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[发明专利]一种无反射式集总参数滤波器-CN202211094337.4在审
发明人：张海洋;王勇强;马凯学 -专利权人：天津大学
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H03H7/01 文献下载
摘要：本发明公开一种无反射式集总参数滤波器，包括第一端口、第二端口、低通部分以及高通部分，低通部分和\或高通部分融合有谐振器；第一端口为信号输入端口，第二端口为信号输出端口，低通部分的一个端口与高通部分的一个端口与第一端口连接，低通部分的另一端口和第二端口连接，高通部分的另一端口和一个电阻连接，电阻的另一端接地；工作在通带时，低通部分信号导通，高通部分信号不通，信号由第一端口输入，全部由低通部分传输到第二端口；工作在阻带时，低通部分信号不通，高通部分信号导通，信号由第一端口输入，信号传输到低通部分时，全部被反射回来，反射波经高通部分传输到电阻中全部被所述电阻吸收。本发明能实现良好的无反射功能。
一种反射式集总参数滤波器

[发明专利]一种宽带高增益压缩高次模式八木天线-CN202110976423.7有效
发明人：罗宇;马笑宇;马凯学 -专利权人：天津大学
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01Q1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽带高增益压缩高次模式八木天线，包括微带介质基片；微带介质基片顶面设置有偶极子左臂、偶极子左臂枝节、金属引向器和左侧金属反射器；偶极子左臂左端垂直设置偶极子左臂枝节；偶极子左臂左端后方设置有左侧金属反射器；偶极子左臂右端后方设置有两个金属引向器；偶极子左臂的右端部与同轴馈电探针内芯相连；微带介质基片的底面设置有偶极子右臂、偶极子右臂枝节和右侧金属反射器；偶极子右臂的右端，垂直设置有偶极子右臂枝节；偶极子右臂右端后方设置有右侧金属反射器；偶极子右臂左端部与同轴馈电探针外芯相连。本发明通过增加金属引向器与金属反射器，能够增强天线的增益及前后比，满足客户对高增益端射天线的使用需求。
一种宽带增益压缩模式八木天线

[发明专利]共模抑制的介质集成悬置平行带线差分耦合器及电路板-CN202210486065.6有效
发明人：王勇强;刘佳;马凯学 -专利权人：天津大学
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01P5/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种共模抑制的介质集成悬置平行带线差分耦合器及电路板，其中，差分耦合器中端口处的主传输线上都连接有一段短截线，同时有金属化通孔1连接G5和G6层。该短截线在差模状态时等效于短截线短路，在共模状态时等效为短截线开路。由于介质集成悬置平行带线在差模和共模工作时，在同一频率处所对应的差模导波波长和共模导波波长不同。通过适当调节金属化通孔的位置，能够使得该短截线的差模等效电长度与共模等效电长度相等。因此，可以通过调节短截线的长度θc1实现特定频带的共模抑制，差模的工作响应频率则通过调整θd1来实现调节。
抑制介质集成悬置平行带线差分耦合器电路板

[发明专利]介质集成悬置平行带线到背地共面波导的宽带过渡结构-CN202210953273.2有效
发明人：王勇强;何书韬;马凯学 -专利权人：天津大学
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01P5/10 文献下载
摘要：本发明公开一种介质集成悬置平行带线到背地共面波导的宽带过渡结构，分为介质集成悬置平行带线，带状线和背地共面波导，介质集成悬置平行带线分布于介质基板的上下两侧；向带状线过渡过程中，G5传输线线宽保持不变或逐渐减小到与带状线的G5层线宽保持一致，G6传输线线宽逐渐增大；经过空气腔侧边界所在截面时，G5传输线与带状线的中间金属层相连；G6传输线与带状线的下金属层相连；向背地共面波导过渡时，G5传输线与GCPW的中间金属层相连；G6传输线与GCPW的下金属层相连。本发明实现了多种传输线的集成和互连，可实现多种电路功能，同时为SISPSL的电路封装测试提供保障，解决过渡电路的封装和损耗问题。
介质集成悬置平行带线到背地波导宽带过渡结构

[发明专利]一种适用于5G通信系统的带宽可重构可变增益放大器-CN201910911458.5有效
发明人： 马凯学;肖慧华;傅海鹏 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H03G3/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于5G通信系统的带宽可重构可变增益放大器，所述可变增益放大器利用共源放大器中负载对带宽的影响以及级联放大器的带宽与级联单元数之间的关系，通过切换负载和级联单元数实现带宽的重构。本发明的有益效果为，(1)该放大器可以通过重构VGA单元中的负载部分实现带宽的重构，可以支持5G毫米波通信系统的单信道测试和多信道测试；(2)该放大器可以根据实际需要调整负载和VGA级联单元数，可用于其他需要带宽可重构的系统中；(3)该拓扑结构简单，重复利用了大部分电路，基于单元的结构更是大大节约了开发成本。
一种适用于通信系统带宽可重构可变增益放大器

[发明专利]一种新型低噪声压控振荡器-CN201910913701.7有效
发明人：傅海鹏;郑玉学;马凯学 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H03B5/06 文献下载
摘要：本发明公开新型低噪声压控振荡器，包括双LC tank构成的电感电容谐振腔，MOS管MP1、MOS管MP2,MOS管MN1、MOS管MN2；MOS管MP1、MOS管MP2源极连接后接VDD，MOS管MP1栅极接MOS管MP2漏极，MOS管MP2栅极接MOS管MP1漏极；MOS管MN1、MOS管MN2源极连接后接地，MOS管MN1、MOS管MN2漏极分别与MOS管MP1、MOS管MP2漏极相接，MOS管MN1栅极接MOS管MN2漏极，MOS管MN2栅极接MOS管MN1栅极。本发明在保证低功耗的前提下，实现高的摆幅要求；有效解决了基波和二次谐波相位非对准条件下相位噪声差的问题。
一种新型噪声压控振荡器

[发明专利]平面印刷倒F天线的方向图补偿方法-CN202211094065.8在审
发明人：闫宁宁;朱丽瑄;马凯学 -专利权人：天津大学
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01Q1/48 文献下载
摘要：本发明公开一种平面印刷倒F天线的方向图补偿方法，在平面印刷倒F天线的介质基板上布置有若干贯穿介质基板并与金属地板相连的金属化通孔形成方向图补偿结构，以实现对平面印刷倒F天线的方向图补偿。本发明通过加载金属化过孔的方式，削弱地板离天线较远处的电流与电场，使地板上的电流集中分布在天线附近，这样既保证了地板完整性，减少后期加工不确定性，也能有效地减小±60°处的辐射，保证辐射方向图内只有一个波束最大值。
平面印刷天线方向补偿方法

[发明专利]宽带数控低噪声可变增益放大器-CN201811070291.6有效
发明人： 马凯学;黎入玮;牟首先;孟凡易 -专利权人：成都智芯测控科技有限公司
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明公开了宽带数控低噪声可变增益放大器，包括依次连接的输入匹配网络、第一级低噪声级、第一级间匹配网络、第二级增益级、第二级间匹配网络、第三级增益级、输出匹配网络、第一级衰减电路、第二级衰减电路、第三级衰减电路、第四级衰减电路；输入匹配网络为可变增益放大器的射频输入端，所述第四级衰减电路为可变增益放大器的射频输出端。本发明采用GaAs pHEMT工艺克服了CMOS宽带窄的问题，同时，将信号的增益控制在一定范围，采用低噪声放大器作为前级放大器得到了较好的噪声性能和减少了衰减器级数以提升整体电路增益，采用三级共源结构加四级衰减电路结构，在DC～6GHz频段以达到所需的增益变化范围和精确增益步进，从而解决了增益与宽带之间的矛盾。
宽带数控噪声可变增益放大器

[发明专利]一种应用于无线通信2G到4G频段的宽带光伏天线-CN202211699287.2在审
发明人：钟豪;安文星;张洪溪;马凯学;贾子熙;张卫康;仇海波;刘新;呼文韬;刘兴江 -专利权人：中电科蓝天科技股份有限公司;天津大学
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于无线通信2G到4G频段的宽带光伏天线，属于太阳能电池天线技术领域，包括介质板、辐射主体、馈电结构、地板、短路墙体、直流输出和SMA接头；介质板包括下层水平介质板、最上层水平介质板、馈电垂直介质板、折叠垂直介质板、折叠水平介质板；辐射主体包括两块太阳能电池片；馈电结构包括两个V形探针、短路贴片、Γ型馈线、以及金属传输线；地板为位于下层水平介质板上表面的金属贴片；两个短路墙体的外侧壁设置有短路墙体垂直介质板；直流输出为位于下层水平介质板下表面的金属微带线；SMA接头的内芯与微带传输线，SMA接头的外芯与地板相连；短路墙体与地板和最上层水平介质板上表面的金属贴片电连接。
一种应用于无线通信频段宽带伏天

[发明专利]一种增益平坦的宽带高线性驱动放大器-CN202110902231.1有效
发明人： 马凯学;孙春赢;傅海鹏;陆敏;刘新阳 -专利权人：天津大学;中兴通讯股份有限公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本发明公开一种增益平坦的宽带高线性驱动放大器，由两级混合型匹配的放大器采用单端‑单端变压器进行级间匹配连接形成；其中，放大器均为带有退化电感的共发射极结构，该放大器的输入与输出均采用LC匹配网络。本发明的宽带高线性放大器，采用变压器级间匹配与输入输出LC匹配的混合匹配方式增加了通信系统带宽，使放大器工作频率完全覆盖目标频率，从而达到高数据传输速率的增益效果；每级放大器均采用发射极退化电感的方式进行线性度增强，退化电感能够对放大器提供负反馈，进而增加整体线性度，这对通信系统信号传输误码率有着很大的提高。
一种增益平坦宽带线性驱动放大器

[发明专利]一种基于介质集成悬置的液态金属线移相器-CN202211686713.9在审
发明人： 马凯学;杨剑腾;刘禹;王勇强;傅海鹏;闫宁宁 -专利权人：天津天芯微系统集成研究院有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01P1/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于介质集成悬置的液态金属线移相器，通过将装有镓铟液态金属的聚二甲基硅氧烷软管设置在移相器的介质基板上，并且在移相器的多层介质基板设置SISL腔体，步进电机通过无弹性的线连接SISL腔体内部装有镓铟液态金属的聚二甲基硅氧烷软管，进而改变装有镓铟液态金属的聚二甲基硅氧烷软管的长度。本发明具有宽带宽、低损耗、结构简单的特点，可以在UWB频段内实现连续调相。
一种基于介质集成悬置液态金属线移相器

[发明专利]基于介质集成悬置线复合谐振器的滤波器-CN202211604815.1在审
发明人：武依;马凯学 -专利权人：天津大学
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本发明公开一种基于介质集成悬置线复合谐振器的滤波器，包括从上而下依次设置的五层介质基板；每层介质基板的上下两层均为覆铜金属板，第二层介质基板、第五层介质基板中部形成空气腔体；第五金属层的双端口网络的滤波器包括第一谐振器、第二谐振器、第三谐振器，第一谐振器与第二谐振器通过第一高阻抗线连接；第六金属层的双端口网络的滤波器包括第四谐振器、第五谐振器、第六谐振器，第五谐振器与第六谐振器通过第二高阻抗线连接；第一谐振器与第四谐振器，第二谐振器与第五谐振器，第三谐振器与第六谐振器均通过金属化过孔连接。本发明充分发挥介质集成悬置线平台的优势，实现谐振器的小型化，进而实现滤波器的小型化。
基于介质集成悬置复合谐振器滤波器

[发明专利]一种增益和带宽可变的低功耗高线性度模拟基带电路-CN202211686714.3在审
发明人： 马凯学;李菲;傅海鹏;张新;刘兵 -专利权人：天津天芯微系统集成研究院有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G01S7/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种增益和带宽可变的低功耗高线性度模拟基带电路，包括内嵌有直流失调消除环路的可变增益放大器和带宽可重构的低通滤波器。其中可变增益放大器位于模拟基带的第一级、第二级和最后一级，用于对混频器的输出信号进行放大，实现了6～66dB增益控制范围。低通滤波器整体位于第三级，采用四个二阶单元实现了八阶巴特沃斯响应，用于对混频的输出信号进行滤波，通过调节电容值控制滤波器的带宽，实现500kHz、1MHz、3MHz、8MHz和15MHz这5个截止频率。本发明模拟基带电路具有低功耗、高线性度、增益控制精确的特点。
一种增益带宽可变功耗线性模拟基带电路

[发明专利]基于两点调制多子带压控振荡器的FMCW锁相环系统-CN202210793990.3在审
发明人： 马凯学;石浩;傅海鹏;王勇强 -专利权人：天津大学
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H03L7/085 文献下载
摘要：本发明公开一种基于两点调制多子带压控振荡器的FMCW锁相环系统，包括鉴频鉴相器、荷泵、环路滤波器、压控振荡器、数模转换模块、注入锁定分频器、分频器模块、多模分频器、ΔΣ调制器、FMCW多功能模块、子带补偿模块、系统线性校准模块、开关电容阵列。本发明通过多子带振荡器)技术将频率源的频率带宽拓宽；采用两点调制技术缓解PLL环路的环路带宽，保证快速啁啾(chirp)定状态；采用数模转换模块与多子带带振荡器相结合技术，实现超级小的分频分辨率、降低频率的RMS误差；采用频率补偿技术消除多子带带振荡器对快速chirp的影响；采用系统线性校准技术消除带振荡器、数模转换模块的非线性对PLL的影响。
基于两点调制多子带压控振荡器 fmcw 锁相环系统

[发明专利]一种基于500nm GaAs pHEMT工艺的超宽带双向放大器-CN202011641805.6有效
发明人： 马凯学;李一夫 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于500nm GaAs pHEMT工艺的超宽带双向放大器，该放大器包括用于实现宽频带且低噪声匹配的低噪声放大器，用于实现宽频带且最大功率匹配的功率放大器，单刀双掷开关A和单刀双掷开关B，并超宽带双向放大器的开关管两端分别设置有相同的5V正压控制开关单元。这种基于500nm GaAs pHEMT工艺的超宽带双向放大器能够实现超宽带的同时又高频覆盖至10.6GHz，并且具有Rx路LNA放大器和Tx路PA放大器优异的性能。此外设置在两端的5V正压控制开关单元将负压控制的开关管变为正压控制，使用更加方便。
一种基于 500 nm gaas phemt 工艺宽带双向放大器