰;王永好;吴智诚;洪杨平;黄嘉魁 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： C01F5/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造轻质、高比表面积、花球型纳米氢氧化镁的方法，包括如下步骤：（1）在反应容器中配制一定浓度镁盐水溶液；（2）在容器中配制一定浓度的碱溶液；（3）反应前，在步骤（1）溶液或者步骤（2）溶液中添加一定量的分散剂；（4）将步骤（2）中的溶液缓慢滴入步骤（1）的溶液中，或者将步骤（1）的溶液缓慢滴入步骤（2）的溶液中，反应得到白色沉淀，陈化后，将白色沉淀（氢氧化镁）离心清洗，洗涤除去其他杂质离子，得到白色凝胶状固体。本发明方法提供一种易操作、对环境无污染、易放大、对设备要求低的特殊形貌氢氧化镁制备方法，使用本办法合成的氢氧化镁主要用于印染废水处理、重金属离子吸附、烟道气脱硫剂。
一种制造表面积花球型纳米氢氧化镁方法

[发明专利]水热法生长CuI单晶的矿化剂及CuI晶体生长方法-CN201410029601.5在审
发明人：陈达贵;黄丰;林璋;黄嘉魁 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2014-01-23 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于水热法生长CuI单晶的矿化剂及CuI晶体生长方法。所述的矿化剂为氯化铵和溴化铵的混合物，其中溴化铵的含量为0～90%之间，该矿化剂溶于水所形成的水溶液可以应用于水热法生长CuI晶体，生长的CuI晶体为γ相。生长方法为：在100～230℃和1.9～30Mpa条件下，加入氯化铵和溴化铵混合物的水溶液，利用低温水热法实现优质CuI晶体的生长。得到的CuI晶体可以用于宽禁带半导体光电子器件制作上，同时还可以作为超快闪烁晶体用于超高计数率电子束及γ和X射线测量中。由于提供的水热法生长CuI单晶的矿化剂水溶液在空气中比较稳定，因此有利于矿化剂的重复使用，从而降低晶体生长成本。
水热法生长 cui 矿化剂晶体生长方法

[发明专利]高电导率氧化锌陶瓷及其制备方法-CN201310656957.7在审
发明人：黄瑾;黄丰;丁凯;颜峰坡;黄嘉魁;吕佩文;林钟潮 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2013-12-09 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明涉及一种高压氧气氛下烧结制备高电导率氧化锌陶瓷的方法。本发明以氧化锌为主要成分，添加氧化铝、氧化镓，分散、研磨、粉碎、压制、烧结，烧结的温度为700-900℃，烧结出来的陶瓷载流子浓度1.137E1019cm-3，电阻率0.063(ohm·cm)，载流子迁移率8.712cm2·V-1·s-1，热导率32.171W/(m*K)。
电导率氧化锌陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种提高氧化锌单晶电阻率的退火方法-CN201110315866.8无效
发明人：林文文;黄瑾;黄丰;林璋;黄嘉魁 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2011-10-17 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明提供一种提高氧化锌单晶电阻率的退火方法，属于半导体光电材料技术领域。将能分解产生氧气的供氧化合物和氧化锌单晶同时放置在密闭的抽真空石英管中，然后对石英管进行高温保温退火，供氧化合物受热分解产生氧气，在大于一个大气压的氧气气氛和高温环境中对氧化锌单晶进行高温退火，提高氧化锌单晶的电阻率。本发明的优点在于，退火过程工艺简单，成本低，可以使得低电阻率的ZnO单晶电阻率提高到102Ω·cm以上。
一种提高氧化锌电阻率退火方法

[实用新型]提高水热法生长单晶质量和效率的籽晶悬挂设备-CN201220278840.0有效
发明人：黄丰;林文文;黄顺乐;黄嘉魁;林忠潮 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2012-06-13 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：本实用新型提供一种提高水热法生长单晶质量和效率的籽晶悬挂设备。该籽晶悬挂设备具有多层的悬挂结构，可并行悬挂的籽晶数量多，该籽晶悬挂设备在大幅度提高并行生长籽晶数目的同时，还可以创造出有利于水热釜溶解区往生长区的养料输运的质量流场，从而保证单晶的持续生长和高质量。
提高水热法生长质量效率籽晶悬挂设备

[实用新型]防止杂晶堵塞对流孔的水热釜-CN201220277751.4有效
发明人：黄丰;林文文;黄嘉魁;黄顺乐;林钟潮 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2012-06-13 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：本实用新型提供一种水热釜挡流板。该水热釜挡流板嵌入中空的弯管，水热釜溶解区的培养料通过中空弯管的孔道输运到水热釜的生长区。为防止出现传统挡流板存在的杂晶堵塞对流孔的问题，保证溶解区往生长区养料输运的持续性，弯管内上对流孔的朝向被设计成指向高压釜釜壁。
防止堵塞对流水热釜

[发明专利]p型氧化锌材料的制备方法-CN201210201820.8有效
发明人：黄丰;丁凯;林文文;张继业;郑清洪;黄嘉魁;黄瑾;湛智兵;陈达贵 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2012-06-18 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： C30B31/00 文献下载
摘要：本发明提供p型氧化锌材料的制备方法。该方法包括如下步骤：强氧化性气氛下制备含高浓度锌空位的高质量单晶或薄膜；通过还原气氛退火将锌空位通过扩散填充以一价原子，同时达到生成和稳定浅能级受主、完备晶格以提高迁移率的两个目的；通过再次弱氧化气氛退火，实现富余间隙一价原子的脱除，以消除材料中的不稳定浅施主。该方法能够获得高空穴浓度和高稳定性的p型氧化锌材料。
氧化锌材料制备方法

[发明专利]提高氯氧化铋光催化剂对可见光吸收的退火方法-CN201210127254.0有效
发明人：林文文;黄丰;黄嘉魁;林钟潮 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2012-04-27 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： B01J27/06 文献下载
摘要：本发明提供一种提高氯氧化铋光催化剂对可见光吸收的退火方法，属于半导体光催化领域。将能分解产生氧气的供氧化合物和氯氧化铋同时放置在密闭的抽真空石英管中，然后对石英管进行高温保温退火，供氧化合物受热分解产生氧气，在大于一个大气压的氧气气氛和高温环境中对氯氧化铋进行高温退火，提高其对于可见光的吸收，实现可见光光催化降解污染物。
提高氧化光催化剂可见光吸收退火方法

[发明专利]一种真空连续熔炼提纯太阳能级硅材料的设备-CN201210131540.4有效
发明人：吕佩文;黄丰;董建平;颜峰岥;林璋;黄嘉魁;黄顺乐 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2012-04-28 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明涉及一种真空连续熔炼提纯太阳能级硅材料的设备。该设备进料腔、石墨坩埚、水冷坩埚依次排列，高度逐渐降低；石墨坩埚使用石墨隔离带将坩埚分为熔化区与蒸发区，坩埚为整体加热，加热可使用石墨加热器或中频加热，结构简单；块状或粉末状硅原料由进料腔加入到石墨坩埚进行熔化，当硅水液面高于石墨隔离带后，硅水从熔化区流入到蒸发区；流经蒸发区的硅水流入到水冷坩埚内，完成浇铸。该设备可以在高真空条件下连续熔炼，去除硅中的O、P、N、S、Al、Ca等挥发性杂质。本发明具有高真空、高温、连续熔炼的技术特点，拥有能耗低、无耗材、成本低、易于操作与控制的优点。
一种真空连续熔炼提纯太阳能级材料设备

[发明专利]避免籽晶缺陷外延到新生长层的氧化锌单晶生长方法-CN201210128674.0无效
发明人：林文文;黄丰;陈达贵;黄顺乐;林钟潮;黄嘉魁 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2012-04-27 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：本发明提供一种避免籽晶缺陷外延到新生长层的氧化锌单晶生长方法。该方法将有裂纹或凹坑的ZnO籽晶晶面上镀上一层平整的金属膜，然后将籽晶放置于水热生长设备中进行生长。这种处理方法可确保籽晶上的缺陷无法外延到新的晶体生长层，新的晶体生长层结晶质量得到大幅度的提高。
避免籽晶缺陷外延生长氧化锌方法

[发明专利]抑制杂晶生长的水热设备-CN201210032177.0无效
发明人：黄丰;林文文;陈达贵;黄顺乐;黄嘉魁 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2012-02-13 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：本发明公开一种抑制水热条件下杂晶生长的水热设备。该设备包括带有孔洞的养料篮、带有孔洞的晶体生长篮，通过控制开孔率和培养料的比表面来控制水热生长釜的对流速度，从而起到降低杂晶数目的目的。本发明结构简单，成本低廉，可操作性强。
抑制生长设备

[发明专利]可容纳多个水热釜的水热法晶体生长炉-CN201210032466.0无效
发明人：黄丰;林文文;陈达贵;黄顺乐;黄嘉魁;林钟潮 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2012-02-13 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：本发明提供一种可容纳多个水热釜的水热法晶体生长炉。其特点在于单个晶体生长炉内可以容纳多个水热釜，并使用隔温板来防止水热设备中上下加热区的温度干涉，结构简单，控温准确，节能环保。本发明采用如下技术方案：一种可容纳多个水热釜的新型水热法晶体生长炉，包括：可放置多个水热釜的石墨炉膛，隔温板，加热电炉丝，测温控温装置，顶部保温盖，保温填料和壳体。
容纳多个水热釜水热法晶体生长

[发明专利]可用于光电器件衬底的氧化锌单晶抛光技术-CN201110175582.3无效
发明人：林文文;黄丰;林璋;林钟潮;黄嘉魁;陈达贵;陈赛英 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2011-06-24 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种满足光电器件外延生长的氧化锌单晶衬底的抛光技术，通过了单晶粗磨、粘片上盘、机械粗磨、机械精磨、机械粗抛，化学机械精抛、清洗和封装这些步骤获得了表面10μm×10μm范围内表面均方根粗糙度小于1nm的氧化锌单晶衬底。此发明涉及到氧化锌单晶衬底粘片过程中所使用的粘结剂、粘片技术和下盘技术，研磨和抛光过程中所使用的研磨液、抛光液和研磨厚度控制技术。利用此发明所获取的氧化锌单晶衬底可以用以外延生长半导体光电器件。
用于光电器件衬底氧化锌抛光技术

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