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[发明专利]一种全通信波段覆盖的高速光电探测器-CN202210869708.5有效
发明人：李冲;高昕元;刘芮汐;李占杰;于书伟;刘云飞 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种全通信波段覆盖的高速光电探测器，高速光电探测器是半导体光电探测器件；半导体光电探测器件为台面结构，包括自下向上依次设置的衬底层、本征吸收层、等离激元纳米金属颗粒层和透明电极层；衬底层通过刻蚀暴露在台面结构的下台面，本征吸收层位于台面结构的上台面；衬底层上设有第一金属电极，透明电极层上设有第二金属电极；本征吸收层的表面纵向制作周期性锥形空气孔洞形成光子晶体；周期性锥形空气孔洞内填充有禁带宽度不同于本征吸收层材料的其他半导体材料以形成锥形孔洞材料填充区。本发明适用探测波长范围为紫外、可见光、近红外波段，同时具有高吸收效率、高集成度等优点。
一种通信波段覆盖高速光电探测器

[发明专利]一种基于光子晶体的多通道探测器-CN202210255542.8有效
发明人：李冲;刘芮汐;高昕元;于书伟;刘云飞;邓赫卿 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于光子晶体的多通道探测器，包括：衬底；在衬底的顶部本征层内制作有周期性空气孔排列形成的光子晶体，顶部本征层上选择生长两种不同的吸收材料；在顶部本征层和吸收材料一上溅射形成N电极和P电极，在吸收材料二的两侧分别注入离子形成p型掺杂区和n型掺杂区，在p型掺杂区上形成P+欧姆接触电极，在n型掺杂区上形成N+欧姆接触电极；两组P电极与N电极之间形成电势差，实现光电转换。本发明多通道探测器的结构设计灵活，通过光子晶体的陷光效应提高对光的捕获率，便于与现有光通信器件集成，可实现光缓存；同时，通过多通道探测不同波长的光，实现波分复用的光传输系统，提高了探测器吸收效率。
一种基于光子晶体通道探测器

[发明专利]一种窄线宽的相干光VCSEL阵列芯片-CN202310205481.9在审
发明人：李冲;刘云飞;李官政;于书伟;高昕元;刘芮汐 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01S5/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种窄线宽的相干光VCSEL阵列芯片，阵列尺寸为1×2；其包括：相对称的第一激光发射单元和第二激光发射单元；第一激光发射单元和第二激光发射单元均包括自上至下依次设置的第一反射镜、氧化限制层、有源层、第二反射镜和衬底层；第一激光发射单元和第二激光发射单元的氧化限制层的中间设有水滴型通光孔，第一激光发射单元和第二激光发射单元的端面设有水滴型出光孔；两个水滴型通光孔和两个水滴型出光孔均对称排布且孔间距小于激射波长。本发明的两激光在第一反射镜和第二反射镜之间振荡传播，在通光孔内通过倏逝波形式垂直于氧化限制层向表面方向出射，两个激光发射单元发射的倏逝波在水滴尖端附近产生耦合，发出相干光。
一种窄线宽相干光 vcsel 阵列芯片

[发明专利]一种雪崩光电探测器及其制备方法-CN202210995229.8在审
发明人：李冲;杨帅;李占杰;高昕元;刘芮汐;于书伟 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明提供一种雪崩光电探测器，包括硅衬底，埋层氧化硅形成于硅衬底上，硅台面区形成于埋层氧化硅上，硅接触区形成于硅台面区两侧的埋层氧化硅上，锗外延层形成于硅台面区上，第一电极与锗外延层欧姆接触，第二电极与硅接触区欧姆接触。该雪崩光电探测器中，锗外延层的面积小于硅台面区，且在锗外延层和硅台面区的同侧均刻蚀出直角结构，在锗外延层和硅台面区直角结构的相对一侧为光传入侧。该雪崩光电探测器具有吸收效率高、尺寸小、易于集成、损耗均匀性较好、加温控后热稳定性好、可与有源器件集成、强抗辐射能力和易于封装的优势。本发明还提供了该雪崩光电探测器的制备方法，该方法具有操作简单和重复性好的优点。
一种雪崩光电探测器及其制备方法