专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种切管机全自动下料机构-CN201922354441.2有效
  • 初兴业;黄兴义;黄传鑫;陈明;肖俊清 - 苏州大族松谷智能装备股份有限公司
  • 2019-12-25 - 2020-11-03 - B23D21/00
  • 本实用新型公开了一种切管机全自动下料机构,属于管材切割设备领域,该种切管机全自动下料机构包括第一机架、集渣盒及连接臂,所述第一机架顶部设为滑坡,所述连接臂设于滑坡上方,所述集渣盒与连接臂端部相连,所述集渣盒可收集切割过程中产生的熔渣。所述连接臂还连有除尘装置,可除掉管材切割过程中产生的烟尘等有害气体;滑坡下方设有传送装置,可将滑坡上掉下的产品传送至收集区。该种切管机全自动下料机构结构简单,适用于各种形状的管材切割,可进行自动下料收料,可有效降低环境污染,提升产品质量。
  • 一种切管机全自动机构
  • [实用新型]一种切管机半自动上料机构-CN201922354442.7有效
  • 初兴业;黄兴义;黄传鑫;陈明;肖俊清 - 苏州大族松谷智能装备股份有限公司
  • 2019-12-25 - 2020-11-03 - B23K26/38
  • 本实用新型公开了一种切管机半自动上料机构,属于管材切割设备领域,该种切管机半自动上料机构包括第一机架、上料机构及码料机构,所述第一机架内设有隔板,所述隔板将第一机架内分为两个容置腔,所述容置腔包括第一容置腔和第二容置腔,所述上料机构设于第一容置腔内,所述码料机构设于第二容置腔内,码料机构将管材传输至上料机构处,由上料机构传至激光切管机内进行切割。该种切管机半自动上料机构结构简单,适用于各种形状的管材切割,稳定性好,电动能耗低,生产成本低,而且减小了切割误差,有效提升了工作效率。
  • 一种切管机半自动机构
  • [实用新型]一种高效环保自动上下料切管机-CN201922354445.0有效
  • 初兴业;黄兴义;黄传鑫;陈明;肖俊清 - 苏州大族松谷智能装备股份有限公司
  • 2019-12-25 - 2020-11-03 - B23K26/38
  • 本实用新型公开了一种高效环保自动上下料切管机,属于管材切割设备领域,该种高效环保自动上下料切管机包括自动上料机构、激光切管机、自动落料装置及工作台,所述自动上料机构设于工作台侧面,所述激光切管机设于工作台端部,所述自动落料装置设于激光切管机端部,自动上料机构将管材送至激光切管机内进行切割,切割完毕后,切割成品由自动落料装置接住并传送至收集处。该种高效环保自动上下料切管机适用于各种形状的管材切割,结构简单,稳定性好,电动能耗低,生产成本低,而且减小了切割误差,有效提升了工作效率,可有效降低环境污染,提升产品质量。
  • 一种高效环保自动上下料切管机
  • [实用新型]一种板管两用一体激光切割机-CN201920720786.2有效
  • 李正上;黄兴义;郑五一;初兴业;肖俊清;黄传鑫 - 苏州大族松谷智能装备股份有限公司
  • 2019-05-20 - 2020-03-20 - B23K26/38
  • 一种板管两用一体激光切割机,属于先进制造与自动化技术领域,包括切管总装、主床身、交换台、切割工作台、横梁单元、Z轴单元和外防护罩,所述切割工作台可置于主床身或交换台上,所述切管总装与主床身和交换台处于同一直线上设置,并且切管总装位于主床身远离交换台的一端,所述切管总装的一端设置在外防护罩内,并且切管总装的另一端处于外防护罩外部,所述切管总装位于外防护罩内的一端可处于横梁单元和Z轴单元下方。本实用新型改变了传统的板管一体机从侧面上料的方式,改为从与交换台处于同一直线的另一端进料,缩小的占地面积,使得外防护罩仍为全密封结构,满足环保的要求,并且此结构设置的板管一体机适应不同长短管材切割的需要。
  • 一种两用一体激光切割机
  • [发明专利]具有正电荷阻挡层的金属氧化物薄膜晶管器件及其制备方法-CN201610225855.3在审
  • 李俊;黄传鑫;蒋雪茵;张志林 - 上海大学
  • 2016-04-13 - 2016-07-06 - H01L21/283
  • 本发明公开了一种具有正电荷阻挡层的金属氧化物薄膜晶管器件及其制备方法,依次由基板、栅极、绝缘层、金属氧化物半导体有源层、源极、漏极、钝化层构成底栅结构,并在金属氧化物半导体有源层中间沉积一层厚度为0.5~5nm的正电荷阻挡层,形成复合有源功能层。在本发明薄膜晶管器件的各结构中,采用正电荷阻挡层能有效地抑制在光照偏压下空穴向绝缘层/有源层界面处移动,提升薄膜晶体管器件的稳定性,同时使得金属氧化物薄膜晶体管的迁移率不受影响。这种结构容易实现且制备方法简单,同时还能有效地避免氧化物薄膜在刻蚀过程中造成的损伤。适用于大面积制备,可在基于氧化物薄膜晶体管的平板显示器件中获得广泛应用。
  • 具有正电荷阻挡金属氧化物薄膜器件及其制备方法

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