专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于磁性斯格明子的忆阻器及其阻值调控方法-CN202010341435.8在审
  • 马付胜;马莽原 - 南京师范大学
  • 2020-04-27 - 2020-08-21 - H01L43/02
  • 本发明公开了一种基于磁性斯格明子的忆阻器及其阻值调控方法,忆阻器由下至上依次包括衬底、第一铁磁层和第二铁磁阵列层,第二铁磁阵列层包括阵列排布的多个第二铁磁单元,第二铁磁单元包括中间层和位于中间层上的第二铁磁层,中间层和第二铁磁层为直径相同的圆柱体结构,中间层为第一铁磁层和第二铁磁层提供反铁磁耦合。通过施加外磁场对忆阻器内斯格明子尺寸进行调控,斯格明子的尺寸会随着外磁场的增大或减小而逐渐变大或逐渐变小,斯格明子尺寸的变化会直接引起忆阻器内磁矩分布的变化,从而引起忆阻器电阻的变化。本发明忆阻器尺寸小,构造简单,可以高密度、大规模集成,高低阻态之间的变化是渐变、连续且可控的。
  • 一种基于磁性明子忆阻器及其阻值调控方法

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