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[发明专利]一种低温溶液法生长SiC晶体的方法-CN202211106371.9在审
发明人：雷云;邓幻;雷敏鹏;李鹏;马文会;母凤文;郭超 -专利权人：昆明理工大学;北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
申请日： 2022-09-11 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种低温溶液法生长SiC晶体的方法，属于晶体生长技术领域。将高纯硅、金属Fe或Cr、稀土金属混合后进行合金化熔炼，熔炼时间5‑30min得到成分均匀的Si‑Me‑RE合金；将Si‑Me‑RE合金装入到晶体生长炉中的高纯致密石墨坩埚或SiC坩埚中，在熔炼温度高于1823K以上保温至少1小时，使C或SiC往高温熔体中溶解得到SiC饱和的Si‑Me‑RE‑C熔体；在SiC饱和的Si‑Me‑RE‑C熔体进行溶液法生长SiC单晶或多晶SiC。本发明提供的低温溶液法生长SiC晶体的方法解决了溶液法生长SiC晶体时C或SiC溶解度低的问题，可在低温下（比现有的PVT方法低至少400K）大幅度提高Si熔体中C或SiC的溶解度，是一种低能耗、低成本、高效率、无污染的生长SiC晶体的方法。
一种低温溶液生长 sic 晶体方法

[发明专利]一种助溶剂法生长单晶或多晶SiC晶体的方法-CN202211057391.1在审
发明人：雷云;李鹏;雷敏鹏;邓幻;马文会 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种助溶剂法生长单晶或多晶SiC晶体的方法，属于半导体晶体材料技术领域。将助溶剂与高纯硅混合后，在负压下的高纯惰性气体下进行合金化熔炼，得到成分均匀的Si‑RE合金；将得到的Si‑RE合金装入晶体生长炉中的高纯石墨坩埚或SiC坩埚中，在高纯惰性气体或氢气与惰性气体的混合气体下升高温度使Si‑RE合金熔化，并在设定的晶体生长温度下保温至少1小时使C或SiC充分溶解到Si‑RE合金中，得到SiC饱和的Si‑RE‑C熔体；在得到的SiC饱和的Si‑RE‑C熔体中进行生长单晶或多晶SiC晶体。本发明能够提高硅熔体中的C溶解度，避免其他碳化物的生成，有利于生长高质量的SiC晶体。
一种溶剂生长多晶 sic 晶体方法

[发明专利]一种利用低纯硅和含稀土氧化物物料回收稀土元素的方法-CN202110180840.0有效
发明人：雷云;雷敏鹏;马文会;何勇;李鹏;张陈康健 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C22B7/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用低纯硅和含稀土氧化物物料回收稀土元素的方法，属于固废资源回收利用和材料制备技术领域。将低纯硅、含稀土氧化物物料和造渣剂一起进行还原熔炼，进行渣金分离，分别得到Si‑RE合金和废渣；将得到的Si‑RE合金经研磨成粉并使用含HCl的浸出液酸洗后得到高纯硅粉和含RE酸性滤液；往得到的含RE酸性滤液中添加碱或氟化物得到稀土氯氧化物的水合物沉淀或稀土氟化物沉淀；或者将得到的含稀土酸性滤液经蒸馏后得到稀土氯化物；将得到的沉淀煅烧后得到高纯稀土氯氧化物，或者烘干后得到稀土氟化物。本发明是一种无废气产生、低成本、环境友好和高效率的技术。
一种利用低纯硅稀土氧化物物料回收稀土元素方法

[发明专利]一种同时回收利用切割硅废料和捕集失效催化剂中稀贵金属的方法-CN202110141888.0有效
发明人：雷云;雷敏鹏;马文会;何勇;杨清源;杨东方 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： B01J23/90 文献下载
摘要：本发明涉及一种同时回收利用切割硅废料和捕集失效催化剂中稀贵金属的方法，属于固废资源利用领域。将硅废料、含稀贵金属的失效催化剂、造渣剂和添加剂一起进行还原熔炼，熔炼结束后渣金分离得到含稀贵金属的硅基合金和废渣；将得到的含稀贵金属的硅基合金研磨至小于74微米的粉末，经王水酸洗和过滤后得到硅粉和含稀贵金属的浸出液；将得到的硅粉经含氟酸液酸洗并过滤后得到高纯硅和含贵金属的滤液；向得到的含稀贵金属的浸出液经添加氟化物后形成沉淀，过滤后得到稀土金属氟化物沉淀和含贵金属的滤液。本发明可以同时处理两种不同工业固废，具有明显的经济效益和产业化前景。
一种同时回收利用切割废料失效催化剂贵金属方法

[发明专利]一种多元合金相图中共晶点成分的确定方法-CN202110156505.7在审
发明人：雷云;何勇;马文会;雷敏鹏;张日林 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： G01N25/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种多元合金相图中共晶点成分的确定方法，属于合金材料技术领域。本发明将两种或两种以上高纯合金元素的物料混合均匀，再在保护气氛围中加热至完全熔融得到多元合金熔体，将多元合金熔体进行定向结晶得到晶体相和多元共晶合金；将晶体相和多元共晶合金进行切割分离得到多元共晶合金材料，分析多元共晶合金材料的成分即为多元合金相图中共晶点成分。本发明无需控制高纯合金元素的物料的比例，不依靠热力学数据设计多元共晶合金或共晶高熵合金，并且不依靠热力学数据直接确定多元合金相图中共晶点成分。
一种多元合金相图中共成分确定方法

[发明专利]一种利用硅废料和锰矿制备Si-Mn合金的方法-CN202011530454.1在审
发明人：雷云;何勇;马文会;郇朝阳;赵泽华;雷敏鹏 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用硅废料和锰矿制备Si‑Mn合金的方法，属于固废资源利用和材料制备技术领域。本发明将硅废料、锰矿和造渣剂混合，进行高温熔炼，经渣金分离后得到Si‑Mn合金和废渣；在真空或惰性气氛下，将Si‑Mn合金经定向凝固或区域熔炼进行分离和提纯得到高纯硅和共晶硅锰合金，或者硅锰金属间化合物和共晶硅锰合金。本发明可以回收利用工业生产中的硅废料，处理低品位锰矿，制备硅锰合金和高纯硅，或者硅锰金属间化合物和共晶硅锰合金材料。
一种利用废料锰矿制备 si mn 合金方法