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- [发明专利]半导体装置-CN201180041371.9无效
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守屋要一;金森哲雄;八木幸弘;杉本安隆;高田隆裕
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株式会社村田制作所
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2011-08-22
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2013-05-01
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H01L23/36
- 本发明涉及具备在动作时会发热的半导体元件和安装该半导体元件的基板的半导体装置,在该半导体装置中,能实现小型化且提高电流强度,并且能通过朝向基板的下表面来实现半导体元件的电连接。通过散热用基板(4)和布线用基板(5)来分担作为基板的功能,其中,该散热用基板(4)具有较高的导热率,且该散热用基板的两个主面(8,13)由电绝缘体来构成,在电绝缘体上形成有外部导体(14);该布线用基板(5)安装于该散热用基板(4)的上方主面(8)上,且该布线用基板(5)具有比散热用基板(4)低的导热率,在该布线用基板(5)的内部形成有布线导体(18),该布线导体(18)以银或铜为主要成分且与外部导体(14)电连接。在散热用基板(4)的上方主面(8)上、且在设于布线用基板(5)的通孔(6)内,安装半导体元件(2)。半导体元件(2)具有下表面电极(10),该下表面电极(10)经由外部导体(14)与布线导体(18)电连接。
- 半导体装置
- [发明专利]陶瓷组合物-CN200480014335.3有效
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高田隆裕
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株式会社村田制作所
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2004-05-14
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2006-06-28
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C04B35/50
- 本发明提供一种陶瓷组合物,是在玻璃组合物中含有由Al2O3及TiO2的至少一方构成的填充物的陶瓷组合物,其特征是,陶瓷组合物的组成为:在将稀土类元素Ln的氧化物Ln2O3的摩尔量设为a,将氧化硼B2O3的摩尔量设为b,使a+b=1摩尔时,a为0.15~0.55摩尔,b为0.45~0.85摩尔,碱土类金属元素R的氧化物RO为0.01~0.2摩尔,填充物为0.1~0.4摩尔。
- 陶瓷组合
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