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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体存储器件-CN202210727771.5在审
发明人：金成焕;卢元基;郑娜瑞;韩昇煜 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体存储器件包括：衬底，在第一方向和垂直于第一方向的第二方向上延伸；位线结构，在衬底上在第一方向上排列，位线结构在第二方向上延伸；间隔物结构，设置在位线结构的侧壁上以在第二方向上延伸，间隔物结构包括由空气或氧化硅形成的间隔物；接触结构，设置在间隔物结构之间并且在第二方向上排列；围栏结构，填充接触结构之间的间隙和间隔物结构之间的间隙；以及焊盘隔离膜，隔离位于位线结构上的接触结构、间隔物结构和围栏结构。围栏结构包括第一围栏衬垫和第二围栏衬垫，第二围栏衬垫位于第一围栏衬垫上并且由空气和氧化硅中的一种形成，并且第二围栏衬垫在第一方向上与间隔物交叠。
半导体存储器件

[发明专利]半导体装置-CN202110571210.6在审
发明人：林东均;金永信;朴基振;宋昊柱;杨同官;尹详皓;李奎贤;李知垠;韩昇煜;洪润基 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：栅极结构，位于基底上；第一间隔件结构和第二间隔件结构，分别位于栅极结构的彼此相对的第一侧壁和第二侧壁上；以及第一源极/漏极层和第二源极/漏极层，分别位于基底的与栅极结构的第一侧壁相邻的上部和基底的与栅极结构的第二侧壁相邻的上部处。栅极结构的上表面具有参照作为基准面的基底的上表面从栅极结构的中心部分到栅极结构的第一侧壁减小并且从栅极结构的中心部分到栅极结构的第二侧壁基本恒定的高度。
半导体装置

[发明专利]集成电路器件-CN202110273389.7在审
发明人：洪智硕;李相昊;朴瑞龙;安志荣;李基硕;李基硕;崔允荣;韩昇煜 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：一种集成电路器件，包括：衬底，包括多个有源区；位线，在衬底上沿水平方向延伸；直接接触部，连接在从多个有源区中选择的第一有源区与所述位线之间；内部氧化物层，接触直接接触部的侧壁；以及含碳氧化物层，在所述位线的侧壁上沿竖直方向非线性地延伸，含碳氧化物层接触所述位线的侧壁。
集成电路器件

[发明专利]集成电路器件-CN202110222725.5在审
发明人：安志荣;韩昇煜;金成焕;朴瑞龙;李基硕;崔允荣;韩泰熙;洪智硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供了一种集成电路器件。该集成电路器件包括：衬底上的位线，该位线包括下导电层和上导电层；位线上的绝缘封盖图案；以及主绝缘间隔物，在位线的侧壁和绝缘封盖图案的侧壁上，该主绝缘间隔物包括向上导电层凸出的延伸部分。
集成电路器件

[实用新型]集成电路器件-CN202121340577.9有效
发明人：安志荣;韩昇煜;金成焕;朴瑞龙;李基硕;崔允荣;韩泰熙;洪智硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：提供了一种集成电路器件。该集成电路器件包括：衬底上的位线，该位线包括下导电层和上导电层；位线上的绝缘封盖图案；以及主绝缘间隔物，在位线的侧壁和绝缘封盖图案的侧壁上，该主绝缘间隔物包括向上导电层凸出的延伸部分。
集成电路器件

[发明专利]半导体器件-CN202010867759.5在审
发明人：李相昊;金恩娥;李基硕;崔宰福;金根楠;安容奭;全辰桓;韩相然;韩成熙;韩昇煜;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：器件隔离层，限定第一有源区域和第二有源区域；掩埋接触件，连接到第二有源区域；以及第一位线结构和第二位线结构，设置在第一有源区域和第二有源区域上。第一位线结构和第二位线结构中的每个包括位线接触部分和位线通过部分。位线接触部分电连接到第一有源区域。位线通过部分设置在器件隔离层上。掩埋接触件的最低部分的高度比位线通过部分的最低部分的高度小。掩埋接触件的最低部分的高度比位线接触部分的最低部分的高度大。位线通过部分的下端掩埋在第二有源区域中。
半导体器件

[发明专利]具有器件隔离结构的半导体器件-CN201010541311.0有效
发明人： 韩昇煜;山田悟;崔荣振 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-11-12 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有器件隔离结构的半导体器件。示例半导体器件包括：沟槽，形成在半导体基底中，以限定有源区；填充介电层，设置在沟槽中；氧化物层，设置在填充介电层和沟槽之间；氮化物层，设置在氧化物层和填充介电层之间；阻挡层，设置在氧化物层和氮化物层之间。
具有器件隔离结构半导体器件

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