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[发明专利]氮化物层的制造方法-CN202111583740.9在审
发明人： 马修·查尔斯;居伊·费尔特;罗伊·达格尔 -专利权人：法国原子能源和替代能源委员会;国家科学研究中心;格勒诺布尔-阿尔卑斯大学
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于获得至少一个氮化物层的方法，所述方法包括以下连续步骤：提供叠层，包括从所述叠层的衬底延伸的多个焊盘，每个焊盘至少包括：结晶部段和具有顶部面积的顶部；从至少一组所述焊盘中的至少一些的所述顶部外延生长的微晶，并继续所述微晶的外延生长直到由所述焊盘承载的所述微晶的聚结；所述多个焊盘包括称为保留焊盘的至少一个焊盘和称为分离焊盘的多个其他焊盘。所述焊盘构造成一旦形成所述氮化物层，则所述至少一个保留焊盘保留所述氮化物层，并且所述分离焊盘中的某些可以被断裂。
氮化物制造方法

[发明专利]用于生产各自用于形成电子或光电器件的氮化物台面的方法-CN202080057484.7在审
发明人：居伊·弗耶;布兰丁·阿卢安;胡贝特·博诺;罗伊·达格尔;耶苏·祖尼加·佩雷斯;马修·查尔斯;朱利安·巴克利;勒内·埃斯科菲耶 -专利权人：原子能与替代能源委员会;国家科学研究中心
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明特别涉及一种用于获得台面(550A、550B)的方法，台面至少部分地由氮化物(N)制成的，该方法包括以下连续步骤：‑提供叠置件，该叠置件包括基板(100)和从该基板(100)起连续地布置的至少下述层：‑第一层，被称为流变层(200)；‑第二结晶层，被称为结晶层(300)；‑通过对流变层(200)的至少一部分(220)和结晶层(300)进行蚀刻来形成垫(1000A1‑1000B4)，使得：每个垫(1000A1‑1000B4)至少包括：‑第一部分，其被称为流变部分(200A1‑200B4)，其由流变层(200)的至少一部分形成；第二结晶部分，其称为结晶部分(300A1、300B4)，由结晶层(300)形成并覆在流变部分(200A1‑200B4)上；垫(1000A1‑1000B4)分布在基板(100)上，以便形成多个组(1000A、1000B)的垫(1000A1‑1000B4)；‑在所述垫(1000A1‑1000B4)的至少一些垫上外延生长微晶(510A1‑510B4)，并继续微晶(510A1‑510B4)的外延生长直到由同一个组(1000A、1000B)的相邻垫(1000A1‑1000B4)承载的微晶(510A1‑510B4)达到聚结。
用于生产各自形成电子光电器件氮化物台面方法

[发明专利]多色电致发光显示装置及其制造方法-CN201980091377.3在审
发明人： 马修·查尔斯 -专利权人：原子能与替代能源委员会
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种装置，包括分别在第一和第二波长范围内发光的第一和第二发光单元，其中：‑每个发光单元包括第一半导体材料的第一层(105)和具有不同的网格参数的第二半导体材料的第二层(111)的堆叠；‑在第一单元中，第一层(105)在单元的整个表面上与第二层(111)接触；以及‑在第二单元中，设置有多个贯穿纳米开口(109)的掩模(107)形成第一层(105)和第二层(111)之间的界面，第二层(111)包括布置在掩模的纳米开口中的多个第二材料的纳米柱(115)，以及在掩模的相对第一层(105)的一侧跨单元的整个表面延伸的聚结层。
多色电致发光显示装置及其制造方法

[发明专利]用于制造具有二极管的矩阵的光电器件的方法-CN201980026104.0在审
发明人： 马修·查尔斯 -专利权人：原子能和替代能源委员会
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：根据本发明，一种用于制造具有二极管(2)的矩阵的光电器件(1)的方法，其中，所述二极管具有半导体堆叠(30)，所述方法包括以下步骤：‑提供生长衬底(10)，所述生长衬底具有涂覆有限定成核表面(12b)的成核层(12)的承载衬底(11)；‑在所述成核表面上沉积电介质层(20)；‑在所述电介质层中形成多个通孔(21)，所述通孔(21)延伸到所述成核表面；并且此外：o蚀刻位于所述通孔中的成核层，以便释放承载表面的上表面并暴露成核层的侧表面，从而形成成核侧面(12c)；然后o形成在承载衬底中延伸的电介质区域(13)，使得在随后的外延生长步骤期间，每个第一掺杂段(31)尤其是自成核侧面形成的；‑在所述通孔(21)中并且从所述成核表面(12b)外延生长所述半导体堆叠，使得至少所述半导体堆叠的所述第一掺杂段和有源区域(32)位于所述通孔中。
用于制造具有二极管矩阵光电器件方法

[发明专利]通过金属间化合物装配两个元件的钎焊方法以及含有通过金属间化合物装配的两个元件的装置-CN201680013602.8有效
发明人： 马修·查尔斯 -专利权人：赛峰电气与电源公司
申请日： 2016-03-03 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： B23K1/19 文献下载
摘要：本发明特别涉及一种装配两个元件的钎焊方法(100)，包括以下步骤：‑选择(101)两种钎焊材料，当它们被加热和熔化时，可以产生熔点高于每种选择的钎焊材料熔点的金属间化合物，‑将两个选定的钎焊材料定位(102)在两个元件之间，‑加热和熔化(103)两种选择的钎焊材料，以便基本达到每种选择的钎焊材料的熔点，从而使熔点高于每种所选钎焊材料熔点的金属间化合物析出。本发明还涉及一种含有采用所述方法的装置装配的两个元件的装置。
通过金属化合物装配两个元件钎焊方法以及含有装置

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