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[发明专利]一种双面散热功率半导体的封装方法及封装结构-CN202310120484.2在审
发明人： 魏佳轩;谢文华;任炜强 -专利权人：深圳真茂佳半导体有限公司
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本申请涉及一种双面散热功率半导体的封装方法及封装结构，封装方法包括步骤：S1：粘片，将MOS芯片正装地焊接在引线框架单元的框架上；S2：将第一铜夹焊接在MOS芯片的源极和源极引脚上，将第二铜夹焊接在MOS芯片的栅极和栅极引脚上；S3：塑封；S4：对引线框架单元的外表面进行磨削，使源极引脚和栅极引脚在蚀刻槽处与框架断路；S5：成形源极引脚、栅极引脚和漏极引脚的外侧部分。本申请承载电流能力大，能承受更高功率密度；形成立体散热结构，能起到更好的散热作用；充分利用了DFN封装体积小，灵活性高的特点，提高了散热性能后，可应用于更高功率密度的系统，弥补DFN 5x7封装尺寸的空缺，使其应用领域更广泛。
一种双面散热功率半导体封装方法结构

[实用新型]半导体功率器件的钝化膜层芯片结构及封装构造-CN202223610945.4有效
发明人：康剑;任炜强;谢文华;魏佳轩;杨正友;魏长江 -专利权人：深圳真茂佳半导体有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体功率器件的钝化膜层芯片结构及封装构造，包括覆盖于芯片主体的表面的钝化层，钝化层包括无机钝化膜及有机钝化膜，无机钝化膜直接覆盖于芯片主体的表面，有机钝化膜覆盖于无机钝化膜上，有机钝化膜的厚度大于无机钝化膜的厚度。钝化层作为芯片主体的表面形成的一层保护膜，保持芯片主体的稳定性。无机钝化膜与有机钝化膜组合形成钝化层，加强了钝化层的钝化效果。而有机钝化膜的厚度大于无机钝化膜的厚度能够消除无机钝化膜内部的厚度应力，从而使得芯片主体承受高温高电压及漏电流较小，并保持稳定的反压曲线。
半导体功率器件钝化芯片结构封装构造

[实用新型]一种MOS管-CN202223613436.7有效
发明人： 魏佳轩;谢文华;康剑;魏长江;任炜强 -专利权人：深圳真茂佳半导体有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本申请公开了一种MOS管，包括MOS块、固定片、引脚和连接件；所述固定片设置于所述MOS块上，所述引脚包括第一引脚和第二引脚，所述第一引脚设置于所述MOS块上，所述连接件包括连接块，所述第一引脚和第二引脚通过所述连接块活动连接。本申请能够改善在运输过程中因引脚较长而发生损坏的情况。
一种 mos

[实用新型]一种散热MOS管-CN202223610970.2有效
发明人：谢文华;魏佳轩;张中华 -专利权人：深圳真茂佳半导体有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本申请涉及半导体电子元件技术领域，尤其是涉及一种散热MOS管，其包括管体、芯片和若干引脚，芯片贴于管体内壁上，若干引脚均贯穿管体侧壁与芯片电性连接，管体与芯片相贴的侧壁外表面设有若干密闭散热腔体，散热腔体内部分填充有冷却液。本申请可有效降低MOS管工作时的温度。
一种散热 mos

[发明专利]无外接脚式半导体功率器件封装构造及其制造方法-CN202211730159.X在审
发明人：谢文华;魏佳轩;任炜强 -专利权人：深圳真茂佳半导体有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明涉及一种无外接脚式半导体功率器件封装构造及其制造方法，该封装构造包括取自于同一导线架的漏极垫、若干源极管脚与栅极管脚，还包括设置于漏极垫上的芯片、设置于芯片上的内置导电夹以及包裹芯片与内置导电夹的模封胶体。源极管脚的下表面延伸到模封胶体的底面轮廓边缘，源极管脚在超过模封胶体的部位形成为分叉结构，分叉结构中的预开槽缺口的侧壁形成有湿润金属层，预开槽缺口的开口两侧为无湿润金属层的切单断面，以供收拢多余的外銲料。本发明提供的封装构造具有在产品表面接合时约束多余外銲料的回流溢散或/与表面接合后能光学检测外銲料溢流饱和度的效果，兼具有防止管脚脱落的效果。
外接半导体功率器件封装构造及其制造方法