专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种反激电源两路输出交叉调整率的优化电路-CN202211158426.0在审
  • 高本峰 - 东科半导体(安徽)股份有限公司
  • 2022-09-22 - 2022-12-02 - H02M5/12
  • 本发明实施例涉及一种反激电源两路输出交叉调整率的优化电路,包括:第一迟滞开关、第二迟滞开关、双路电压比较电路、光耦、R1和R15;双路电压比较电路的两路输入端分别连接反激电源的非反馈绕组端,两个输入端的电压分别与双路电压比较电路内部的稳压源的输出电压进行比较;当非反馈绕组端输出的电压高于设定阈值上限时,第一迟滞开关导通,R1接入非反馈绕组端加大其输出负载从而降低非反馈绕组端的输出电压;当非反馈绕组端输出的电压低于设定阈值下限时,光耦内部的光敏三极管截止,第二迟滞开关导通时将R15接入主反馈绕组端,通过反馈控制增大反激电源中PWM的开通脉宽,提高反激电源原边到副边的输出能量,使得非反馈绕组端的输出电压随之升高。
  • 一种电源输出交叉调整优化电路
  • [实用新型]一种功率因数校正PFC跟随电路-CN202221900201.3有效
  • 高本峰 - 东科半导体(安徽)股份有限公司
  • 2022-07-22 - 2022-11-01 - H02M1/42
  • 本实用新型实施例涉及一种功率因数校正PFC跟随电路,其中,整流桥的两个输入端连接交流输入电压,第一输出端接充电电路的输入端,第二输出端接地;电压检测电路的输入端接整流桥的第一输出端,电压检测电路的输出端接所述电容C1的第一端;电容C1的第二端接地;电压跟随器的同相输入端与电容C1的第一端相连接,电压跟随器的输出端接电压跟随器的反相输入端;镜像电流源的输入端连接电压跟随器的输出端,镜像电流源的输出端接输出电路的输入端;输出电路的输入端还接PFC控制芯片的基准电压;输出电路的输出端输出PFC跟随电路的输出电压。
  • 一种功率因数校正pfc跟随电路
  • [实用新型]一种互补驱动信号发生电路-CN202221020031.X有效
  • 高本峰;王敬冲;陈亮;商剑;张洁怡 - 东科半导体(安徽)股份有限公司
  • 2022-04-29 - 2022-10-04 - H02M1/088
  • 本实用新型实施例涉及一种互补驱动信号发生电路,双运算放大器的供电输入引脚和第二反相输入端分别接电源电压,第一分压电阻和第二分压电阻串联连接在供电输入引脚和地之间,且二者相接的第一电位点接双运算放大器的第一同相输入端,双运算放大器的第一反相输入端和第二同相输入端分别串联电容接地;第一输出端接RS触发器的S引脚,第二输出端接R引脚,Q引脚接第二驱动信号输出节点,还接反相器的输入端,反相器的输出端接第一驱动信号输出节点;第一开关管S1和第二开关管S2串联在电源和地之间,第一开关管S1和第二开关管S2之间的第二电位点分别接第一反相输入端和电容;RS触发器的Q引脚还接第一开关管S1的控制输入,QN引脚接第二开关管S2的控制输入。
  • 一种互补驱动信号发生电路
  • [实用新型]一种死区时间产生电路-CN202221019783.4有效
  • 高本峰 - 东科半导体(安徽)股份有限公司
  • 2022-04-29 - 2022-08-26 - H02M1/38
  • 本实用新型实施例涉及一种死区时间产生电路,供电输入引脚接电源电压,两个分压电阻串联连接在供电输入引脚和地之间;两个分压电阻相接的第一电位点分别接双运算放大器的第一反相输入端和第二反相输入端,第一同相输入端串联第一电容接地;第二同相输入端串联第二电容接地;开关管S3、S5和开关管S6、S4分别串接在电源与地之间;开关管S3和S4由第一驱动信号控制,开关管S5和S6由第二驱动信号控制;第二驱动信号和第一输出端接入第一与门,第一与门的输出端输出第二半桥输出信号,第一驱动信号和第二输出端接入第二与门,第二与门的输出端输出第一半桥输出信号;两个半桥输出信号之间的死区时间与第一分压电阻和第二分压电阻之比具有相关性。
  • 一种死区时间产生电路
  • [发明专利]一种死区时间可调节的半桥驱动电路-CN202210464485.4在审
  • 高本峰 - 东科半导体(安徽)股份有限公司
  • 2022-04-29 - 2022-08-12 - H02M1/38
  • 本发明实施例涉及一种死区时间可调节的半桥驱动电路,包括:互补驱动信号发生电路和死区时间产生电路;互补驱动信号发生电路包括第一分压电路;死区时间产生电路包括第二分压电路;互补驱动信号发生电路输出组成互补脉冲宽度调制信号的第一驱动信号和第二驱动信号,并作为死区时间产生电路的逻辑控制信号,使得死区时间产生电路的输出第一半桥输出信号和第二半桥输出信号;第一/第二半桥输出信号的低电平输出随第一/第二驱动信号的信号翻转同时响应,第一/第二半桥输出信号的高电平输出随第一/第二驱动信号翻转延时响应;第一分压电路用以控制第一/第二驱动信号的翻转周期;第二分压电路用以控制延时响应的时间,即半桥驱动电路的死区时间。
  • 一种死区时间调节驱动电路
  • [发明专利]一种解决金属填充Metal Fill引起芯片时序恶化的方法-CN202210209793.2在审
  • 赵少峰;高本峰 - 东科半导体(安徽)股份有限公司
  • 2022-03-03 - 2022-06-03 - G06F30/398
  • 本发明实施例涉及一种解决金属填充Meta l F i l l引起芯片时序恶化的方法。在布局布线步骤中,获取芯片中各个时序路径上各时序端点的建立时间和保持时间;根据芯片的时钟周期确定各个时序端点发生建立时间违例对应的第一违例时间和保持时间违例对应的第二违例时间;对每个时序路径确定各时序端点的建立时间与第一违例时间的时间间隔是否满足设定的时序裕度,以及对每个时序路径确定从建立时间起经过保持时间后的终止时间与第二违例时间的时间间隔是否满足设定的时序裕度;当存在任一不满足时,确定时序路径为时序风险路径,并以设定宽度生成虚拟阻挡层,沿时序风险路径设置虚拟阻挡层,用以后续在金属填充时阻挡在虚拟阻挡层所占位置上执行金属填充。
  • 一种解决金属填充metalfill引起芯片时序恶化方法

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