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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]串行与非式闪存存储器及其内建可变式坏区的管理方法-CN201410104475.5有效
发明人：陈敏修;麦克·欧伦 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2014-03-20 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种串行与非式闪存存储器及其内建可变式坏区的管理方法。闪存存储器的管理方法包括设置地址对应表，其中，地址对应表具有初始对应记录以记录多个逻辑地址与多个实体位置间的对应关系；并且，接收锁定解除命令，以依据锁定解除命令以接收抹除信号来抹除初始对应记录中的至少一部分；另外，接收更新数据并将更新数据写至被抹除的初始对应记录的部分以获得更新对应记录。
串行闪存存储器其内可变式坏区管理方法

[发明专利]序列式NAND型闪存、闪存装置及其操作方法-CN201310394490.3有效
发明人：罗宾·约翰·吉高尔;陈晖;麦克·欧伦 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2013-09-02 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：序列式NAND型闪存、闪存装置及其操作方法，其选自于8‑pin WSON，24‑pin FBGA，8‑pin SOIC以及16‑pin SOIC，其中封装的至少一些压点为一SPI接口的主动式压点；一NAND型闪存阵列，包含在封装中；分页缓冲器，包含在封装中以及耦接至NAND型闪存阵列；以及控制逻辑，包含在封装中以及耦接NAND型闪存阵列和分页缓冲器，以对应一读取指令提供一数据，其中数据通过分页缓冲器从NAND型闪存阵列输出至SPI接口的主动式压点的至少一压点。通过对存储器的程序代码映射操作，以致能连续读取而没有延迟。
序列 nand 闪存装置及其操作方法

[发明专利]非易失性半导体存储器及数据读出方法-CN201310317320.5有效
发明人：山内一贵;水藤克年;麦克·欧伦;金钟俊;申仑澈 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2013-07-25 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性半导体存储器及数据读出方法，其中，所述非易失性半导体存储器包括：存储器阵列、根据地址选择页面的选择装置、保存页面数据的数据保存装置、以及输出保存数据的输出装置。数据保存装置包括：第一数据保存装置，从存储器阵列页面接收数据；第二数据保存装置，从第一数据保存装置接收数据；及数据传送装置，配置于第一和第二数据保存装置之间。数据传送装置在输出第二数据保存装置的第一部分的数据时将第一数据保存装置的第二部分的数据传送至第二数据保存装置，并且在输出第二数据保存装置的第二部分的数据时将第一数据保存装置的第一部分的数据传送至第二数据保存装置。
非易失性半导体存储器数据读出方法

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共 3 条

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