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[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202210015814.7在审
发明人： 韩静利;于海龙 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底上形成有第一介电层，基底包括第一区域和第二区域，第一区域的第一介电层中形成有贯穿第一介电层的导电层，第二区域的第一介电层的顶部形成有高电阻层，第一介电层、导电层和高电阻层的顶部形成有第二介电层，导电层的顶部形成有露出导电层顶面的的第一通孔，高电阻层的顶部形成有露出高电阻层顶面的第二通孔；在第一通孔中形成电连接导电层的第一互连插塞；对第二通孔露出的第二介电层的侧壁进行刻蚀，用于增大第二通孔的横向尺寸，第二通孔露出遮盖区域的高电阻层顶部；在第二通孔中形成第二互连层插塞。降低在第二互连插塞与高电阻层之间产生空洞缺陷。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202111633272.1在审
发明人： 韩静利;张浩;于海龙;雒建明 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，方法包括：提供基底，基底上形成有栅极结构，栅极结构的两侧的基底内形成有源漏掺杂层，相邻栅极结构之间形成有覆盖源漏掺杂层顶部且电连接源漏掺杂层的源漏互连线，基底上形成有覆盖栅极结构和源漏互连线的层间介质层；在层间介质层中形成贯穿层间介质层的第一互连插塞，第一互连插塞位于栅极结构顶部、并与栅极结构电连接，或者，第一互连插塞位于源漏互连线顶部、并与源漏互连线电连接；在第一互连插塞的顶部形成生长抑制层；形成贯穿层间介质层的第一开口；在第一开口中形成第二互连插塞，第二互连插塞电连接待互连结构。降低了第一互连插塞与相邻的第二互连插塞相接触的概率，从而影响了半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110797130.2在审
发明人：于海龙;韩静利;雒建明;张田田 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体的结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底上形成有栅极结构，栅极结构两侧的基底中形成有源漏掺杂层，栅极结构露出的基底顶部形成有层间介质层，层间介质层覆盖源漏掺杂层的顶部；去除栅极结构两侧的层间介质层，形成露出源漏掺杂层顶部的开口；沿开口刻蚀源漏掺杂层，在源漏掺杂层中形成凹槽，凹槽的底面为向基底中凹陷的弧面，凹槽的顶部与开口的底部相连通；在凹槽和开口中形成导电插塞。导电插塞与源漏掺杂层的交界面为向基底中凹陷的弧面，这使得导电插塞与源漏掺杂层的交界面的面积更大，从而使得导电插塞与源漏掺杂层的接触电阻更小，进而提高了半导体结构的电学性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202011593007.0在审
发明人： 韩静利;张浩;郑春生 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，所述结构包括：基底；栅极结构，位于基底上；源漏掺杂层，位于栅极结构两侧的基底中；层间介质层，覆盖栅极结构的侧壁和源漏掺杂层；第一介电层，位于栅极结构和层间介质层上；源漏接触插塞，贯穿第一介电层和层间介质层，与源漏掺杂层连接；抗刻蚀层，位于第一介电层和源漏接触插塞上；第二介电层，位于抗刻蚀层上；源漏盖帽层的形成步骤包括：刻蚀第二介电层，形成露出抗刻蚀层的凹槽，在凹槽中形成源漏盖帽层。因为第二介电层的被刻蚀难度小于抗刻蚀层的被刻蚀难度，抗刻蚀层底部的源漏接触插塞不易被误刻蚀，源漏接触插塞的导通电阻不易过大，更不易断路，能够提高半导体结构的电学性能和电学性能的均一性。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及半导体结构的形成方法-CN202011521350.4在审
发明人：于海龙;荆学珍;韩静利;张田田 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种半导体结构及半导体结构的形成方法，结构包括：衬底；位于衬底上的介质层和位于介质层内的开口；位于开口内的导电结构，所述导电结构包括位于开口底部表面和部分侧壁表面的粘附层，以及位于粘附层上的导电层，所述粘附层顶部表面低于所述介质层顶部表面，所述导电层的顶部表面低于所述粘附层的顶部表面；位于粘附层上和导电层上的阻挡层。所述半导体结构的性能得到提升。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构及半导体结构的形成方法-CN202011187100.1在审
发明人：于海龙;荆学珍;张浩;雒建明;张田田;韩静利;孙天杨 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一种半导体结构及半导体结构的形成方法，方法包括：提供衬底；在衬底上形成介质层和位于介质层内的导电层，所述导电层的顶部表面低于所述介质层的顶部表面，所导电层上具有位于介质层内的凹槽；在所述凹槽的底部表面和侧壁表面形成初始保护层，所述凹槽侧壁表面的初始保护层的厚度小于所述凹槽底部表面的初始保护层的厚度；对所述凹槽侧壁表面的初始保护层和所述凹槽底部表面的部分初始保护层进行改性处理，在凹槽底部表面形成保护层，并在凹槽侧壁表面和凹槽底部的保护层表面形成改性层；去除所述改性层，直至暴露出所述凹槽侧壁的介质层。所述方法形成的半导体结构性能得到提升。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202011003877.8在审
发明人： 韩静利;荆学珍;张浩;于海龙;张田田;雒建明 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成介质层以及位于介质层内的初始导电层，所述介质层暴露出初始导电层顶部表面；对部分所述初始导电层进行改性处理，形成导电层和位于导电层上的改性层；去除所述改性层。所述方法形成的半导体结构性能得到了提升。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202010929722.0在审
发明人：张田田;荆学珍;张浩;于海龙;韩静利;孟晋辉 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其形成方法，其方法包括：提供基底，所述基底内形成有接触孔，所述接触孔的底部表面暴露出所述基底内的源漏掺杂层的顶部表面；在所述接触孔的底部和侧壁上形成初始阻挡层；在所述初始阻挡层上形成金属层，所述金属层覆盖部分所述初始阻挡层的侧壁；在所述金属层上形成密封层；刻蚀去除所述金属层未覆盖的部分所述初始阻挡层，形成所述阻挡层；在金属层上形成密封层之后，密封层将金属层很好的保护住，这样在刻蚀去除金属层未覆盖的部分初始阻挡层形成阻挡层的过程中，由于密封层的保护作用，使得金属层在刻蚀工艺中不会遭到损伤，从而提高了金属层的形成质量，有助于提高形成的半导体器件的质量和良率。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010930970.7在审
发明人：于海龙;荆学珍;张浩;雒建明;韩静利 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：基底，所述基底内具有第一导电层，所述基底暴露出所述第一导电层顶部；位于所述基底上的第一介质层，且所述第一介质层内具有暴露出所述第一导电层顶部表面的开口；位于所述开口暴露出的第一导电层上的第一反应层，所述第一反应层的材料具有第一电阻率，且所述第一电阻率在预设范围之内。所述第一反应层有利于降低第二导电层和第一导电层之间的电阻，从而有利于提高形成的半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种用含钒溶液制备钒氮合金的方法-CN201710242643.0有效
发明人：张一敏;韩静利;刘涛;黄晶;陈铁军 -专利权人：武汉科技大学
申请日： 2017-04-12 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： C22C33/06 文献下载
摘要：本发明属涉及一种用含钒溶液制备钒氮合金的方法。其技术方案是：按含钒溶液中的钒∶碳质还原剂∶沉淀剂的物质的量的比为2∶(3~6)∶(4~10)，在搅拌条件下，向含钒溶液中加入所述碳质还原剂和所述沉淀剂，再调节pH值至1.0~9.0；所述含钒溶液中的钒为五价钒或为氧化后的五价钒。将调节pH值后的溶液在60~100℃条件下搅拌0.5~3h，固液分离，干燥，得到前驱体。在常压和氮气流量为5~50L·min‑1·kg‑1的条件下，将所述前驱体预还原，继续加热至1000~1500℃，保温0.5~3h；随炉冷却至室温~100℃，出炉，破碎，磨细，压块，制得钒氮合金。本发明具有生产成本低、工艺简单、还原氮化温度低和反应时间短的特点。
一种用含钒溶液制备合金方法

[发明专利]一种用石煤提钒富钒液制备钒氮合金的方法-CN201611091161.1有效
发明人：张一敏;韩静利;刘涛;黄晶;陈铁军 -专利权人：武汉科技大学
申请日： 2016-12-01 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： C22C35/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用石煤提钒富钒液制备钒氮合金的方法。其技术方案是：将碳质还原剂加入到富钒液中，搅拌，干燥，得到前驱体。所述富钒液为石煤提钒的一种中间产品；所述碳质还原剂的摩尔量为富钒液中的阳离子总摩尔量的1.5~4倍。将所述前驱体机压至块状，在常压和氮气气氛中，将块状前驱体在1000~1400℃条件下保温1~5h，随炉冷却，磨细，得到中间产物。向所述中间产物中加入盐酸溶液，搅拌，固液分离，得到固体渣。所述盐酸溶液中的HCl摩尔量为富钒液中除钒阳离子外的阳离子总摩尔量的3~5倍。将所述固体渣干燥，压块，制得钒氮合金。本发明具有以石煤提钒的富钒液为钒源、生产成本低、原料消耗量少和反应时间短的特点。
一种石煤提钒富钒液制备合金方法

[发明专利]一种钒氮合金的制备方法-CN201611091160.7有效
发明人：张一敏;韩静利;刘涛;黄晶;陈铁军 -专利权人：武汉科技大学
申请日： 2016-12-01 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： C22C35/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种钒氮合金的制备方法。其技术方案是将碳质还原剂和以无水物计的硫酸氧钒按质量比为(0.1~0.3)∶1配料，混匀，得到混合物料。将所述混合物料机压为块状物料，所述块状物料的密度为1.5~2.0g/cm3；再将所述块状物料在60~120℃条件下干燥1~7h。在常压和氮气流量为100~600mL/min的条件下，将干燥后的块状物料加热至1000~1400℃，保温1~5h，随炉冷却至室温~100℃，出炉，得到钒氮合金。所述碳质还原剂为碳黑、石墨和活性炭中的一种以上，所述碳质还原剂的粒度为0.074~0.250mm；所述硫酸氧钒的粒度为0.074~0.250mm。本发明具有工艺简单、反应时间短和反应温度低的特点。
一种合金制备方法

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