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[发明专利]半导体存储器装置-CN202310074050.3在审
发明人：金宰浩;金在泽;高汉娜 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：本公开涉及半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：第二下绝缘层；虚设层叠物，其位于第二下绝缘层上；源极结构，其布置在与第二下绝缘层基本相同的高度；单元层叠物，其位于源极结构上；多个接触插塞，其穿过虚设层叠物；以及虚设接触件，其穿过虚设层叠物的一部分并布置在接触插塞之间。
半导体存储器装置

[发明专利]半导体存储器器件以及制造该半导体存储器器件的方法-CN202211404236.2在审
发明人： 高汉娜 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H10B43/20 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及半导体存储器器件以及制造该半导体存储器器件的方法。本技术包括半导体存储器器件。该半导体存储器器件包括：源极叠层；电容器电极，包括埋置在源极叠层中的金属层；叠层，包括交替堆叠在源极叠层上的第一绝缘层和第二绝缘层；以及接触插塞，穿过叠层并延伸以连接到金属层。
半导体存储器器件以及制造方法

[发明专利]用于将文本转换为语音的电子装置和方法-CN201610902916.5有效
发明人：成准植;赵乾佑;裴在撤;金光勋;高汉娜;裴索拉;尹银珠;赵洪一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-10-17 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： G10L13/02 文献下载
摘要：一种用于将文本转换为语音的电子装置和方法。电子装置包括处理器和与处理器电连接的存储器。存储器存储超级群集型通用声学数据集和使处理器执行以下操作的指令：获取至少一个文本，选择与获取的文本被转换成的语音相关联的信息，当所选择的信息是第一信息时，选择第一路径中的至少一条第一路径，基于所选择的第一路径来加载所述超级群集型通用声学数据集中的元素，并基于所述超级群集型通用声学数据集中的所述元素来产生第一声学信号，当所选择的信息是第二信息时，选择第二路径中的至少一条第二路径，基于所述至少一条的第二路径来加载所述超级群集型通用声学数据集中的元素，并基于所述超级群集型通用数据集中的所述元素来产生第二声学信号。
用于文本转换语音电子装置方法

[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法-CN202010356247.2在审
发明人： 高汉娜;金在泽 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L27/11575 文献下载
摘要：半导体存储器装置及其制造方法。该半导体存储器装置包括：层叠结构，其包括在减薄区域中层叠但彼此间隔开的第一材料膜，所述第一材料膜在所述减薄区域中以台阶结构层叠；接触孔，其使在所述减薄区域中形成在不同层中的所述第一材料膜的一部分暴露；以及多个材料膜，其被涂覆并蚀刻以将所述多个材料层中的一个电连接到外围电路。
半导体存储器装置及其制造方法