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[发明专利]一种FBMC系统中联合信道均衡的RLS信道估计方法-CN202011324250.2在审
发明人：李靖;吕宝均;任德锋;葛建华;武思同;施琛;韦盼 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H04L25/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种FBMC系统中联合信道均衡的RLS信道估计方法，方法包括如下步骤：获取由FBMC‑OQAM导频符号、FBMC‑OQAM全零符号和FBMC‑OQAM数据符号组构成的帧结构，并根据该帧结构生成基带发送信号；根据生成的基带发送信号和多信道的脉冲响应，得到基带接收信号；计算帧结构中第一符号组中各符号对应的分析滤波器组输出信号和伪导频信号，并根据计算结果计算信道初始估计；首先计算其余各符号的子载波信号经分析滤波器组后的输出信号和伪导频信号，然后采用迫零均衡算法对信道进行均衡，并对伪导频信号进行重构，得到重构后伪导频信号，最后根据重构后的伪导频信号计算RLS信道估计值。发明所提供的技术方案在计算FBMC‑OQAM系统RLS信道估计值是具有较高的频谱效率。
一种 fbmc 系统联合信道均衡 rls 估计方法

[实用新型]一种可关断的连续调谐半导体激光器芯片结构-CN201920102072.5有效
发明人：董延;李马惠;穆瑶;卫思逸;杨亚楠;任鹏强;伍成阳;韦盼;焦富翔 -专利权人：陕西源杰半导体技术有限公司咸阳分公司
申请日： 2019-01-21 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：一种可关断的连续调谐半导体激光器芯片结构，包括基板、分布式反馈‑多量子阱、电吸收‑多量子阱、光栅层、电隔离区和包层；基板的上表面并排设置有分布式反馈‑多量子阱和电吸收‑多量子阱，分布式反馈‑多量子阱的末端和电吸收‑多量子阱的首端相接；反馈‑多量子阱和电吸收‑多量子阱的上表面设置有光栅层，光栅层上方沉积设置有包层；包层上刻蚀设置有电隔离区；本实用新型实现了对信道切换间的窜扰的隔离。本实用新型芯片的可关断功率可以达到‑20dBm～‑60dBm，满足光信号隔离要求。
多量子阱电吸收分布式反馈光栅层包层关断半导体激光器芯片本实用新型电隔离区连续调谐上表面基板并排设置信道切换信号隔离刻蚀首端沉积隔离芯片反馈

[实用新型]一种可改善出光发散角的对接型半导体激光器-CN201720677164.7有效
发明人：师宇晨;潘彦廷;李马惠;穆瑶;卫思逸;赵小亮;杨旗;韦盼;杨亚楠;杨英 -专利权人：陕西源杰半导体技术有限公司
申请日： 2017-06-12 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可改善出光发散角的对接型半导体激光器，包括衬底以及设置在衬底上表面的量子阱，量子阱出光端对接生长有晶体外延生长InP，本实用新型的有益效果是在不增加激光器芯片的阈值电流的前提下，通过在传统边射型激光器端面长一层15um宽的InP(磷化铟)，从而可以减少出光发散角，使远场光场变小，提高耦光效率，同时由于量子阱的结构没有发生改变，量子阱区的光局限因子也不改变，因此激光器芯片的阈值电流也不会增加。此结构借由晶体二次外延技术得以实现，解决了传统边射型半导体激光器芯片为了实现低的阈值电流，通常会使光尽可能多的被束缚在量子阱(铟镓砷磷)区，但光在量子阱区被束缚的越强烈，在激光器出光端面，形成的发散角就会越大，远场光场就越大，导致耦光率降低的问题。
一种改善发散对接半导体激光器

[实用新型]一种具有同层双量子阱结构的电吸收激光器-CN201720678138.6有效
发明人：卫思逸;李马惠;潘彦廷;刘拓;陈发涛;冯旭超;赵小亮;杨旗;韦盼;孙娟娟 -专利权人：陕西源杰半导体技术有限公司
申请日： 2017-06-12 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有同层双量子阱结构的电吸收激光器，包括衬底和设置在衬底底面的N面电极层，量子阱层包括端面对接的第一量子阱和第二量子阱；在同一结构层上具有相同厚度的两种量子阱结构，此结构的设计合理，能有效保证制造工艺的方便，前端工序仅需要生长一个单量子阱结构，在后端工序利用一系列常规工艺即可实现在同一结构层上由单量子阱结构变为双量子井结构；由于本实用新型的光吸收区为另外一种量子阱结构，因此发光区的光栅设计可以保持在最佳发光增值位置，达到最大出光强度，具有较低的阈值电流；另外由于发光区量子阱和光吸收区量子阱位于同一结构层，在界面出的光耦合损失非常低，光耦合效率近似100％，光开关状态间的明灭比较高，约为10dB左右。
一种具有量子结构吸收激光器