专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种Rb元素掺杂无铅卤化物钙钛矿Csx-CN202211477612.0在审
  • 黄佳霖;朱媛媛;王红军;周静;杨梓怡;熊雨露 - 陕西科技大学
  • 2022-11-23 - 2023-08-04 - C23C16/30
  • 本发明公开了一种Rb元素掺杂无铅卤化物钙钛矿CsxRb1‑xSnBr3纳米结构的制备方法。所述方法步骤如下:选择具有可控调节温度的双温区管式炉反应器,将溴化铯、溴化锡和溴化铷三种粉末按照一定的摩尔比例置于高温区内的石英舟内,将生长纳米结构的衬底置于低温区内的石英舟内,分别控制高温、低温区的生长速率和生长温度;选择惰性气体作为载气,从高温区流向低温区,在低温区的衬底上沉积获得Rb元素掺杂无铅卤化物钙钛矿CsxRb1‑xSnBr3纳米结构。本发明方法制备Rb元素掺杂无铅卤化物钙钛矿CsxRb1‑xSnBr3纳米结构,具有纯度高、绿色环保且能在相当大的范围内控制生长,同时具有质量高、无杂质相的优点,适用于光电半导体器件的制备。
  • 一种rb元素掺杂卤化物钙钛矿csbasesub
  • [发明专利]一种基于双忆阻器的可变电阻电路-CN202211493747.6在审
  • 朱媛媛;王红军;黄佳霖;李治国 - 陕西科技大学
  • 2022-11-25 - 2023-05-09 - H01C10/00
  • 本发明公开了一种基于双忆阻器的可变电阻电路,属于可变电阻器技术领域。包括控制信号输入电路、阻值调节电路以及阻值输出电路;控制信号输入电路与阻值调节电路连接,用于将控制信号输入阻值调节电路,实现对阻值调节电路实现阻值的调节,阻值调节电路的输出与阻值输出电路连接以实现阻值的输出。本发明制备的器件尺寸极小,适合大规模集成;与CMOS工艺兼容,电路的设计简单易行,大大提高利用率、可复制性、可创新性。通过计算机控制的可变负载,更加灵活可控、稳定高效,实现了对电路的多场景控制。
  • 一种基于双忆阻器可变电阻电路

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