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[发明专利]用于形成晶圆密封环的方法-CN201910115849.6有效
发明人：邓伊筌;彭荣辉;蔡尚颖;黄信锭;洪丽闵;黄耀德;卓晋逸 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-09-03 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开的一种方法包括可以在晶圆上形成晶圆密封环，该晶圆密封环具有带图案密度的图案结构。晶圆密封环图案结构可以包括具有宽度和间隔约等于晶圆上管芯接合环的宽度和间隔的多条线。具有形成在其上的晶圆密封环的晶圆可以接合至不具有晶圆密封环的晶圆。一对晶圆可以形成为具有以相应的方式形成的对应晶圆密封环。可以将该对晶圆接合在一起并且具有对准并接合在一起的晶圆密封环以在接合的晶圆之间形成密封环结构。
用于形成密封方法

[发明专利]用于气密密封的薄膜结构-CN201911039434.1在审
发明人：游绍祺;陈相甫;黄信锭;洪嘉明;戴文川 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-09-28 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明提供了用于气密密封的薄膜结构。本发明涉及具有气密密封结构的MEMS器件以及相关的方法。在一些实施例中，第一管芯和第二管芯在接合界面区处接合以形成腔室。共形薄膜结构设置为覆盖接合界面区的外侧壁以提供气密密封。在一些实施例中，共形薄膜结构是覆盖第二管芯的外表面和第一管芯的顶面的连续薄层。在一些其他实施例中，共形薄膜结构包括纵向设置的若干离散的薄膜补片。
共形薄膜接合界面气密密封第二管管芯气密密封结构薄膜补片薄膜结构结构设置连续薄层纵向设置接合外侧壁腔室覆盖

[发明专利]为晶圆级芯片尺寸封装件(WLCSP)应用缓解焊接偏移的结构和方法-CN201510450702.4有效
发明人：游绍祺;洪嘉明;黄信锭;陈相甫;张华伦;戴文川 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-07-28 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及具有应力吸收盖衬底的晶圆级芯片尺寸封装件(WLCSP)。盖衬底通过布置在盖衬底的上表面上的接合环和接合焊盘接合至管芯。衬底通孔(TSV)从接合焊盘延伸穿过盖衬底至盖衬底的下表面。此外，上表面中的凹槽在接合焊盘周围延伸和沿着接合环的侧壁延伸。该凹槽吸收诱导应力，从而缓解管芯中的任何器件偏移。本发明的实施例还涉及为晶圆级芯片尺寸封装件(WLCSP)应用缓解焊接偏移的结构和方法。
晶圆级芯片尺寸封装 wlcsp 应用缓解焊接偏移结构方法

[发明专利]提供再分布层（RDL）和硅通孔（TSV）的结构和方法-CN201410332205.X有效
发明人：游绍祺;洪嘉明;陈相甫;戴文川;黄信锭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-07-14 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明公开了一种为半导体封装提供再分布层(RDL)和硅通孔(TSV)的方法。该方法包括制备用于与半导体封装接合的晶圆。该晶圆包括低电阻衬底，低电阻衬底含有RDL和TSV以用于使半导体封装的输入/输出(I/O)连接点在另一位置可用。RDL包括穿过低电阻衬底并且两侧均由隔离沟槽划界的导电路径。TSV由隔离沟槽和RDL划界。制备用于接合的晶圆可以包括制备隔离沟槽，该隔离沟槽对穿过低电阻衬底的用于RDL的导电路径划界以及对低电阻衬底中的用于TSV的立柱中的垂直导电路径划界；在隔离沟槽中填充隔离沟槽材料；以及制备晶圆接合面。本发明还公开了提供再分布层(RDL)和硅通孔(TSV)的结构和方法。
提供再分 rdl 硅通孔 tsv 结构方法

[发明专利]用于集成压力、温度和气体传感器的单片微电子机械系统平台-CN201510446511.0有效
发明人：游绍祺;洪嘉明;黄信锭;陈相甫;张华伦;戴文川 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-07-27 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种单片MEMS(微电子机械系统)平台和相关的形成方法，单片MEMS平台包括温度传感器、压力传感器和气体传感器。在一些实施例中，MEMS平台包括具有一个或多个晶体管器件和温度传感器的半导体衬底。介电层设置在半导体衬底上方。腔设置在介电层的上表面内。MEMS衬底布置在介电层的上表面上并且具有第一部分和第二部分。压力传感器具有通过腔与第二压力传感器电极垂直地分离的第一压力传感器电极，第二压力传感器电极位于MEMS衬底的第一部分内。气体传感器包括设置在第一气体传感器电极和第二气体传感器电极之间的聚合物，第一气体传感器电极位于MEMS衬底的第二部分内。本发明实施例涉及用于集成压力、温度和气体传感器的单片微电子机械系统平台。
用于集成压力温度气体传感器单片微电子机械系统平台

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610683335.7在审
发明人：戴文川;亚历山大·卡尔尼茨基;黄信锭;陈相甫;李久康;沈靖凯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-18 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：一种半导体器件包括衬底和接近衬底的可移动膜。该半导体器件还包括位于衬底上方且从衬底的表面朝着可移动膜突出的台。台包括配置为从膜接收碰撞力的撞击部分和位于撞击部分下方的混合应力缓冲件，其中，混合应力缓冲件包括通过硬度不同可分辨的至少两层。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201610609220.3在审
发明人：刘晏成;黄信锭;蔡尚颖;张贵松 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：一种半导体结构包括第一衬底，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；第二衬底，设置在第一表面上方并包括第一器件和第二器件；第一覆盖结构，设置在第二衬底上方，并且包括延伸穿过第一覆盖结构到达第二器件的通孔；第一腔，环绕第一器件并通过第一覆盖结构和第一衬底限定；第二腔，环绕第二器件并通过第一覆盖结构和第一衬底限定；以及第二覆盖结构，设置在第一覆盖结构上方并覆盖通孔，其中，通过第二覆盖结构密封第二腔和通孔。本发明还提供了半导体结构的制造方法。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]用于晶圆密封环的方法和装置-CN201310395517.0在审
发明人：邓伊筌;彭荣辉;蔡尚颖;黄信锭;洪丽闵;黄耀德;卓晋逸 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-09-03 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：本发明公开的一种方法包括可以在晶圆上形成晶圆密封环，该晶圆密封环具有带图案密度的图案结构。晶圆密封环图案结构可以包括具有宽度和间隔约等于晶圆上管芯接合环的宽度和间隔的多条线。具有形成在其上的晶圆密封环的晶圆可以接合至不具有晶圆密封环的晶圆。一对晶圆可以形成为具有以相应的方式形成的对应晶圆密封环。可以将该对晶圆接合在一起并且具有对准并接合在一起的晶圆密封环以在接合的晶圆之间形成密封环结构。本发明还公开了用于晶圆密封环的方法和装置。
用于密封方法装置

[发明专利]具有能量收集器件的传感器-CN201110324343.X有效
发明人：钟添淦;戴文川;黄耀德;黄信锭;蔡尚颖;杨长沂;洪嘉明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-10-20 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：在本发明披露的一些实施例中，传感器包括基板、传感器元件和能量收集器件。传感器元件包括板件，并且板件相对于基板可移动。能量收集器件形成在传感器元件的板件上。
具有能量收集器件传感器

[发明专利]微电子装置及其集成电路的制造方法-CN201110122230.1有效
发明人：蔡尚颖;彭荣辉;黄信锭;林宏桦;吴铭栋;刘丙寅;黄耀德;谢元智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-05-06 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明是有关于一种微电子装置的形成方法。此方法包含在第一基板上形成接合垫；在第一基板上形成接线垫；在第一基板上、接线垫的侧壁与顶面上以及在接合垫的侧壁形成保护层，以至少部分地暴露接合垫的顶面；借由接合垫接合第一基板与第二基板；打开第二基板，以暴露接线垫；以及移除保护层。
微电子装置及其集成电路制造方法

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