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[发明专利]存储器元件的结构及其制造方法-CN201910654128.2在审
发明人：王润顺;朱猛剀;马卓娜;李华国 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开一种存储器元件的结构及其制造方法，其中该存储器元件的结构包括基板，有存储区域及逻辑区域。阻障层设置在所述基板上，覆盖所述存储区域及所述逻辑区域。图案化的内层介电层，仅在所述存储区域设置在所述阻障层上。第一通孔结构在所述存储区域形成于所述阻障层与所述图案化的内层介电层中。存储单元结构在所述存储区域，设置在所述图案化的内层介电层，与所述第一通孔结构接触。内连线结构在所述逻辑区域，设置在所述阻障层上。
存储器元件结构及其制造方法

[发明专利]ICP等离子体反应器中控制硅槽和二氧化硅厚度的方法-CN200710037950.1无效
发明人： 马卓娜;蒋维楠;林俊毅 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2007-03-09 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种ICP等离子体反应器中控制硅槽和二氧化硅厚度的方法，将半导体晶圆上的多晶硅栅极进行光阻去除处理后放置于感应耦合等离子体反应器中、在没有加载射频偏压电源的条件下注入活性蚀刻气体对半导体晶圆进行各向同性蚀刻形成硅槽、然后在加载射频偏压电源的条件下注入氧气等离子体在半导体晶圆表面形成二氧化硅保护层。采用该种ICP等离子体反应器控制硅槽深度和二氧化硅保护厚度的方法，实现了独立有效地控制硅槽深度和二氧化硅层的厚度，提高了半导体器件的电特性，成品率高，工作性能稳定可靠，制造成本较低；能够广泛应用于0.13μm工艺处理中，应用范围广泛，为半导体制造工艺的进一步发展奠定了坚实的基础。
icp 等离子体反应器控制二氧化硅厚度方法