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[发明专利]一种马赫曾德尔电光调制器及调制方法-CN202310067477.0在审
发明人：郑学彦;魏红振;苗荣生;李泽彬;彭羽;万里威 -专利权人：珠海市艾尔德光通讯技术有限公司
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G02F1/225 文献下载
摘要：本申请提供了一种马赫曾德尔电光调制器及调制方法，所述调制器包括硅基底层，所述硅基底层上覆设有第一二氧化硅层，所述第一二氧化硅层中嵌设有第一共面波导电极，所述第一二氧化硅层上覆设有波导层，所述第一共面波导电极和所述波导层接触连接；所述波导层背离所述第一二氧化硅层的表面设有第二共面波导电极，所述波导层和所述第二共面波导电极二者形成的空隙中涂覆有第二二氧化硅层；其中，所述第一共面波导电极和所述第二共面波导电极供于施加同频同相的电压信号。
一种马赫曾德尔电光调制器调制方法

[发明专利]偏振不敏感微环调制器-CN201880030183.8有效
发明人：温扬敬;白聿生;魏红振 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2018-05-22 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：一种实现为偏振不敏感微环调制器(PIMRM)(200)的透射型偏振不敏感调制器，包括第一偏振分束器‑旋转器(PSR)(103)、微环(204)、以及第二PSR(108)，第一PSR(103)用于从输入(102)生成具有共同偏振的第一光束(TE 120)和第二光束(TE’123)，微环(204)用于用数据调制第一光束(TE 120)以生成第一输出信号(S 130)，并用数据调制第二光束(TE’123)以生成第二输出信号(S’133)，第二PSR(108)用于组合第一输出信号(S 130)和第二输出信号(S’133)以形成调制输出信号，其中，微环(204)设置于第一PSR(103)和第二PSR(108)之间。
偏振敏感调制器

[发明专利]边缘耦合设备制造-CN201580018130.0有效
发明人：潘华璞;刘宗荣;魏红振;陈宏民 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2015-04-07 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：提供了一种制造边缘耦合设备的方法和一种边缘耦合设备。该方法包括移除一部分覆层材料，以在倒锥形硅波导上形成沟槽；在覆层材料的剩余部分上以及在沟槽中，沉积具有折射率大于二氧化硅的材料；以及移除在所述沟槽中的一部分所述材料，以形成脊形波导。
边缘耦合设备制造

[发明专利]垂直PN硅调制器-CN201680018147.0有效
发明人： 魏红振;杨莉;徐千帆;沈晓安 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2016-03-17 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：一种硅波导(110)，包括波导芯(118)，其包括第一正掺杂区域(111)，该区域也称为P1区域，第一正掺杂(P1)区域垂直地邻近于第二正掺杂区域(112)，该区域也称为P2区域。P2区域(112)比P1区域(111)更重的正掺杂。第一负掺杂区域(114)，该区域也称为N1区域，垂直地邻近于第二负掺杂区域(113)，该区域也被称为N2区域。N2区域(113)比N1区域(114)更重的负掺杂。垂直邻近定位N2区域(113)和P2区域(112)以形成正‑负(PN)结。N1区域(114)、N2区域(113)、P1区域(111)以及P2区域(112)定位为垂直的PN结并且用于，当施加电压降穿过N1区域(114)、N2区域(113)、P1区域(111)以及P2区域(112)时，完全地耗尽P2区域(112)的正离子并且完全地耗尽N2区域(113)的负离子。
垂直 pn 调制器

[发明专利]反射平面光波电路波导-CN200980114863.9无效
发明人： 魏红振;雷·梁;林雯华;特德·陈;雅各布·森 -专利权人：铱诺博伦斯美国元件股份有限公司
申请日： 2009-02-11 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明提出了一种制造能够与表面安装部件集成的平面光波电路(PLC)波导的方法。该方法包括蚀刻硅衬底以形成倾斜壁、在硅衬底上形成非反射波导部分以及在倾斜壁上沉积反射层。光在基本第一方向上行进通过非反射波导部分，来自非反射波导部分的光照射到反射层以被改变方向在第二方向上。第二方向可以是朝向表面安装部件的方向。本发明还提出了利用上述方法制造的PLC波导器件。
反射平面光波电路波导