专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于制造光子装置的元件的系统和方法-CN202080057026.3在审
  • 卢恰·罗马诺;马可·斯坦帕诺尼;康斯坦钦斯·叶菲莫夫斯基;马蒂亚斯·卡贾斯;霍安·维拉·科马马拉 - 保罗·谢勒学院
  • 2020-07-28 - 2022-03-22 - H01L21/306
  • 本公开提供了通过使用连续金属网和在呈连续流的空气和蚀刻剂的存在下进行蚀刻而在半导体基底中制造作为光子装置的元件的高纵横比图案的方法。在一种方法中,涉及形成稳定的金属‑半导体合金的稳定催化剂允许即使在非常低的氧化剂浓度(例如存在于空气中的氧化剂物质)的条件下也在垂直方向上蚀刻基底而无需任何外部偏压或磁场,从而在半导体基底中实现非常高的纵横比结构。半导体基底上的金属层与空气中包含的氧化剂反应,并通过蚀刻剂催化半导体蚀刻。在一种方法中,通过使经水稀释的HF溶液蒸发来供应蚀刻剂。在金属层附近呈连续流的空气允许在金属层附近保持恒定的氧化剂浓度。这有利于反应物物质和蚀刻副产物的传质,因此该过程可以长时间持续以形成非常高的纵横比结构。一旦形成经蚀刻的半导体结构,连续的空气流支持反应物物质扩散通过经蚀刻的半导体结构,从而保持高纵横比结构的均匀蚀刻速率。连续的空气流支持反应副产物的扩散,从而避免抑制蚀刻反应。用这种方法可以获得具有约10000:1的纵横比的结构。该方法具有优异的纳米尺度上的图案转移能力。由于氧化剂可以通过普通空气提供,因此该系统具有特别的实施优势,因为它不需要对危险和易燃气体(例如O2气体)或不稳定化学品(例如H2O2)进行任何处理。
  • 用于制造光子装置元件系统方法
  • [发明专利]使用平面几何结构的光栅设备进行X射线相衬成像和暗场成像的方法-CN201180032532.8无效
  • 克里斯蒂安·大卫;马可·斯坦帕诺尼 - 保罗·谢勒学院
  • 2011-04-04 - 2013-03-13 - G01N23/04
  • 一种适于记录对象的吸收、相衬和暗场图像的X射线装置。该设备提高了低吸收样本的可见度并且降低了所需的辐射剂量。该设备包括:a)X射线源;b)至少两个光栅构成的光栅组;c)具有空间调制检测灵敏度的位置灵敏检测器(PSD);d)用于记录检测器(PSD)的图像的装置;e)用于估计每个像素的强度以将用于每个单独的像素的对象的特征标识为吸收主导像素和/或差分相位衬度主导像素和/或X射线散射主导像素的装置;f)其中,通过从0到π或2π连续或逐步地旋转样本或相对于样本旋转设备来采集一系列图像;g)其中,根据X射线平行于衬底穿过光栅的新的平面几何结构来制造光栅;h)从而光栅结构沿着X射线路径延伸,X射线路径确定这些光栅结构对X射线造成的相移和衰减,X射线路径不再由结构的厚度给定,而是由光栅结构的长度给定。
  • 使用平面几何结构光栅设备进行射线成像暗场方法

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