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[发明专利]磁记录介质、磁记录再生装置及磁记录介质的制造方法-CN202210092809.6在审
发明人：青野良贤;鹈饲高广;蛯泽贵直;丹羽和也;绀野孝幸 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G11B5/716 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供耐腐蚀性高的磁记录介质。本发明涉及的磁记录介质在非磁性基板上依次具备基底层、垂直磁性层、扩散防止层和保护层，上述垂直磁性层为多层结构，上述垂直磁性层的最上层在磁性粒子中包含Co或Fe，上述垂直磁性层的最上层以外的层的至少1层包含氧化物，上述扩散防止层设置于上述垂直磁性层与上述保护层之间，其包含选自由Si、Ti、Cr、B和Ru所组成的组中的1个以上的成分、或它们的碳化物和氧化物的至少一者。
记录介质再生装置制造方法

[发明专利]垂直磁记录介质及磁存储装置-CN201510818080.6有效
发明人：长谷川浩太;鹈饲高广;山川荣进;圆谷志郎;境诚司 -专利权人：昭和电工株式会社;日本原子力研究开发机构
申请日： 2015-11-23 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： G11B5/667 文献下载
摘要：本发明提供一种垂直磁记录介质及磁存储装置。一种垂直磁记录介质，包括非磁性衬底；垂直磁性层，其设在所述非磁性衬底的上方；以及保护层，其设在所述垂直磁性层上。所述垂直磁性层具有六角密积结构、并包括多个堆叠的层，该多个堆叠的层具有相对于所述非磁性衬底的表面平行取向的(0002)晶面。所述垂直磁性层的多个堆叠的层中的最上层包括多晶体晶粒，所述多晶体晶粒选自CoCr基合金、CoPt基合金、CoCrPt基合金、及CoPtCr基合金构成的组。所述保护层与所述垂直磁性层的所述最上层接触，并且所述保护层包括单一石墨烯层或石墨烯层叠体、以及非晶碳层。所述单一石墨烯层或所述石墨烯层叠体与所述多晶体晶粒的(0002)晶面平行结合。
垂直记录介质存储装置

[发明专利]垂直磁记录介质和磁记录再生装置-CN201110244091.X有效
发明人：高星英明;鹈饲高广 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2011-08-24 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：本发明提供一种电磁转换特性优异且能够满足高记录密度化的需要的垂直磁记录介质和具备该垂直磁记录介质的磁记录再生装置。本发明采用的垂直磁记录介质，是在非磁性基板(1)上至少顺序层叠衬里层(2)、基底层、中间层(5)和垂直磁记录层(6)而成的垂直磁记录介质，其特征在于，衬里层(2)至少具有软磁性膜，该软磁性膜具有非晶质结构，基底层是从非磁性基板(1)侧层叠第1基底层(3)和第2基底层(4)而成的，第1基底层(3)是含有fcc结构的元素和bcc结构的元素的fcc结构的合金层，第2基底层(4)含有NiW合金，中间层(5)含有Ru或Ru合金。
垂直记录介质再生装置