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[发明专利]基于级联正负非线性相移调制产生周期量级脉冲的方法-CN202211198892.1在审
发明人： 马小睿;袁帅;邹晓旭;侯皓严;陈嘉宁;司璐;于涵;陈俊宇;曾和平 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G02F1/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于级联正负非线性相移调制产生周期量级脉冲的方法，负相移薄片利用级联二阶非线性过程产生光谱红移，以及正二阶相移薄片利用飞秒光丝等离子体产生光谱蓝移，由均为二阶非线性相移的正负相移薄片构成一级正负相移薄片，多级依次级联，通过调制每级相移量相等，符号相反，激光经过多级级联的正负相移薄片，将光谱展宽至100nm以上的超连续光谱，且啁啾为线性啁啾。实现了传统手段很难实现的宽带相干辐射，能实现100nm以上的光谱带宽，为实现1030nm周期量级脉冲提供了一种有效途径。
基于级联正负非线性相移调制产生周期量级脉冲方法

[实用新型]超短脉冲半导体晶圆隐切装置-CN202221207038.2有效
发明人： 马小睿;袁帅;司璐;于涵;姚天军;邹晓旭;侯皓严;曾和平 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种超短脉冲半导体晶圆隐切装置，光源部设置在啁啾脉冲产生部之前，用于向啁啾脉冲产生部发出脉冲激光；啁啾脉冲产生部设置在光源部与色散调制部之间，用于将光源部的超短脉冲激光展宽，使展宽的脉冲激光产生的宽脉冲被色散调制部补偿；色散调制部通过聚焦部将聚焦点设置在半导体晶圆内部，使聚焦点处色散被完全补偿；晶圆切割平台设置在聚焦部下方，用于放置半导体晶圆，通过移动晶圆切割平台来改变半导体晶圆的切割位置；轨迹观察与反馈部，用于观察焦点位置，并反馈信号传输至色散调制部和聚焦部，用于调整焦点位置及大小。本实用新型能够稳定激光焦点的位置，减小由非线性效应带来的焦点浮动，提升激光切割的精度。
超短脉冲半导体晶圆隐切装置

[发明专利]一种超短脉冲半导体晶圆隐切装置-CN202210509251.7在审
发明人： 马小睿;袁帅;司璐;于涵;姚天军;邹晓旭;侯皓严;曾和平 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种超短脉冲半导体晶圆隐切装置，光源部设置在啁啾脉冲产生部之前，用于向啁啾脉冲产生部发出脉冲激光；所述啁啾脉冲产生部设置在光源部与色散调制部之间，用于将光源部的超短脉冲激光展宽，使展宽的脉冲激光产生的宽脉冲被色散调制部补偿；所述色散调制部通过聚焦部将聚焦点设置在半导体晶圆内部，使聚焦点处色散被完全补偿；所述晶圆切割平台设置在聚焦部下方，用于放置半导体晶圆，通过移动改变半导体晶圆的切割位置；所述轨迹观察与反馈部，用于观察焦点位置，反馈信号传输至色散调制部和聚焦部，用于调整焦点位置及大小。本发明能够稳定激光焦点的位置，减小由非线性效应带来的焦点浮动，提升激光切割的精度。
一种超短脉冲半导体晶圆隐切装置