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- [发明专利]MIM电容及其制作方法-CN202310946000.X在审
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江红;高毅
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2023-07-28
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2023-10-13
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H10N97/00
- 本发明提供一种MIM电容及其制作方法,MIM电容包括:衬底以及位于衬底上的下极板、上极板和层间介质层;上极板呈台阶状且包括上台阶部、下台阶部和台阶侧壁;上台阶部覆盖部分下极板;上台阶部与下极板之间形成有板间介质层,下极板的侧壁与台阶侧壁之间形成有侧墙介质层;第一接触孔暴露出下台阶部的上表面;第二接触孔暴露出下极板的上表面。本发明上极板呈台阶状,上极板的电信号从下台阶部通过第一接触孔引出,降低了第一接触孔底部与第二接触孔底部二者的高度差,从而降低了刻蚀难度,避免了第一接触孔过刻蚀;第一接触孔不在上台阶部与下极板的交叠区域,彻底避免了第一接触孔过刻蚀导致的上极板与下极板短路的问题。
- mim电容及其制作方法
- [发明专利]基于物联网的水电安全监控系统-CN202310292060.4有效
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乔向宁;张艳林;高毅
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北京东华博泰科技有限公司
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2023-03-23
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2023-10-03
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H02J13/00
- 本发明公开了基于物联网的水电安全监控系统,属于水电站管理技术领域,包括电站分析模块、监测分析模块和控制模块;所述电站分析模块用于进行各小水电站的规划分析,生成水电站并网分布图;所述监测分析模块用于进行各小水电站的监测分析,获得各小水电站电力数据的校核结果和监测值,将获得的校核结果和监测值在水电站并网分布图中的对应位置上进行实时显示和更新;所述控制模块用于进行各小水电站的并网控制,实时识别水电站并网分布图中表示需要进行中断并网的表现形式,识别该小水电站对应的控制单元,向该控制单元发送对应的中断信号,当控制单元接收到中断信号时,中断该小水电站的并网。
- 基于联网水电安全监控系统
- [发明专利]多晶硅层的形成方法-CN202310892889.8在审
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张磊;关长利;高毅
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华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2023-07-19
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2023-09-29
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H10B41/30
- 公开了一种多晶硅层的形成方法,包括:提供一衬底,该衬底包括第一区域和第二区域,第一区域用于集成元胞器件,第二区域用于集成逻辑器件,衬底上形成有第一氧化层,第一氧化层上形成有第一氮化层,衬底、第一氧化层和第一氮化层中形成有STI结构;通过刻蚀降低STI结构的高度,使第一氮化层的上表面高于STI结构的上表面;依次形成第二氮化层和第二氧化层,第二氮化层覆盖第一氮化层和STI结构暴露的表面;去除第一区域的第一氮化层、第二氧化层和第二氮化层且去除第二区域的第二氧化层;形成多晶硅层,多晶硅层覆盖第一区域和第二区域;进行平坦化处理,直至第二区域的第二氮化层暴露;进行刻蚀,直至第一区域的STI结构暴露,去除第二区域的多晶硅层。
- 多晶形成方法
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